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[发明专利]一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法-CN201110097428.9有效
发明人：陈乾旺;李牣 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：一种高度有序的单晶金属纳米线阵列的制备方法，在有或无磁场诱导下利用氧化铝模板底层残留的铝还原电极电位高于铝的金属的盐溶液，当在磁场诱导时在较低温度(120-180℃)的溶剂热条件下合成单晶金属纳米线阵列该单晶金属纳米线阵列的优点在于：高度有序、直径和周期可控、良好的磁各向异性；良好的磁各向异性使得此纳米阵列在高密度磁存储介质材料方面有良好的应用前景。
一种基于氧化铝模板金属纳米阵列制备方法

[发明专利]一种单晶涡轮导向叶片裂纹钎焊修复前的表面清理方法-CN201811306216.5在审
发明人：张元伟;赵海生;毛唯;张学军;潘晖;程耀永;熊华平 -专利权人：中国航发北京航空材料研究院
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： B23K1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶涡轮导向叶片裂纹钎焊修复前的表面清理方法，其特征在于采用物理和化学相结合的方法去除叶片表面积碳层和渗铝层，去除裂纹表面氧化膜，为最终的钎焊修复提供洁净表面，该方法的步骤包括：(1)吹砂处理、(2)化学清洗、(3)渗铝涂层退除、(4)气相氟离子清理和(5)真空净化处理。本发明的表面清理方法适用于表面渗铝的单晶高温合金涡轮导向叶片，经本发明清理后的叶片钎焊修复效果良好，并且修复后的叶片基体无再结晶，解决了单晶高温合金涡轮导向叶片无再结晶修复的表面清理技术难题，具有显著的创新性
涡轮导向叶片表面清理修复钎焊单晶高温合金再结晶单晶去除叶片表面积碳表面渗铝化学清洗技术难题洁净表面裂纹表面渗铝涂层叶片基体真空净化创新性氟离子渗铝层氧化膜吹砂

[发明专利]一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺-CN202111546460.0在审
发明人：芦宇辰;熊定康;陈龙;侯晶文;邓文;徐守磊;张群跃;黄彬;杨煜华 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用光学浮区法制备铝酸锶单晶体的工艺，配料：将原料SrCO3、Al2O3单晶体的生长；退火处理：将生长出的单晶体置于高温炉中进行退火处理以消除残余应力，光学基质材料铝酸锶熔点高达1500摄氏度以上，采用光学浮区法成功生长出无色、透明、大尺寸的高质量铝酸锶单晶，为长余辉基质材料带来了新的进展
一种采用光学法制备铝酸锶单晶体工艺

[发明专利]一种高温高压下铝掺杂及高含水铬铁矿单晶的制备方法-CN202211604262.X在审
发明人：胡海英;代立东 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下铝掺杂及高含水铬铁矿单晶的制备方法，所述方法包括：以固态的三角形碳酸亚铁晶体、固态的碱性乙酸铬结晶粉末、固态的双硬脂酸铝粉末、固态的草酸粉末、固态的α相针铁矿粉末、固态的氢氧化铝粉末和液态的稀硝酸作为起始原料制备出圆柱体铬铁矿样品；以4:1重量比将α相针铁矿粉末和氢氧化铝粉末制备成两片水源片；将两片水源片放置在圆柱体铬铁矿样品两端并放入双囊结构样品仓内进行高温高压反应得到铬铁矿单晶；解决了高温高压条件下铝掺杂的和高含水的铬铁矿大颗粒单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的铝掺杂的和高含水的铬铁矿单晶的实验样品。
一种高温压下掺杂含水铬铁矿制备方法

[发明专利]C8-BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8-BTBT单晶膜的有机场效应晶体管-CN201911032433.4有效
发明人：汪涛;胡文平;张小涛;任晓辰;牟麒;席悦 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H10K71/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种C8‑BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8‑BTBT单晶膜的有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：在载玻片上热蒸镀铝，形成铝层，对铝层采用阳极氧化方法，以使铝层形成一氧化铝层；将氧化铝层加热至位于刮刀底端的刀刃与氧化铝层的上表面的距离为5‑20微米，在刮刀和氧化铝层之间滴加有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或载玻片，以使氧化铝层和刮刀发生相对移动，在刀刃经过的氧化铝层上得到C8‑BTBT单晶膜本发明所得C8‑BTBT单晶膜进一步提升有机场效应晶体管的迁移率，而且降低了器件的亚阈值摆幅。
c8 btbt 单晶膜及其制备方法基于有机场效应晶体管

[实用新型]光伏电池组件-CN201521035314.1有效
发明人：李光兵;李明玥 -专利权人：重庆光煦科技有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H02S40/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏电池组件，其特征在于：包括箱体结构、薄膜太阳能电池、凸透镜、单晶硅太阳能电池片、弧形反射铝层以及锂离子电池，所述箱体结构为长方体空心结构，所述箱体结构为玻璃材质，所述薄膜太阳能电池安装在所述箱体结构的顶部，所述单晶硅太阳能电池片位于所述箱体结构内，所述单晶硅太阳能电池片位于所述凸透镜的正下方，所述弧形反射铝层安装在所述箱体结构内，所述弧形反射铝层位于所述单晶硅太阳能电池片的正下方，所述锂离子电池位于所述箱体结构内
电池组件

[发明专利]一种铜微合金单晶键合丝及其制备方法-CN201911082333.2在审
发明人：刘志平;姜许;李晓 -专利权人：木林森股份有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明属于微电子后道封装工序技术领域，具体公开铜微合金单晶键合丝及其制备方法。该铜微合金单晶键合丝，包括以下成分：铝、锡、锌、磷及铜，其中，上述组分含量按照以下质量比：铝0.0001％‑0.0006％，锡0.0002％‑0.0008％，锌0.0005％‑0.00015％，磷0.0003其制备流程为：单晶铜微合金铸造、制备铸态单晶母线、粗拔、热处理、精拔、表面清洗、分卷及包装工序。本发明的铜微合金单晶键合丝，通过微量元素的添加，可以提高铜的力学性能和抗氧化性能，从而可以有效提升铜的焊接及使用性能；而且，由于以上元素的熔点均低于铜的熔点，熔铸过程中对设备温度上限要求低，能耗小，利于降低生产成本
微合金单晶键合丝制备熔点微量元素抗氧化性能热处理包装工序表面清洗工序技术力学性能使用性能温度上限单晶铜对设备质量比单晶分卷母线铸态微电子封装焊接熔铸能耗铸造储量

[发明专利]一种扩散法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法-CN201510549215.3有效
发明人：唐立丹;王冰;赵斌;齐锦刚;彭淑静 -专利权人：辽宁工业大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种扩散法制备高浓度梯度AZO单晶导电薄膜的方法，以单晶硅作为基片，使用的靶材为ZnO靶和Al靶，采用磁控溅射法室温下在单晶硅基片上交替进行AZO层和ZnO层溅射沉积，溅射沉积时靶材的功率保持不变，通过定时调节Al靶材挡板来控制Al元素沉积，每次铝靶挡板打开前ZnO靶单独溅射的时间不断增加，ZnO靶单独溅射完成后，打开铝挡板，开始Al靶和ZnO靶共溅射，沉积完成后，进行退火处理，制得梯度AZO薄膜。优点是工艺简单，成本低廉，过程容易控制，扩散法制备的梯度AZO单晶薄膜，梯度掺杂浓度梯度变化大、梯度均匀、结晶质量高、单晶性能好、薄膜表面平整，导电性能优良，适合作为薄膜太阳能电池钝化层。
一种扩散法制浓度梯度 azo 导电薄膜方法

[发明专利]一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法-CN202010817201.6有效
发明人：马淑龙;马飞;王治峰;康剑;周伟;丛江波;孙艳粉;孔祥魁;张积礼;倪高金 -专利权人：北京金隅通达耐火技术有限公司;巩义通达中原耐火技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法。主要包括以下原料：单晶相莫石均质料70‑90％，蓝晶石粉5‑27％，活性ρ‑Al2O3粉3‑7％；外加占上述原料总重量本发明创新性的将单晶莫来石与蓝晶石细粉及活性ρ‑Al2O3相结合，制备得到单晶相莫来石。该单晶相莫来石无刚玉相和石英相的存在，其铝含量接近焦宝石的铝含量，但是结构更加致密，并且无石英相存在，具有耐火度高、膨胀系数低、耐磨损、抗热震稳定性优良，在水泥窑中使用，能够大大延长水泥窑的使用寿命。
一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法

[发明专利]去除硅单晶中重金属杂质的方法-CN99117832.7无效
发明人：季振国;樊瑞新;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 1999-08-23 - 公布日： 2001-02-28 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开的去除硅单晶中重金属杂质的方法,是利用铁、铜、金等有害重金属在金属熔体中的溶解度远大于在硅单晶中溶解度的特点,把硅单晶浸入熔化的对硅单晶载流子寿命无影响的高纯锡或镓或铝或铟或铅或它们的组合的金属熔体中,使硅单晶中的有害重金属杂质扩散到金属熔体中,而实现彻底去除硅单晶中重金属杂质之目的,该方法设备简便,操作方便。
去除硅单晶中重金属杂质方法

[发明专利]一种光探测器-CN200810104505.7有效
发明人：刘昊;赵嵩卿;周娜;赵卉;高磊;王爱军;赵昆 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2008-04-21 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：该光探测器包括：光传感器；连接所述光传感器的第一电极和第二电极；以及第一电极引线和第二电极引线，该第一电极引线和第二电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，另一端作为输出端；所述光传感器的光响应材料为铝酸锶镧单晶片、铝酸锶镧单晶薄膜或铝酸锶镧多晶薄膜，所述单晶薄膜或多晶薄膜制备在基底上。
一种探测器

[发明专利]一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺-CN201110390840.X无效
发明人：沈辉;刘超;梁齐兵 -专利权人：中山大学
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池技术领域，具体公开一种全背电极铝背结太阳电池制作工艺，其步骤是：(1)选用n型单晶硅片并对n型单晶硅片制绒；(2)在单晶硅片前后表面制备n+层；(3)制备SiNx减反射薄膜；(4)通过激光开槽选择性刻去SiNx和n+层并去除激光工艺带来的机械损伤；(5)制备银电极和铝电极及银铝焊接点；(6)通过烧结形成铝背结和欧姆接触。
一种电极铝背结太阳电池制作工艺

[发明专利]单晶金属氧化物等离子体室部件-CN202080076017.9在审
发明人：许临;道格拉斯·德特尔特;约翰·多尔蒂;潘卡基·哈扎里卡;萨蒂什·斯里尼瓦桑;纳什·W·安德森;约翰·迈克尔·克恩斯;罗宾·科什伊;大卫·约瑟夫·韦策尔;刘磊;埃里克·A·派普 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理室的部件包含单晶金属氧化物材料。该等离子体处理室具有该部件的面向等离子体的至少一个表面。该部件可以由单晶金属氧化物锭机械加工而成。合适的单晶金属氧化物包括尖晶石、钇氧化物和钇铝石榴石(YAG)。可以机械加工单晶金属氧化物以形成等离子体处理室的气体注入器。
金属氧化物等离子体部件

[发明专利]生产单晶氧氮化铌膜的方法和在单晶氧氮化铌膜上产生氢气的方法-CN201580002747.3在审
发明人：菊地谅介;野村幸生;羽藤一仁;田村聪;藏渕孝浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-10-06 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种生产适合用于氢气发生装置的单晶氧氮化铌膜的方法。本发明提供一种生产单晶氧氮化铌膜的方法，所述单晶氧氮化铌膜是由化学式NbON表示的氧氮化铌形成的；此方法包括：(a)在选自经氧化钇稳定的氧化锆基材、氧化钛基材和钇‑铝复合氧化物基材的一种基材上外延生长单晶氧氮化铌膜
生产单晶氧氮化方法铌膜上产生氢气

[发明专利]一种光伏组件-CN201210102263.4无效
发明人：周锐敏;魏晨星 -专利权人：中电电气（上海）太阳能科技有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L31/0384 文献下载
摘要：本发明涉及一种光伏组件，包括铝边框和设在铝边框上组件主体，所述的组件主体由钢化玻璃、第一层封装材料、电池组、第二层封装材料和背板组成，所述的钢化玻璃通过第一层封装材料与电池组粘合，电池组通过第二层封装材料与背板粘合，所述的电池组由多个类单晶电池片组并联而成，所述的类单晶电池片组由多个类单晶电池片串联而成。
一种组件