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[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料-CN201110064158.1有效
发明人：张心正;石凡;孔勇发;许京军;陈绍林;王丕东;张玲;孙骞 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性
掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其

[发明专利]高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110086805.9无效
发明人：王锐;钱艳楠;邢丽丽;徐衍岭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法，涉及铒离子掺杂的近化学计量比铌酸锂晶体及其制备方法。解决现有掺铒离子近化学计量比铌酸锂晶体制备工艺复杂，难以得到高掺杂铒离子近化学计量比铌酸锂晶体的问题。本发明铌酸锂晶体由氧化铒、五氧化二铌和碳酸锂制成，氧化铒占原料总摩尔量的1％～2％。与掺杂1.5mol％铒同成分铌酸锂晶体相比，本发明铌酸锂晶体在1.54μm波段光发射强度提高4.16倍，Er3+离子的4I13/2能级寿命5.53ms延长66.57％。极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光放大器于激光器领域的应用。
掺杂离子化学计量铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]低损耗硅-氧化硅-掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法-CN202210316787.7在审
发明人：邹卫文;王静 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种低损耗硅‑氧化硅‑掺铒铌酸锂电光调制器及集成方法，所述电光调制器包括光耦合器、多模干涉仪、定向耦合器、二色向耦合器、电光移相臂、行波电极。所述集成方法包括：通过硅、氧化硅的刻蚀，能够形成硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导，通过金属沉积形成行波电极。所述的硅波导组成多模干涉仪；所述的硅波导与氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成定向耦合器和二色向耦合器；所述的氧化硅‑掺铒铌酸锂异质波导组成电光移相臂。本发明使用掺铒铌酸锂作为损耗补偿的增益介质与电光调制材料，结合硅材料能够制备小尺寸光子回路，可以实现硅基无源器件与掺铒铌酸锂基电光调制器的兼容。
损耗氧化掺铒铌酸锂电光调制器集成方法

[发明专利]一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法-CN201010598266.2无效
发明人：李磊;周忠祥;杜艳伟;田浩 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法，它涉及一种单晶的制备方法。本发明的目的是提供一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶的提拉制备方法。制备方法如下：用无水乙醇将碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌、氧化铒和氧化镱的混合物的粉末研磨至无水乙醇挥发完全，然后放入铂金坩埚中，将铂金坩埚放入晶体生长炉内，进行晶体生长，即得铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶。本发明利用提拉法成功生长铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶，并且能够实现铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的可控生长；另外该方法相对工艺比较简单，不使用专用设备，不需要特殊气氛生长，对环境无污染，本发明方法对于铒镱掺杂钽铌酸钾锂单晶的大规模制备和全固态短波长激光器的应用起到了重要的推动作用
一种铒镱双掺钽铌酸钾锂单晶制备方法

[发明专利]一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法-CN201110074197.X无效
发明人：王锐;钱艳楠;徐衍岭;邢丽丽 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法，涉及三掺LiNbO3晶体及其制备方法。解决现有铒掺杂的铌酸锂晶体在发光强度和寿命方面不好的问题。锆铒镱三掺铌酸锂晶体由氧化锆、氧化铒、氧化镱、五氧化二铌和碳酸锂五种原料制成。首先称取上述原料，熔化得熔液后，采用提拉法进行晶体生长，退火后，再极化处理即可。本发明晶体的Er3+离子的4I13/2能级寿命τ达4.23ms，与铒镱两掺铌酸锂晶体相比延长了8.18％，比单掺Er(1mol％):LiNbO3晶体的寿命2.3ms提高了近两倍。
一种锆铒镱三掺铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂薄膜的稳频和调频激光器及制备方法-CN202110802042.7有效
发明人：吴侃;蔡明璐;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01S5/062 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂薄膜的稳频和调频激光器及制备方法，激光器包括掺铒铌酸锂薄膜、二氧化硅包层、衬底、第一锥形波导区、第一光栅区、第二光栅区、第二锥形波导区、第一电极对、第二电极对、泵浦激光器、第一隔离器、本发明采用绝缘体上掺铒铌酸锂薄膜作为基质材料，通过在掺铒铌酸锂上沉积氮化硅薄膜并制备第一锥形波导区、第一光栅区、第二光栅区、第二锥形波导区、第一电极对、第二电极对，实现对激光器频率的电控，即能在不同泵浦功率下实现激光器稳频输出
基于掺铒铌酸锂薄膜调频激光器制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂薄膜的分布布拉格反射激光器的制备方法-CN201911389509.9有效
发明人：吴侃;蔡明璐;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂薄膜的分布布拉格反射激光器的制备方法，本发明采用铌酸锂薄膜作为掺铒的基质材料，可与锁模激光器等优异性能的光器件实现高集成度，有着广阔的应用前景。
基于掺铒铌酸锂薄膜分布布拉格反射激光器制备方法

[发明专利]铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法-CN201510848616.9在审
发明人：李磊 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法，配料：碳酸钾、碳酸锂、氧化钽、氧化铌粉末按照0.6:0.4:0.5:0.5的摩尔比例称量配料，并按照掺杂浓度分别为Er³⁺单掺0.1mol%-1.0mol%加入氧化铒粉末，利用固相反应法开创性的制备铒掺杂钽铌酸钾锂陶瓷，填补了国内外在此项研究上的空白；现铒掺杂陶瓷的可控烧结，并且陶瓷烧结致密度高，成瓷效果好。
掺杂钽铌酸钾锂陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法-CN201610518117.8有效
发明人：华平壤;陈朝夕 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铒掺杂氧化钽脊形结构的波导放大器制备方法，通过本发明产生的放大器包括硅衬底、二氧化硅下包层、掺铒铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层、掺铒氧化钽脊形波导结构和二氧化硅上包层，采用硅基铌酸锂薄膜作为基片，利用与铌酸锂折射率相近的铒掺杂氧化钽作为脊形结构，在通信波段，通过铒离子的放大作用，能够弥补光传输和调制的过程中带来的光损耗；相对于干法刻蚀技术，制备的脊形结构工艺成本低，成品率高，提高了器件的稳定性
一种具有掺杂氧化钽脊形结构波导放大器制备方法

[发明专利]掺铒铌酸锂薄膜光波导放大器及其制备方法-CN202310180821.7在审
发明人：胡祺悦;程亚;张海粟;方致伟;刘招祥 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铒铌酸锂薄膜光波导放大器及其制备方法，利用飞秒激光加工结合化学机械抛光技术在铌酸锂薄膜中形成光子结构，进而实现铌酸锂光波导放大器。本发明提出的铌酸锂光波导放大器具有空间形状可任意设计、尺寸可调、可大规模集成的特点，在高速光通信，光计算和微波光子学等高科技领域都具有广阔的应用前景，为铌酸锂平台上各种有源和无源光子组件的单片集成铺平了道路
掺铒铌酸锂薄膜波导放大器及其制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器-CN201110064153.9有效
发明人：张心正;石凡;禹宣依;许京军;李威;唐柏权;吴强;孔勇发 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01S3/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于掺铒铌酸锂多孔材料的上转换绿光随机激光器。其特征在于其结构包括有：泵浦光源、准直透镜、聚焦透镜、斩波器、激光增益介质，其泵浦光源为波长980nm的红外激光器；其激光增益介质为掺铒铌酸锂多孔材料，利用其上转换特性及光子局域化特性可将980nm的激发光转化为绿光随机激光输出
基于掺铒铌酸锂多孔材料转换随机激光器

[实用新型]一种光子集成增益探测器结构-CN202222529842.9有效
发明人：隋军;韩付海;余朝晃 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型涉及应用光通信领域，具体涉及一种光子集成增益探测器结构，包括：SOI衬底，掺铒薄膜铌酸锂波导放大器和InP/InGaAs雪崩光电二极管；所述掺铒薄膜铌酸锂波导放大器包括：泵浦光输入波导，泵浦光输出波导信号光输入波导，信号光输出波导；泵浦信号光复用器，泵浦信号光解复器；光放大波导；所述InP/InGaAs雪崩光电二极管依次包括：N InP层；非掺杂InGaAs吸收层；InGaAsP缓变层；n‑InP电荷层；非掺InP
一种光子集成增益探测器结构

[发明专利]一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法-CN201510161305.5有效
发明人：谭杨;陈峰 -专利权人：山东大学
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G02F1/39 文献下载
摘要：一种铒掺杂铌酸锂光波导放大器的制备方法，利用铒掺杂铌酸锂作为增益介质；使用磷离子辐照的方法，在铒掺杂铌酸锂晶体表面，制作光波导结构；对该光波导的两个端面进行镀膜处理，选择特定波长对光信号进行放大；同时将泵浦光与信号光耦合进光波导内
一种掺杂铌酸锂光波导放大器制备方法

[发明专利]一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片及其制备方法-CN201210335651.7有效
发明人：张婷;曹远虎;夏宗仁;梁万国 -专利权人：江西匀晶光电技术有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氧化镁同成分铌酸锂晶片，其中氧化镁含量为5.5~6.5mol%，晶片厚度0.5~3mm。本发明还公开了所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片的制备方法，首先是应用提拉法生长掺镁浓度为5.2～6mol%、适量富铌的铌酸锂晶体，晶体经过退火极化处理，再切割成晶片，将切割晶片埋入掺镁浓度为5.5～6.5mol%的同成分铌酸锂粉料中，再在1000℃～1150℃温度下恒温20～40小时进行扩散热处理，即得到所述掺氧化镁同成分铌酸锂晶片。本发明制备的掺氧化镁铌酸锂晶片成分均匀，折射率分布均匀，掺镁浓度高，铌锂比接近同成分配比，内部缺陷少，电畴反转电压较低，适合批量化的PPLN器件技术要求。
一种氧化镁成分铌酸锂晶片及其制备方法

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