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[发明专利]一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法-CN201910891594.2有效
发明人：张涛;胡文;张秀全;罗具廷 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种带氮化硅层的单晶薄膜及其制备方法，从上至下包括氮化硅层、铌酸锂薄膜层、氧化硅层和硅衬底层；本发明的带氮化硅层的单晶薄膜，由于氮化硅有好的绝缘效果和宽的光学透过窗口，作为光波导传播层，与铌酸锂薄膜有更好的匹配性、高的模式限制、低的传播损耗和高功率处理能力；本发明的带氮化硅层的单晶薄膜的制备方法，氮化硅波导采用LPVCD沉积制成，并和铌酸锂调制器进行集成，可以得到集成度高、宽带宽、损耗低的波导器件；本发明的制备方法适用于工业生产
一种氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高品质波导结构及制备方法-CN202110776676.X有效
发明人：程亚;陈锦明 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种高品质波导结构及制备方法，其制备包括铌酸锂薄膜表面镀金属铬膜、飞秒激光直写铬膜作掩模层、化学机械抛光、化学气相沉积以及铌酸锂薄膜键合等步骤。本发明方法的制备流程优化了化学机械抛光工艺制备波导的构型同时具备超低传输损耗的特性、优异电光特性，为实现铌酸锂光子器件迈向产业化提供了关键步骤，同时也可推进微纳光子学、集成光学以及微波光子学的发展。
一种品质波导结构制备方法

[实用新型]多功能微型低压电-光开关-CN94239426.7无效
发明人：袁一方 -专利权人：华东工业大学
申请日： 1994-09-30 - 公布日： 1995-10-04 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多功能微型低压电-光开关，包括壳体、铌酸锂晶体棱镜、薄膜电极，其特征是所述的铌酸锂晶体棱镜由两片铌酸锂晶体镜片组成，其间有多层膜，镜片的形状为梯形，厚度为0.4～2毫米，其两平面上分别有薄膜电极
多功能微型压电开关

[发明专利]基于薄膜铌酸锂与氮化硅材料混合集成的光栅耦合器及其制备方法-CN202211550410.4在审
发明人：王旭阳;韩风阳;冯雅丽;李俊慧;郭育梅 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明提供一种基于薄膜铌酸锂与氮化硅材料混合集成的光栅耦合器，包括自下至上依次层叠设置的硅衬底层、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜层、氮化硅层、二氧化硅上包层；其中，所述氮化硅层包括周期性光栅结构；所述铌酸锂薄膜层包括在其顶部依次连接设置的聚焦结构和波导结构
基于薄膜铌酸锂氮化材料混合集成光栅耦合器及其制备方法

[发明专利]基于薄膜铌酸锂平台的高速大范围波长调谐外腔激光器-CN202310711748.1在审
发明人：任烨凯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S3/08022 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂平台的高速大范围波长调谐外腔激光器，包括模斑转换器(SSC，spot size convertor)以及在薄膜铌酸锂芯片上集成制作的的三个级联微环和环形反射镜。采用薄膜铌酸锂材料来制作外腔波导，利用该材料优秀的电光效应，结合三个微环级联的外腔结构利用游标效应实现100nm以上的波长调谐范围和ns量级的波长切换速率，在光分组交换网络以及调频连续波(FMCW)激光雷达发射端和光学相控阵
基于薄膜铌酸锂平台高速范围波长调谐激光器

[实用新型]一种高效的纠缠光子对产生装置-CN202021619975.X有效
发明人：梁龙跃;郑名扬;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02F1/365 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效的纠缠光子对产生装置,其包括泵浦光发生装置，周期极化铌酸锂薄膜波导，使信号光子朝第一单光子探测器传输的第一二向色镜，允许泵浦光通过进入周期极化铌酸锂薄膜波导并使空闲光子朝第二单光子探测器传输的第二二向色镜借助合理设计的周期极化铌酸锂薄膜波导结构，可以使泵浦光发生反向传输自发参量下转换过程，从而能够以高的产生效率提供窄带宽的纠缠光子对。
一种高效纠缠光子产生装置

[发明专利]一种片上集成倍频器件及其制备方法-CN202110987782.2在审
发明人：李志远;彭凌志;洪丽红;李铭洲 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上集成倍频器件及其制备方法，其中片上集成倍频器件包括：铌酸锂衬底；导电金属层，设置在所述铌酸锂衬底上；二氧化硅层，设置在所述导电金属层上；啁啾极化铌酸锂薄膜层，设置在所述二氧化硅层上，本发明通过将准相位匹配技术和啁啾调制技术引入片上铌酸锂薄膜，可以在片上集成器件中实现宽带频谱范围的高效倍频。本发明可广泛应用于集成光子学领域。
一种集成倍频器件及其制备方法

[发明专利]一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置-CN202111233846.6在审
发明人：尹志军;汤济;崔国新;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成光电子器件技术领域，提供一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置。该三维楔形铌酸锂薄膜波导装置，自下而上包括依次层叠设置的衬底层、绝缘层和铌酸锂层，铌酸锂层包括楔形层和平板层，楔形层包括楔形尖端和楔形尾端，楔形尖端用于匹配光纤模场，楔形尾端用于连接器件功能区域。
一种三维楔形铌酸锂薄膜波导装置

[发明专利]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法-CN202011160742.2在审
发明人：郭清仪;葛士军 -专利权人：南京南辉智能光学感控研究院有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本发明将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。
一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片及其制造方法

[实用新型]一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片-CN202022411620.8有效
发明人：郭清仪;葛士军 -专利权人：南京南辉智能光学感控研究院有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于铌酸锂晶体电光效应的薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片，包括：上下玻璃基板，TFT阵列模块，铌酸锂电光调制模块，透明电极以及滤光片；其中，所述铌酸锂电光调制模块包括铌酸锂晶体层与电介质反射镜矩阵，所述透明电极靠近铌酸锂电光调制模块的一侧，形成黑矩阵，黑矩阵与铌酸锂电光调制模块中的电介质反射镜矩阵呈位置互补关系。本实用新型将传统TFT‑LCD结构中的液晶调光模块替换为铌酸锂电光调制模块，由于调光过程中不需要分子转动，因此具有更高的响应速度，且铌酸锂材料本身具有更高的折射率，这均有利于器件的进一步优化。
一种薄膜晶体管有源矩阵铌酸锂显示芯片

[发明专利]铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备-CN202310149550.9在审
发明人：瓦西里·帕里诺维奇;曾晓梅;杨兵;许畅;张翔宇;刘修铭;张俊;黄家辉 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：本申请公开了铌酸锂薄膜温度传感器、测温方法及温度测量设备。该温度传感器的超声压电材料为铌酸锂压电涂层，通过涂层的表面断面形貌、晶粒形状尺寸、晶体结构、超声波形态中至少一者表征待测温度。为实现铌酸锂薄膜温度传感器的实时测温，本申请还提供了温度测量设备，包括依次电连接的加热区域、薄膜超声波温度传感器、脉冲发射‑接收器、控制器、计算机终端设备。本技术方案提供了宽温域范围内稳定工作的的监测设备和薄膜温度传感器，实时监测温度，实现温度变化的提前预警，避免重要设备的结构性损坏。
铌酸锂薄膜温度传感器测温方法温度测量设备

[发明专利]一种外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法-CN201910236425.5有效
发明人：郑大怀;李文灿;贾龙飞;宋少清;刘宏德;孔勇发;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于铁电薄膜制备及其应用领域。铌酸锂靶材在高能脉冲激光的作用下形成等离子态余晖，之后沉积到衬底上形成薄膜，该方法制备的薄膜厚度均匀、致密性好，但容易出现复杂多晶的问题，限制了其在纳米铁电畴、片上集成光学等领域的应用。本发明公布一种基于脉冲激光沉积法结合两步控制氧气压制备良好外延取向铌酸锂薄膜的技术方法。薄膜沉积过程中，首先控制较高氧气压抑制其非特征晶向生长，然后控制较低氧气压促进其特征晶向择优生长。该方法解决了薄膜出现复杂多晶的问题，操作简捷、易于制备纳米级高质量外延取向铌酸锂薄膜。所制备薄膜可应用于制备波导、微腔、电光调制器等功能器件。
一种外延取向铌酸锂薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于C切铌酸锂晶片实时可控溶胶喷射的装置及方法-CN201811047970.1在审
发明人：阎文博;梁超;昝知韬;李菲菲;任满意 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： B05B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于C切铌酸锂晶片实时可控溶胶喷射的装置及方法，该装置包括激光器1、快门2、CCD相机3、带阻滤光片4、半透半反镜5、物镜6、铌酸锂晶片7、石英晶片8、背景光源9。铌酸锂晶片7和石英晶片8组成的平行对称结构作为核心装置，此核心装置通过与激光器1、快门2协同配合实现待喷射溶胶喷射微量溶胶液滴到铌酸锂晶片7的任意位置。本发明利用铌酸锂晶片实现了溶胶凝胶法制备的溶胶的喷射，同时喷射的溶胶液滴大小及位置可控。该技术在生物医疗、化学检测、薄膜制备等领域的发展都具有非常重要的意义。
铌酸锂晶片喷射核心装置石英晶片激光器溶胶液可控快门溶胶凝胶法制半透半反镜带阻滤光片薄膜制备背景光源化学检测平行对称生物医疗位置可控物镜协同配合

[发明专利]一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法-CN201811430869.4在审
发明人：华勇;舒平;雷成龙;曾健 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明涉及集成光学领域，特别涉及一种基于铌酸锂厚膜的高速电光调制器及其制备方法，所述调制器包括支撑衬底、键合层、光波导和调制电极，所述光波导位于键合层表面，且键合层上设置有一层铌酸锂厚膜；铌酸锂厚膜的厚度为8～20微米；本发明厚膜型铌酸锂的10微米左右的脊高使得调制效率可以提升60％以上且本发明的衬底因为减薄技术仅有8～20微米，可以避免该谐振效应进一步实现高速宽带；而相比薄膜型波导的铌酸锂调制器，本发明又具有扩散型光波导低传输损耗和低耦合损耗的优点
铌酸锂厚膜键合层高速电光调制器光波导波导衬底制备铌酸锂调制器低传输损耗调制电极调制效率高速宽带集成光学减薄技术扩散型光谐振效应薄膜型低耦合调制器脊高支撑

[实用新型]一种实现波导上光的偏振旋转的结构-CN202223514726.6有效
发明人：邱晨;李子琰;宝剑锋 -专利权人：苏州康冠光电科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种实现波导上光的偏振旋转的结构，属于铌酸锂光波导技术领域。为了解决片上偏振方向旋转困难的问题，本实用新型在薄膜铌酸锂波导光学端面贴合了一个一面镀高反膜的法拉第旋转镜，通过法拉第旋转镜改变光的偏振方向，使光偏振旋转90°，再返回到原波导中，实现光波导中偏振方向的旋转，通过光在法拉第旋转镜和铌酸锂薄膜器件的来回传输实现的光偏振进行补偿调制，提高光转换效率。
一种实现波导上光偏振旋转结构