“铌酸锂薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1006417个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铌酸锂薄膜双Y分支光波导相位调制器-CN202110167064.0在审
发明人：华勇;郑帅峰;雷成龙;杨春红 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜双Y分支光波导相位调制器，包括双Y分支光波导相位调制器芯片，所述双Y分支光波导相位调制器芯片包括衬底、二氧化硅层、光波导层和保护层，所述保护层上设有调制电极；所述光波导层包括铌酸锂薄膜层和铌酸锂脊形光波导，所述铌酸锂脊形光波导形成双Y分支光波导结构，两个所述Y分支光波导通过基波导连接，所述基波导的两侧设有辐射区。
铌酸锂薄膜分支波导相位调制器

[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的启钥式单孤子态光学微梳产生方法-CN202111216818.3在审
发明人：林宗兴;康哲 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂的启钥式单孤子态光学微梳产生方法。本发明利用铌酸锂晶体的光折变效应，自发的启动及改变微环谐振频率和泵浦激光频率之间的相对失谐量，并最终将其锁定于单孤子态光学微梳的存活区。同时利用铌酸锂晶体的高速电光相位调制特性，保证单孤子态光学微梳的确定性产生。本发明由频率固定的泵浦激光器、掺铒光纤放大器、偏振控制器、透镜光纤、薄膜铌酸锂芯片、光学频谱分析仪、光电探测器、电学频谱分析仪连接实现。
一种基于薄膜铌酸锂启钥式单孤子光学产生方法

[发明专利]一种铌酸锂晶体薄片生产工艺-CN201910665283.4在审
发明人：俞平 -专利权人：浙江新泰通讯科技有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺，依次包括以下步骤：切条成形，在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片，并将之加工成所需的形状；晶片抛光，对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理；晶片镀膜，对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜；检测，对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测，本发明工艺合理，按照工艺依次对铌酸锂晶片进行加工，使铌酸锂晶片能够根据客户需求生产出特定的铌酸锂晶片，使铌酸锂晶片的制作更加方便。
铌酸锂晶片镀膜薄片生产工艺铌酸锂晶体光洁度晶片镀膜晶片抛光客户需求抛光处理牢固度铌酸锂抛光检测成形切条切下小块加工大片制作生产

[发明专利]一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器-CN202111011105.3在审
发明人：夏金松;潘安;曾成 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低折射率高介电常数的薄膜铌酸锂电光调制器，属于光通信器件技术领域。器件从下往上依次包括：衬底层、埋氧层、器件层、波导包覆层，所述器件层依次包括铌酸锂光波导、包层介质、电极组，所述包层介质的介电常数高于波导包覆层的介电常数，且所述包层介质的折射率低于铌酸锂光波导的折射率本发明的调制器，通过在铌酸锂器件层和包覆层之间引入包层介质，因其具有较高的射频介电常数，且在通讯波段具有很高的光学透明度，使得在不引入额外光学损耗的前提下，增加了铌酸锂波导中的射频信号的电场分压，从而提高了电光调制效率
一种基于折射率介电常数薄膜铌酸锂电光调制器

[发明专利]一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用-CN202211413978.1有效
发明人：侯俊峰;张明哲;田少华;蒋亮;董福元 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用，包括以下步骤：球磨化学计量比铌酸锂原粉；取还原金属粉和铌酸锂粉体A混合均匀，放入真空气氛炉中处理，然后依次经过酸液酸洗、清洗液清洗，抽滤干燥后得到铌酸锂粉体B；将铌酸锂粉体B放入放电等离子烧结炉中烧结，得到相对密度为93.4%至98.1%的铌酸锂陶瓷溅射靶材。采用化学计量比铌酸锂粉体预处理加放电等离子烧结技术制备铌酸锂陶瓷溅射靶材，通过对铌酸锂粉体A缺陷化处理，提高铌酸锂粉体B中的氧空位浓度，能够制备得到致密度高以及纯度高的铌酸锂陶瓷溅射靶材，相对密度高，避免在制备铌酸锂陶瓷溅射靶材的过程中加入聚乙烯醇
一种铌酸锂陶瓷溅射及其制备方法应用

[发明专利]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201510401844.1有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光栅结构的铌酸锂‑金‑铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂‑金‑铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂‑金‑铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

[发明专利]一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法-CN202010602370.8有效
发明人：欧欣;孙嘉良;游天桂;林家杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
一种基于扩散离子注入铌酸锂波导制备方法

[实用新型]一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置-CN201520495266.8有效
发明人：朱君;秦柳丽;宋树祥;傅得立 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光栅结构的铌酸锂-金-铌酸锂表面等离子激元温度传感装置，其特征是，包括顺序叠接的底层玻璃层、第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层，第一铌酸锂层、金层和第二铌酸锂层形成铌酸锂-金-铌酸锂介质波导结构；所述的铌酸锂-金-铌酸锂为对称的铌酸锂介质波导结构；所述铌酸锂介质波导结构的中间层金层为周期光栅结构。
一种光栅结构铌酸锂表面等离子温度传感装置

[发明专利]基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造方法及装置-CN201610017743.9有效
发明人：梅德庆;薛岱;汪延成;谢扩;陈子辰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： H01L41/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造方法及装置。铌酸锂晶片上制有两对正交排布的铜质叉指电极，叉指电极与铌酸锂晶片构成叉指换能器，PDMS微流道覆盖在铌酸锂晶片的正中央，PDMS微流道内均布有光敏压电混合液，紫外光源置于铌酸锂晶片下方；两对叉指换能器在铌酸锂晶片上激发声表面波
基于超声驻波压电单元薄膜制造方法装置

[实用新型]一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置-CN201620025560.7有效
发明人：薛岱;汪延成;梅德庆;谢扩;陈子辰 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L41/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置。铌酸锂晶片上制有两对正交排布的铜质叉指电极，叉指电极与铌酸锂晶片构成叉指换能器，PDMS微流道覆盖在铌酸锂晶片的正中央，PDMS微流道内均布有光敏压电混合液，紫外光源置于铌酸锂晶片下方；两对叉指换能器在铌酸锂晶片上激发声表面波
一种基于超声驻波压电单元薄膜制造装置

[发明专利]一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法-CN202311196005.1在审
发明人：杨志远;汪斌;李鑫;陶艺;刘磊;郑名扬;刘洋;谢秀平 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-09-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂薄膜脊型波导调制器及其制备方法，该方法包括：提供一铌酸锂薄膜晶圆；在薄膜上涂覆光刻胶和导电胶；进行电子束曝光处理，在所述光刻胶中形成金属标记凹槽、第一波导凹槽和第二波导凹槽；显影处理；金属电镀处理，在相应凹槽中生成金属标记和波导结构硬掩膜；利用掩膜对薄膜进行刻蚀得到第一、第二波导；去除波导结构硬掩膜，然后涂覆导电胶，以金属标记为套刻标记进行曝光、显影处理，电镀处理分别形成三个金属电极，得到脊型波导；沉积保护层以及在脊型波导上耦合光纤，得到铌酸锂薄膜脊型波导调制器。
一种铌酸锂薄膜波导调制器及其制备方法

[实用新型]一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器-CN201620680937.2有效
发明人：华平壤;姜城 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钛扩散铌酸锂薄膜偏振控制器，包括基底、二氧化硅下缓冲层、下层金电极、二氧化硅缓冲层、铌酸锂薄膜、钛扩散铌酸锂条波导、二氧化硅上缓冲层和上层金电极。
一种扩散铌酸锂薄膜偏振控制器

[其他]钽铌器件熔盐电解法制膜及产品-CN85101505无效
发明人：刘寓中 -专利权人：华北光电技术研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1988-03-30 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明涉及在钽铌器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融锂盐电化学反应在钽或铌或钽铌合金器件表面生成一层含有钽或铌的含氧化合物的薄膜(如钽酸锂或锂的铌酸盐等)，可改进器件的许多性能，膜的击穿电压达1500伏以上，表面硬度最高可达Hv700左右。可以改善钽或铌或钽铌合金器件的使用效果，扩大钽和铌的应用范围。用于钽喷丝板，减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的钽制器件，薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
器件电解法制产品

[其他]钽铌器件熔盐电解法制膜及产品-CN101985000001505在审
发明人：刘寓中 -专利权人：华北光电技术研究所
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1988-03-30 - 主分类号：文献下载
摘要：本发明涉及在钽铌器件上熔盐电解制膜的工艺方法及产品。用熔融锂盐电化学反应在钽或铌或钽铌合金器件表面生成一层含有钽或铌的含氧化合物的薄膜（如钽酸锂或锂的铌酸盐等），可改进器件的许多性能，膜的击穿电压达１５００伏以上，表面硬度最高可达Ｈｖ７００左右。可以改善钽或铌或钽铌合金器件的使用效果，扩大钽和铌的应用范围。用于钽喷丝板，减少堵孔提高纤维质量。还可应用于石油化工上的钽制器件，薄膜热探测器的衬底及制作抗磨弹性元件等。
器件电解法制产品

[发明专利]铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件-CN202211665071.4在审
发明人：翟进;周赤;吉贵军;刘昆;陆龙钊;黄杭东;胡志刚 -专利权人：珠海光库科技股份有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G02B6/134 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铌酸锂脊波导的制作方法和光电器件，其中铌酸锂脊波导的制作方法包括先在铌酸锂晶圆上生长硬掩模，在形成了刻蚀图形之后进行自对准质子交换，以在铌酸锂晶圆上形成交换区，之后再在铌酸锂晶圆上对交换区进行刻蚀，如此设置一方面可以提高铌酸锂的刻蚀效率，可以将铌酸锂的刻蚀效率提高4至5倍；另一方面，能够提高铌酸锂晶圆刻蚀面的光滑度，进而提高铌酸锂脊波导的良品率。
铌酸锂脊波导制作方法光电器件