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[发明专利]铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法-CN202011415347.4在审
发明人：周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明提供一种铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在支撑晶圆上依次制备介质层和铌酸锂薄层；对介质层与铌酸锂薄层之间的键合界面进行缺陷检测；分析并记录二维尺寸大于预先设定值的缺陷的位置；在缺陷的周围设置隔离槽，隔离槽在周向上包围缺陷，隔离槽的深度大于或等于铌酸锂薄层的厚度通过该制作方法制作的铌酸锂单晶薄膜芯片不仅能够有效地防止缺陷的扩大和扩散，而且能够有效地释放大片铌酸锂薄层在晶圆上的应力积累。
铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法

[发明专利]一种低差模增益的少模光参量放大器-CN202310404220.X在审
发明人：李朝晖;彭苑强;吕超 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：在该少模光参量放大器中，薄膜铌酸锂芯层、过渡层和基底从上至下依次层叠设置，通过对薄膜铌酸锂芯层进行预设的周期极化，补偿多个模间差频过程中的相位失配，在薄膜铌酸锂芯层制备并获得多极化周期薄膜铌酸锂光波导；将泵浦光和信号光注入至多极化周期薄膜铌酸锂光波导，基于二阶非线性差频效应，多极化周期薄膜铌酸锂光波导在单一模式泵浦光的作用下将信号光的多个信号光模式的光参量放大、并产生与信号光的模式一致的闲频光。
一种低差模增益少模光参量放大器

[实用新型]一种小型化的铌酸锂光器件-CN202120511006.0有效
发明人：张洪涛;郑名扬;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化的铌酸锂光器件，其包括激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块、探测器芯片模块以及封装外壳。其中，激光器芯片模块用于产生和输出激光信号；铌酸锂薄膜调制器芯片模块用于对激光信号进行调制；探测器芯片模块设于激光器芯片模块后方，用于接收和探测激光器芯片模块的后向出射光；并且，激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块和探测器芯片模块集成封装于封装外壳内，且该封装外壳被设置用于实现铌酸锂光器件的电气和光学连接。
一种小型化铌酸锂光器件

[发明专利]T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法-CN202210207940.2有效
发明人：刘柳;陈斌;陈耿鑫;王迈 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种T结构电极背面光纤连接的硅基薄膜铌酸锂调制器及方法。包括层叠的衬底、埋氧层、铌酸锂层和包层，铌酸锂层上形成薄膜铌酸锂光波导，薄膜铌酸锂光波导包含输入输出光栅耦合器、两个分束器和马赫曾德尔结构；马赫曾德尔结构的包层上设T结构金属电极、金属行波信号电极和金属行波接地电极光栅耦合器的包层上设有金属反射镜，光纤从芯片背面连接光栅耦合器，因此铌酸锂调制器可倒装焊接于芯片底座上，本发明首次在硅基衬底下同时实现了超低功耗，超大电光带宽的薄膜铌酸锂电光调制器。
结构电极背面光纤连接薄膜铌酸锂调制器方法

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜脊型波导的偏振分束器-CN202310312229.8有效
发明人：杨志远;王喜娜;焦旭峰;汪斌;郑名扬;刘洋;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明适用于量子光学和量子信息技术领域，尤其涉及一种基于铌酸锂薄膜脊型波导的偏振分束器。偏振分束器包括：用于连接泵浦光源以及输出TM模偏振光的第一铌酸锂薄膜脊型波导；与第一铌酸锂薄膜脊型波导平行设置，且用于输出TE模偏振光的第二铌酸锂薄膜脊型波导；N条脊型波导，N≥1，N条脊型波导均设置在第一和第二铌酸锂薄膜脊型波导之间，且N条脊型波导的光传输方向处于第一铌酸锂薄膜脊型波导和第二铌酸锂薄膜脊型波导的光传输方向的平面内；其中，第i条脊型波导的距离差值为Δd
一种基于铌酸锂薄膜波导偏振分束器

[发明专利]一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法-CN201910442488.6在审
发明人：张岩;江钧 -专利权人：上海浦睿信息科技有限公司
申请日： 2019-05-25 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，包括以下步骤：在衬底上单晶薄膜表面形成通孔窗口图形掩膜层；通过窗口刻蚀单晶薄膜；去除图形掩膜层，得到刻蚀了通孔图形的单晶薄膜；该方法与主流的简单粗放地采用传统刻蚀铌酸锂条形不同，而是通过具有高刻蚀选择比的掩膜层来高精密地刻蚀穿孔铌酸锂薄膜，且可与下层衬底金属互联，实现衬底与铌酸锂集成和控制；为铌酸锂基器件与下层衬底进一步电气连接提供重要技术性基础。
衬底刻蚀单晶薄膜掩膜层铌酸锂通孔下层表面形成通孔刻蚀选择比铌酸锂薄膜窗口图形电气连接通孔图形图形掩膜铌酸锂基高精密穿孔去除互联金属主流

[发明专利]一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器及其制造方法-CN201810421806.6在审
发明人：华平壤;陈朝夕;许晴 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器及其制造方法，包括输入光纤、输出光纤、基底、三个缓冲层、两层电极；从所述基底(1)往上依次为所述二氧化硅下缓冲层(2)和所述下层金电极(3)，所述下层金电极(3)之上再设置铌酸锂薄膜(5)，所述铌酸锂薄膜(5)的+X向表面中间、沿晶体的Z方向设置钛扩散铌酸锂条波导(6)；所述二氧化硅上缓冲层(7)设置于铌酸锂薄膜(5)的上表面；所述上层金电极(8)设置于所述二氧化硅上缓冲层(7)的上表面；所述输入光纤、输出光纤分别与耦合封装在钛扩散铌酸锂条波导(6)上。
铌酸锂薄膜钛扩散二氧化硅金电极铌酸锂条波导偏振控制器上缓冲层输出光纤输入光纤上表面基底下层机械性能制造方向设置介电常数生产难度下缓冲层耦合封装成品率缓冲层晶体的抗腐蚀耐高温折射率电极两层上层

[发明专利]片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法-CN202110427472.5在审
发明人：张磊;杨林;付鑫;杨尚霖;戴进成 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法，片上铌酸锂薄膜偏振分集器包括铌酸锂薄膜，并包括：加载型波导与铌酸锂波导；其中，所述加载型波导包括：用作偏振光的传输端口的第一端口与第二端口；第一加载型波导段，通过第一波导连接段与第一端口连接本发明通过在偏振光入射方向并列设置加载型波导和铌酸锂波导，实现TM模式偏振光与TE模式偏振光不发生耦合；通过对纳米线尺寸参数的设计实现将TM模式偏振光转换为TE模式偏振光，最终消除偏振光的双折射现象，实现片上铌酸锂薄膜偏振分集器的偏振分集功能
片上铌酸锂薄膜偏振分集及其制备方法

[发明专利]一种新型推挽式高效宽带声光调制器及其制备方法-CN202210491356.4在审
发明人：万磊;周文丰;温美逊;江建滔;罗杨 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型推挽式高效宽带声光调制器及其制备方法，所述声光调制器包括基片以及设置在基片上的铌酸锂‑硫系玻璃异质层和铌酸锂薄膜上的叉指换能器；铌酸锂‑硫系玻璃异质层包括铌酸锂薄膜以及铌酸锂薄膜上异质集成的硫系光波导；铌酸锂薄膜上设置的叉指换能器包括若干个叉指电极，叉指换能器采用聚焦型叉指换能器或长度不等的双电极叉指换能器。
一种新型推挽式高效宽带声光调制器及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法-CN202310283928.4在审
发明人：吴立枢;钱广;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铌酸锂薄膜和磷化铟基光电外延片集成方法，包括以下步骤：样品准备：清洗自下而上包含衬底层、介质层和铌酸锂层的铌酸锂薄膜和自下而上包括磷化铟衬底层和磷化铟外延功能层的磷化铟基光电外延片；第一键合：使用临时粘合材料将磷化铟基光电外延片的磷化铟外延功能层正面与临时载片进行第一键合；衬底去除：去除磷化铟基光电外延片的衬底层；第二键合：将铌酸锂薄膜的铌酸锂层正面与磷化铟外延功能层的磷化铟外延功能层背面通过键合材料进行第二键合本申请避免了铌酸锂薄膜上生长磷化铟外延片导致的晶格失配和缺陷密度高的问题。
一种铌酸锂薄膜磷化光电外延集成方法

[发明专利]一种低杂波铌酸锂薄膜声表面波滤波器及其制备方法-CN202210788708.2在审
发明人：李桦林;马晋毅;米佳;陈正林;陈彦光;唐盘良 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种低杂波铌酸锂薄膜声表面波滤波器及其制备方法；该方法包括：支撑衬底、介质层、铌酸锂薄膜和叉指换能器；所述介质层包括介电薄膜层和预埋介电材料，预埋介电材料嵌入设置在铌酸锂薄膜内部且呈周期性分布，介电薄膜层设置在支撑衬底和铌酸锂薄膜之间，且介电薄膜层和预埋介电材料相邻；本发明通过在压电薄膜层即介电薄膜层中内埋介电材料，抑制杂波信号，降低宽带单晶薄膜声表面波滤波器通带的杂波干扰，提升滤波器通带平坦度，实现单晶薄膜声表面波滤波器整体性能提升，实用性高。
一种低杂波铌酸锂薄膜表面波滤波器及其制备方法

[发明专利]一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法-CN202111352850.4在审
发明人：韩智勇;郑姗姗;李真宇;刘亚明;孔霞;陈明珠;姜传晓 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本申请公开的一种基于离子注入的黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法，利用离子注入技术，先将剥离离子注入铌酸锂或钽酸锂晶圆内，然后将还原性离子注入到铌酸锂或钽酸锂晶圆的薄膜层内，经过键合、热处理步骤后，剥离离子注入使得键合体在分离层断开分离，还原性离子注入会占据薄膜层中原本更高价态离子的格点，增加铌酸锂或钽酸锂晶体中的氧空位浓度，使单晶薄膜内的载流子浓度提升，进而提高单晶薄膜的电导率，降低电阻率，随后对单晶薄膜进行退火修复，能够有效降低复合薄膜的热释电效应
一种基于离子注入黑化单晶压电复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法-CN202011525028.9在审
发明人：陈志辉;魏骏 -专利权人：上海复存信息科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法，具体方法包括以下步骤，S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面；S2，在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层；S3，将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中，在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理，退火处理完成后，使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃；S4，将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡，然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层，最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合，适合规模化生产，且各步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，并可通过精确调节工艺设备参数，可以精确得到不同表面导电性的铌酸锂晶体表面。
一种实现铌酸锂晶体表面导电制备方法

[发明专利]掺铒铌酸锂薄膜光波导放大器及其制备方法-CN202310180821.7在审
发明人：胡祺悦;程亚;张海粟;方致伟;刘招祥 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒铌酸锂薄膜光波导放大器及其制备方法，利用飞秒激光加工结合化学机械抛光技术在铌酸锂薄膜中形成光子结构，进而实现铌酸锂光波导放大器。本发明提出的铌酸锂光波导放大器具有空间形状可任意设计、尺寸可调、可大规模集成的特点，在高速光通信，光计算和微波光子学等高科技领域都具有广阔的应用前景，为铌酸锂平台上各种有源和无源光子组件的单片集成铺平了道路
掺铒铌酸锂薄膜波导放大器及其制备方法

[发明专利]基于铌酸锂薄膜的同相正交调制器及其制备方法-CN201811204697.9有效
发明人：蔡鑫伦;简健 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂的同相正交调制器，包括衬底、铌酸锂薄膜、铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构；所述铌酸锂薄膜键合于衬底上，所述铌酸锂光波导、1×2光学分束器、马赫曾德尔调制器、90°偏置结构均设置在铌酸锂薄膜上；所述光束通过1×2光学分束器分出两支光束，两支光束分别通过不同的马赫曾德尔调制器，马赫曾德尔调制器输出端输出两支光束，其中一支光束进入90°偏置结构后输出，另一支光束用于检测输出
基于铌酸锂薄膜正交调制器及其制备方法