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[发明专利]一种基于矢量调制的W波段功率合成器-CN202311206939.9在审
发明人：王康任;李力力;王洪全;马阳 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于矢量调制的W波段功率合成器。包括金属腔体、射频芯片、PCB基板等；金属腔体上设有波导输入接口与波导输出接口，腔体内部包含了波导耦合器和金属凹槽；射频芯片包括W波段模拟矢量调制芯片、功率放大器芯片，射频芯片焊接于金属凹槽内；PCB基板固定在金属凹槽内，PCB基板上放置控制与供电电路，PCB台阶焊盘通过金丝与芯片互连；射频芯片与波导之间信号传输通过波导探针过渡。本发明可通过PCB基板上控制电路改变不同射频通道中W波段模拟矢量调制芯片的控制电压，使各个通道幅度与相位特性可调，从而高效率实现功率合成。
一种基于矢量调制波段功率合成器

[发明专利]一种垂直过渡结构及应用-CN202310996158.8有效
发明人：彭英;王洪全;王康任;李力力 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01P3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直过渡结构及应用，包括：多层陶瓷介质、共面线、类同轴结构和金属过孔。所述多层陶瓷介质，为共烧多层陶瓷材料，采用高温共烧多层陶瓷工艺或低温共烧多层陶瓷工艺制成；共面线，所述多层陶瓷介质上分为顶层部分和台阶部分，顶层表面和台阶表面均设置有共面线；类同轴结构，多层陶瓷介质的所述顶层部分和所述台阶部分均具布设有上下贯穿的类同轴结构，用于射频信号低损耗垂直过渡传输；金属过孔，位于多层陶瓷介质所述顶层部分，为上下贯穿结构，用于保证所述共面线、所述类同轴结构与装配所述多层陶瓷介质的腔体之间良好的射频地回路和地连续性。本发明解决现有TR模块无法同时满足高集成化、小型化等需求的问题。
一种垂直过渡结构应用

[发明专利]一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构-CN202311170588.0在审
发明人： 李力力;彭英;乐国滔;王洪全;尹小龙 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于HTCC垂直过渡的TR模块结构。TR模块腔体正面设置射频芯片、射频供电板等模块常用分部件，并通过盖板密封；TR模块背面设置低频供电控制板。TR模块背面低频供电控制板和正面射频供电板通过HTCC垂直过渡结构互连。HTCC垂直过渡结构采用高温共烧多层陶瓷工艺（HTCC），垂直过渡结构层数和厚度根据TR模块实际设计而定。HTCC垂直过渡结构顶层和底层设置有焊盘，分别通过金丝键合方式与背面低频供电控制板和正面射频供电板互连。HTCC垂直过渡结构各个同属性焊盘通过多层陶瓷工艺内部过孔和走线实现互连。本发明的可将低频控制信号和电源供电信号任意穿插TR模块正反面，在不破坏其气密结构的基础上，大大减小尺寸，适用于高集成化、小型化应用场景。
一种基于 htcc 垂直过渡 tr 模块结构

[发明专利]一种W频段全向天线-CN202311012297.9在审
发明人：朱伟;李力力;王洪全 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-08-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本发明提供一种W频段全向天线，包括由金属体构成的馈电波导、全向天线、上下表面均覆铜的PCB板；在馈电波导内设置有矩形腔体结构，该矩形腔体结构构成矩形波导；在矩形波导内设置有金属匹配阶梯块，在金属匹配阶梯块的顶面设置有空气同轴结构。PCB板设置于馈电波导与全向天线之间，全向天线的馈电端依次穿过所述PCB板、空气同轴结构后，与金属匹配阶梯块电性连接；空气同轴结构与全向天线的馈电端同轴设置。本发明通过使用PCB作为连接全向天线与馈电波导的支撑，减少了W频段信号的传输损耗。
一种频段全向天线

[外观设计]紧缩场测试设备-CN202330227879.3有效
发明人：李辉章;曾跃文;王洪全;李力力 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：紧缩场测试设备。2.本外观设计产品的用途：本设计产品用于芯片、微波组件及有源相控阵天线测试，为研发及生产提供准确有效的数据。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状、图案与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.请求保护的外观设计包含色彩。
紧缩测试设备

[发明专利]一种基于ZYNQ的波束控制算法实现方法-CN202310833194.2有效
发明人：王伟;王洪全;李力力;高远洪 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04B7/0456 文献下载
摘要：本发明公开了无线通信技术领域的一种基于ZYNQ的波束控制算法实现方法，步骤一：将PS的输出端与PL的输入端采用AXI接口连接，PS与PL连接形成ZYNQ；步骤二：PS对外部通信指令进行接收并解析；步骤三：将PS解析的信息通过AXI接口传输至PL；步骤四：PL进行遍历计算，并且采用流水线设计。本发明降低开发难度、缩减开发周期、释放PL硬件资源的同时保证算法实现时间指标。
一种基于 zynq 波束控制算法实现方法

[发明专利]一种基于水热解法的单分散微米级铀氧化物微粒制备方法-CN202310374681.7在审
发明人：胡睿轩;张燕;沈彦;仲宁杰;李力力;赵永刚 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01G43/01 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于水热解法的单分散微米级铀氧化物微粒制备方法，包括如下步骤：制备四氯化铀溶液、制备络合物、水热解转化、离心分离、清洗、干燥，得到单分散微米级铀氧化物微粒。本发明提供的方法采用络合沉淀水热解代替气溶胶喷雾工艺的制备过程，可制备粒度可控范围在微米、亚微米尺寸且单分散性较好的铀氧化物微粒。本发明提供了一种更加经济、安全、高效的球形单分散铀氧化物微粒制备方案，具有微粒产率高、大幅提高制备回收率、制备流程简单安全、对仪器设备要求低等特点。而且，通过本发明提供的方法，能够制备微粒分析用标准微粒。
一种基于解法分散微米氧化物微粒制备方法

[发明专利]目标物侧向冲击试验装置及其试验方法-CN201710279843.3有效
发明人： 李力力;项忠霞;邵一鑫;吴俊浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N3/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种目标物侧向冲击试验装置，包括机架、冲击锤、冲击锤高度测量部件、冲击锤高度调整部件、冲击锤速度测量部件、防止二次撞击部件和显示屏；冲击锤高度测量部件由设置在机架上的位移传感器构成；冲击锤高度调整部件包括伸缩式连接杆和电推杆，冲击锤的后端固定在伸缩式连接杆的另一端；伸缩式连接杆上设有电磁继电器，电推杆的一端与机架铰接，另一端连接至电磁继电器；冲击锤速度测量部件包括光电门和挡光板，光电门设置在一升降杆上，挡光板固定在冲击锤上；防止二次撞击部件包括转动轴、刹车盘、刹车钳、刹车线和控制器。本发明能够提供较大的冲量，可以有效避免二次撞击，使用方便，成本较低，可用于多种目标物侧向冲击试验。
目标侧向冲击试验装置及其试验方法

[发明专利]一种新型大功率瓦式TR模块-CN202310062581.0有效
发明人：孙思成;李力力;王洪全;毛晨曦;周雨 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型大功率瓦式TR模块，从上至下依次包括盖板层、陶瓷围框层、射频芯片层、钼铜载板层和散热结构；盖板层上设置多个盖板，用于密封所述陶瓷围框层上对应的多个框孔；陶瓷围框层为采用高温共烧陶瓷工艺HTCC制成的HTCC围框，围框为多层结构，围框内部设置射频走线和控制走线，围框靠近盖板层的顶层边缘设置金属焊盘，射频芯片层设置维持射频电路正常性能所需器件或电路；散热结构上设置散热金属块，并设置射频连接器或绝缘子，用于传输射频信号至天线端。本发明较现有瓦式TR模块，体积更小、重量更轻、厚度更薄、能应用于更大功率需求场景中。
一种新型大功率 tr 模块

[发明专利]新型芯片集成封装结构-CN202310105380.4在审
发明人：孙思成;王康任;李力力;王洪全 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L23/053 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型芯片集成封装结构，包括：盖板层、盖板层下方的陶瓷腔体层；陶瓷腔体层内部设有载板层和射频芯片层；陶瓷腔体采用高温共烧陶瓷工艺HTCC，HTCC腔体内设置有多层台阶，用于提供载板支撑和金丝键合，射频和控制走线在台阶处通过金丝与射频芯片或控制芯片互连。射频芯片装配于HTCC腔体底板上，控制芯片装配于载板上，两种芯片之间的信号传输通过HTCC腔体中的走线连通。陶瓷腔体通过与金属盖板焊接实现密封，并通过植球的方式与外界进行信号传输和固定。本发明的新型芯片集成封装，可将多种模拟/数字芯片进行三维堆叠，减少占用系统尺寸，更有利于小型化应用，同时具有工艺简单、可操作性强等优点。
新型芯片集成封装结构

[发明专利]一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法-CN202211611941.X在审
发明人：孙思成;马阳;李力力;王洪全 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法，从上至下依次包括钼铜载板、裸芯片层、陶瓷基板、球状焊盘、金属盖板；裸芯片层位于钼铜载板的底部，球状焊盘设置在陶瓷基板底层，在陶瓷基板内侧设有多层台阶结构，台阶结构上的金属焊盘通过金丝与裸芯片层上的芯片互联；钼铜载板的上表面是整个封装结构的散热面。本发明结构中钼铜载板和陶瓷基板均有气密特性，并通过金属盖板的平行封焊完成整个结构腔体的气密。保证了该封装结构可以在湿热、烟雾、霉菌等恶劣环境下长期可靠的工作。裸片与基板采用共晶烧结可以将空洞率控制在30%以内，进一步提高导热及散热效果。
一种新型功耗芯片封装结构方法

[发明专利]一种铀矿石中稀土元素的前处理方法-CN202211062383.6在审
发明人：何欢;李力力;赵立飞;赵兴红 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铀矿石中稀土元素的前处理方法，采用NH4F代替HF使铀矿石得到充分溶解，处理后的样品溶液中未出现氟化物沉淀，从而避免了氟化物沉淀对稀土元素的载带；TRU树脂在特定浓度HNO3体系下吸附铀和稀土元素，而在特定浓度的HCl体系下对铀有强吸附而不吸附稀土元素，同时去除样品溶液中的铀和钡等杂质，大大降低了基体效应和记忆效应，得到稀土元素分离溶液用于ICP‑MS检测，最终铀矿石中各个稀土元素含量的检测绝对误差小于15％，相对标准偏差小于10％。本发明的前处理方法操作简单、产生废液少。
一种铀矿稀土元素处理方法

[发明专利]一种适用于车载的前视成像方法-CN202211180427.5在审
发明人：朱伟;李力力 -专利权人：成都华兴大地科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01S13/89 文献下载
摘要：本发明属于车载成像技术领域，具体的说是涉及一种适用于车载的前视成像方法。本发明将毫米波雷达与一维阵列天线成像技术相结合，采用在接收阵列两端分别放置1个发射天线，使一个周期内接收的信号个数为接收天线个数的2倍，由于阵列天线中的接收天线有N个阵元在方位向有不同位置，使目标反射波到各个阵元的距离不同，从而产生方位向多普勒频移，解决了传统SAR用于前视的左右模糊问题，实现对车体前方场景的实时、动态、高分辨率成像，突破视觉传感器与人眼的观测局限，毫米波雷达具有全天候、全天时的工作特性点，以提高平台在大雾、沙尘、黑夜等极端天气下，对前方的道路信息获取，确保车载平台在恶劣环境下的安全行驶。
一种适用于车载成像方法

[发明专利]一种天线座减速机自动装配调节装置及方法-CN202210937426.4在审
发明人： 李力力;邱保安;张柳;孙攀 -专利权人：中国电子科技集团公司第十四研究所
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种天线座减速机自动装配调节装置及方法，装置包括：基础平台、对位平移台、可调节支撑座、六自由度平台组件、三维调整摇臂、对位检测模块、合像水平仪、气动量仪、控制柜、减速机、小齿轮、大齿轮、底座、垫板组件；通过测量模块检测小齿轮与方位大齿轮的中心距及轴线平行度，采用六自由度平台来实现减速箱以及齿轮副的快速安装和自动精确调节。
一种天线减速自动装配调节装置方法

[发明专利]一种252-CN202210987001.4在审
发明人：吕学升;刘国荣;李力力;赵永刚 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种252Cf源年龄的估算方法，以较为方便地对252Cf源年龄的进行估算，涉及核技术领域。该方法包括获取252Cf源中的第一核素的总和的放射性活度A11，与252Cf源中的第二核素的总和的放射性活度A12；根据252Cf源中的由至少一种核素自发裂变产生的第一核素的总和的放射性活度A21与252Cf源年龄t之间的关系，和第二核素的总和的放射性活度A22与t之间的关系，并令A21＝A11，A22＝A12，计算t；其中，至少一种核素中的任一种核素均具有一种与第一核素种类相同的长寿命裂变产物，和与第二核素种类相同的短寿命裂变产物，至少一种核素至少包括252Cf，第二核素为138Cs为136I中的任意一个。该方法用于估算252Cf源的年龄。
一种 base sup 252

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