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[发明专利]空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法-CN202011105613.3有效
发明人：张文龙;杨楚宏;淮赛男;郑亚锐;张胜誉;冯加贵;熊康林;武彪;黄永丹;陈肖;丁孙安 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本实施例提供了一种空桥结构及其制作方法、超导量子芯片及其制作方法。该空桥结构及其制作方法利用无机材料来形成桥撑结构，能够通过调整第一光刻胶结构来调整桥撑结构的形状，从而获得形状符合预期的空桥结构；而且形成桥撑结构的过程的温度不会过高，能够避免高温引起的光刻胶性质改变而难以去除的问题，也能够避免高温对温度敏感器件的性质产生影响，同时，采用剥离第二光刻胶结构的方式来获得空桥结构，不必对空桥材料层进行刻蚀，防止底部的空桥结构的情况发生，能够有效改善含有空桥结构的产品的性能。
结构及其制作方法超导量子芯片

[发明专利]滤波屏蔽装置及防杂散光干扰的量子处理系统-CN202010334671.7有效
发明人：孙骏逸;熊康林;陆晓鸣;黄永丹;冯加贵;武彪;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明提供了滤波屏蔽装置及防杂散光干扰的量子处理系统，其中，所述滤波屏蔽装置包括合围形成有内部容纳空间的滤波屏蔽外壳，所述滤波屏蔽外壳包括叠层设置的第一偏振层和第二偏振层，第一偏振层的偏振方向与所述第二偏振层的偏振方向相互垂直。所述滤波屏蔽装置基于偏振滤光原理实现了对杂散光的屏蔽作用，特别是针对量子线路的红外杂散光干扰尤为有效，而不同于设置杂散光吸收材料层的现有技术方案，偏振层并不需要通过增加厚度的方式来提高屏蔽效果，避免了增大线路的整体体积；滤波屏蔽装置与内部容纳空间中的容纳物相对独立，不需要在线路表面通过涂覆等工艺设置屏蔽层，避免直接影响线路，也因此可以应用于对大部分元器件直接进行屏蔽。
滤波屏蔽装置散光干扰量子处理系统

[发明专利]半导体材料的阴极荧光成像测试方法-CN201910029166.9有效
发明人：许蕾蕾;黄增立;刘通;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-01-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体材料的阴极荧光成像测试方法，其包括：制备待测的半导体材料样品；应用聚焦离子束切割工艺对所述半导体材料样品进行切割，形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品；在具有阴极荧光光谱仪的扫描电子显微镜中对所述测试样品进行阴极荧光成像测试。本发明将待测样品切割为厚度为纳米尺寸量级的测试样品(透射电子显微镜(TEM)超薄样品)在扫描电子显微镜(SEM)中进行阴极荧光成像测试，可以提升使用SEM设备进行阴极荧光成像的空间分辨率。
半导体材料阴极荧光成像测试方法

[发明专利]超高真空样品转移设备及转移方法-CN201910871823.4有效
发明人：陈志敏;丁孙安;李坊森;陆晓鸣;芮芳;凌小伦;王利;陈爱喜 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空样品转移设备及转移方法，属于材料测试技术领域。该转移设备包括转移主体和辅助装置，转移主体包括用于放置样品的进样室和真空装置，进样室两端分别安装有第一阀门和第二阀门；辅助装置包括波纹管、传样装置和冷却装置，波纹管的一端与传样装置连通，另一端与进样室通过第一阀门连通或断开，传样装置能够抓取进样室内的样品并送至目标腔室内，冷却装置能够同时与进样室通过第二阀门连通或断开，与目标腔室连通，与移动泵组通过第三阀门连通，冷却装置设置有注液口和放空口。转移主体与冷却装置可分开运输，冷却装置内部流通液氮，可降至液氮温度，水汽吸附在内壁上，传递过程中样品不受污染。
超高真空样品转移设备方法

[发明专利]空穴型SrTiO3-CN202110699831.2在审
发明人：彭坤;李坊森;王利;陈爱喜;王鹏栋;任伟;方鑫伟;陆晓鸣;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种空穴型SrTiO3材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括：于真空条件下对n型掺杂的SrTiO3材料进行除气；以Se对除气后的n型掺杂的SrTiO3材料进行表面处理，以形成原子级平整的重构表面；除去n型掺杂的SrTiO3材料表面的Se，并以Sr对n型掺杂的SrTiO3材料进行处理，从而获得p型掺杂的SrTiO3材料。本发明实施例提供的一种空穴型SrTiO3材料的制备方法，工艺流程简单，所获得的空穴型掺杂材料具有较好的高温稳定性，为后续的高温生长及样品退火提供了条件。
空穴 srtio base sub

[发明专利]超高真空样品转移设备及转移方法-CN201910872736.0有效
发明人：陈志敏;丁孙安;李坊森;陆晓鸣;芮芳;凌小伦;王利;陈爱喜 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01N35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高真空样品转移设备及转移方法，属于材料测试技术领域。该转移设备包括可拆卸连接的转移主体和辅助装置，转移主体包括进样室和真空装置，进样室两端分别安装有第一阀门和第二阀门；辅助装置包括第一冷却波纹管、第二冷却波纹管和传样装置，第一冷却波纹管的一端与传样装置连通，另一端与进样室通过第一阀门连通或断开，第二冷却波纹管的一端与进样室通过第二阀门连通或断开，另一端能够同时与目标腔室通过第三阀门连通，与传样装置连通，与移动泵组连通，第一冷却波纹管和第二冷却波纹管外周均设有冷却部件，传样装置能够抓取进样室内的样品并送至目标腔室。本发明保证了超真空环境，避免样品转移过程中被污染。
超高真空样品转移设备方法

[发明专利]一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置-CN201910937227.1有效
发明人：冯加贵;武彪;熊康林;孙骏逸;黄永丹;丁孙安;陆晓鸣;芮芳 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G01N27/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置，该二能级缺陷空间分布的测量方法包括：对超导量子比特施加偏置磁场，并获取所述超导量子比特的频率‑偏置磁通的关系曲线；通过二能级缺陷空间分布的测量装置的扫描探针输出的局域扫描电场对超导量子比特表面逐点扫描；若所述超导量子比特的频率随着时间的变换存在震荡变化，则所述扫描探针所处扫描点存在二能级缺陷。本实施例提供一种二能级缺陷空间分布的测量方法及测量装置，以表征超导量子芯片中的二能级缺陷的空间分布情况。
一种能级缺陷空间分布测量方法测量装置

[发明专利]一种氢气等离子体调控β-氧化镓表面能带弯曲的方法-CN202211034916.X在审
发明人：曾晓宏;李政成;伍莹;何高航;丁孙安;冯博渊 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开的一种氢气等离子体调控β‑氧化镓表面能带弯曲的方法，通过在真空下对所述β‑Ga2O3进行解理，研究本征的β‑Ga2O3的能带情况；同时，所述氢气等离子体调控β‑氧化镓表面能带弯曲的方法的H2Plasma处理和真空退火处理(RTA)都是基于超高真空条件下的，并且通过真空转移装置转移到各项表征设备中，维持了样品表面原子层级的干净，有效避免了在处理和转移过程中杂质的干扰；同时，通过H2等离子体处理能够降低原始能带弯曲，然后通过快速退火处理能够将能带弯曲恢复到未进行H2等离子体处理的状态，此时还可继续通过O2气氛退火进一步补充氧空位，调节能带弯曲。
一种氢气等离子体调控氧化表面能带弯曲方法

[发明专利]基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法-CN202010152443.8有效
发明人：张文龙;杨楚宏;郑亚锐;张胜誉;冯加贵;熊康林;丁孙安 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G03F7/095 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法。该图形化方法为使用单种光刻胶制备出底切结构的工艺，仅使用单一的光刻胶，制备出第一层光刻胶膜厚可控的双层胶膜，单次显影后第一层光刻胶形成包括底胶的底切结构；对第二层光刻胶的第二通槽对应的底胶和第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的第二通槽所正对的衬底，形成沉积层后，使用单种去胶剥离液即可达到完全剥离的效果。本实施例提供的图形化方法，使得后续剥离操作较为简单且剥离效果好，且获得的具有预设图形的待沉积结构的实际尺寸与定义尺寸一致。
基于光刻多层胶膜图形方法及其剥离

[发明专利]一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用-CN202110369810.4有效
发明人：武彪;冯加贵;熊康林;陈建;孙骏逸;黄永丹;朱博杰;丁孙安;陆晓鸣 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括：将Si(111)衬底依次进行有机清洗、RCA1清洗、RCA2清洗、piranha溶液清洗及HF清洗，获得预处理后的Si(111)衬底；在真空条件下，将所述预处理后的Si(111)衬底置于分子束外延装置中表面处理，采用分子束外延技术在所述Si(111)衬底表面生长铝单晶薄膜，获得大面积铝单晶薄膜。本发明制备的Si(111)/Al单晶薄膜，与Si衬底传统工艺相比，实现了大面积Al单晶薄膜，没有孪晶，更可明显减少Si/Al界面C、H、O杂质含量，将谐振器本征品质因子提升到106，有助于制备高质量超导量子比特或超导量子计算机。
一种大面积铝单晶薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种超导薄膜及其制备方法-CN201910854934.4有效
发明人：冯加贵;熊康林;丁孙安;武彪;孙骏逸;黄永丹;陆晓鸣;芮芳 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导薄膜及其制备方法，其中，超导薄膜的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成刻蚀保护层，并在所述刻蚀保护层上形成掩膜图形；将所述刻蚀保护层作为掩膜，在所述衬底靠近所述刻蚀保护层的一侧沉积超导薄膜层，所述超导薄膜层包括图形化结构，所述图形化结构与所述掩膜图形一致。本发明提供了一种超导薄膜及其制备方法，以解决现有的超导薄膜制备出来的超导波导在不同位置的品质因子相差较大的问题。
一种超导薄膜及其制备方法

[发明专利]n型氧化镓Si掺杂的方法和n型氧化镓Si掺杂材料-CN202210048361.8在审
发明人：何高航;冯博渊;李政成;伍莹;丁孙安 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/383 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及n型氧化镓Si掺杂的方法和n型氧化镓Si掺杂材料。n型氧化镓Si掺杂的方法包括：在基片上外延生长形成氧化镓薄膜的过程中，采用电子束蒸发掺杂Si。该方法可实现硅的连续掺杂，且硅的掺杂比例连续可调，硅元素在形成的材料内均匀分布，同时，该工艺重复性高，制备的材料尺寸不受限制，可以实现工业化生产。
氧化 si 掺杂方法材料

[发明专利]微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法-CN201810601158.2有效
发明人：刘通;黄增立;许蕾蕾;赵弇斐;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种微米级颗粒透射电子显微镜样品的制备方法，其包括在聚焦离子束‑扫描电镜双束系统中进行的以下工艺：选取待测的微米尺寸量级的样品颗粒；应用离子束沉积工艺在所述样品颗粒的外表面沉积第一材料，形成包覆所述样品颗粒的保护层；将包覆有保护层的所述样品颗粒焊接到样品载网上；应用离子束切割工艺对包覆有保护层的所述样品颗粒进行切割，在所述样品载网上形成厚度为纳米尺寸量级的测试样品。该方法可以简化微米级颗粒透射电子显微镜样品的制样过程，提升了制样速度，并且提高了制样的成功率。
微米颗粒透射电子显微镜样品制备方法

[发明专利]一种利用光电子能谱测量能带弯曲的方法和装置-CN201910430691.1有效
发明人：赵弇斐;丁孙安 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01N23/2273 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光电子能谱测量能带弯曲的方法和装置。此方法包括：获取待测样品在N个不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱；N为整数且N≥4；根据芯能级光电子能谱与对应的光电子发射角的理论关系、光电子发射角与对应的积分深度的理论关系以及各不同光电子发射角下的芯能级光电子能谱分别获取N个不同积分深度对应的能级取值；光电子发射角与积分深度一一对应；根据能级取值与积分深度的理论关系、N个积分深度以及各积分深度对应的能级取值，拟合得到表层芯能级；表层芯能级为积分深度为0时对应的芯能级；根据能带弯曲与表层芯能级的理论关系以及表层芯能级的取值，得到待测样品的能带弯曲的大小。由此，可提高能带弯曲的测量精度。
一种利用光电子测量能带弯曲方法装置

[发明专利]加热架互联组件及转移真空样品托-CN202010633561.0在审
发明人：陈志敏;丁孙安;陆晓鸣;李坊森;王利;何高航;芮芳;陈爱喜 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01Q60/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种加热架互联组件，包括小样品托、两个电极片以及固定件，小样品托为绝缘体，其上表面用于承载样品；两个电极片相互间隔设置，每个电极片的第一端由至少一个固定件固定在小样品托上且接触样品，每个电极片的第二端伸出小样品托外，以在小样品托安装到样品托上后接触样品托上的不同的电极。本发明还公开了具有加热架互联组件的转移真空样品托。本发明可利用加热架互联组件的小样品托承载样品，并在小样品托安装到样品托上后，利用其电极片与各种样品托上对应的电极的电极接触块接触而导通，从而对小样品托上的样品进行加热，可以兼容超低温扫描隧道显微镜和四探针扫描隧道显微镜，实现两种样品的互联实验及直流加热的互联。
加热联组转移真空样品

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