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[发明专利]一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法-CN202110326033.5在审
发明人：傅力;潘昊;李林松 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型化的高消光比调制器件及其使用方法，所述高消光比调制器件包括铌酸锂薄膜调制器和起偏器，所述铌酸锂薄膜调制器包括硅衬底、在所述硅衬底上设置有铌酸锂薄膜脊波导和调制电极，所述起偏器包括铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底上设置有光波导。在本发明中，通过制作高折射率差的铌酸锂薄膜脊波导，提高了波导对光波的限制能力，可以极大的缩小波导尺寸，进而减小了电极间距和电极长度。
一种小型化高消光调制器件及其使用方法

[发明专利]复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法-CN201510520492.1在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合单晶薄膜和制造复合单晶薄膜的方法。所述复合单晶薄膜包括：衬底；光学隔离层，位于衬底上；铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜，位于光学隔离层上；硅薄膜，位于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上。根据本发明的复合单晶薄膜具备铌酸锂或钽酸锂材料良好的非线性光学、声光、电光等效应，同时还具备硅材料的加工工艺成熟的特性，因此本发明的复合单晶薄膜能够与现有的IC生产工艺实现更好的兼容，具有非常广阔的产业前景此外，根据本发明的制造复合单晶薄膜的方法能够实现稳定、有效的工业化生产。
复合薄膜制造方法

[实用新型]铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构及光器件-CN202020422347.6有效
发明人：李萍 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-03-29 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铌酸锂薄膜光波导芯片的光纤耦合结构，所述光纤为锥形透镜光纤，其固定于套管上，所述套管固定在套管支撑底板上，所述锥形透镜光纤与铌酸锂薄膜光波导芯片的光波导对准。另外，还提供了一种基于上述结构的铌酸锂薄膜光器件。采用本实用新型提出的铌酸锂薄膜光波导的光纤耦合结构以及基于该耦合结构的光器件具有低耦合损耗、高可靠性、高稳定性的特点，可以有效地提升铌酸锂薄膜光器件在光纤通信、光纤传感、微波光子链路等使用环境的工程应用价值
铌酸锂薄膜波导芯片光纤耦合结构器件

[发明专利]基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构的电光偏振旋转器-CN201710952220.8有效
发明人：郑远林;孙启超;丁婷婷;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种电光偏振旋转器，包括：依次设置于铌酸锂基底上的二氧化硅层、铌酸锂晶体薄膜层和绝缘介质保护层，铌酸锂晶体薄膜层中设有周期性的铌酸锂脊型波导、划槽以及设置于划槽内的嵌入式电极，藉由在铌酸锂脊型波导的侧面方向上施加电场，通过横向电光效应，实现输入光在铌酸锂脊型波导中的偏振旋转。本发明利用周期性极化铌酸锂脊型波导结构，具有电光控制、体积小、驱动电压低、响应速度快、偏振精度高、可集成、损伤阈值高等优点。
基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构电光偏振旋转

[发明专利]有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法-CN200710156478.3无效
发明人：杜丕一;李晓婷;麦炽良;黄健洪;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MgO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜，再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，氧化铌，碳酸锶，碳酸钡为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单，制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长，薄膜外延性好，质量高，电光系数大(r33可达180～230pm/V)，具有良好的应用前景。
透明导电镍酸锂底电极外延铌酸锶钡薄膜制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法-CN202011615714.5在审
发明人：傅力;潘昊;李林松;丁丽;黄晓东 -专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及光纤通信和传感技术领域，特别是涉及一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法，铌酸锂调制器芯片的制作方法包括：在铌酸锂基片上表面制作一层掩膜；在所述掩膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩膜窗口，并在所述光波导掩膜窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；在所述光波导两侧分别制作金属电极，并对所述铌酸锂基片的光输入面、光输出面以及±Z面进行切割，形成铌酸锂调制器芯片；在铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜，并在铌酸锂调制器芯片的下表面制作导电涂覆层，使±Z面的导电薄膜通过所述导电涂覆层连接导通。本方案可有效降低变温过程中铌酸锂晶体热释电效应对铌酸锂调制器性能的影响，提高铌酸锂调制器的全温性能。
一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法

[发明专利]一种基于电子束光刻胶的低损耗薄膜铌酸锂光波导制备方法-CN202310296381.1在审
发明人：孙军强;张文昱;杜竫 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于电子束光刻胶的低损耗薄膜铌酸锂光波导制备方法，包括如下步骤：S1，提供预先制备的薄膜铌酸锂晶圆片作为衬底；S2，在薄膜铌酸锂层表面旋涂电子束光刻胶，并对光刻胶进行前烘；S3，在烘干后的光刻胶表面用电子束曝光工艺将掩膜图案转移到光刻胶上，并对样品进行后烘；S4，对烘干的光刻胶依次进行显影和定影形成光刻胶掩膜层，然后用电感耦合等离子刻蚀工艺对薄膜铌酸锂层进行刻蚀，将光刻胶上的图案转移至薄膜铌酸锂层，刻蚀气体为氩气；S5，去除薄膜铌酸锂层上残留的光刻胶，获得低损耗薄膜铌酸锂光波导。
一种基于电子束光刻损耗薄膜铌酸锂光波导制备方法

[发明专利]一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法-CN202310436129.6有效
发明人：耿文平;乔骁骏;陆昊;丑修建;牛丽雅;李稼禾;余楠鑫;段志刚;张亦驰;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N30/045 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米调控方法

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的光电器件及其制备方法-CN202010179176.3在审
发明人：尹志军;崔国新;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本申请提供一种基于铌酸锂薄膜的光电器件的制备方法，包括如下步骤：在铌酸锂薄膜上的涂布刻蚀图案中转层；对所述刻蚀图案中转层进行光刻、显影，得到要制作的波导的图案；继续刻蚀，在所述铌酸锂薄膜刻蚀出所述波导的图案本申请还提供一种基于铌酸锂薄膜的光电器件。
一种基于铌酸锂薄膜光电器件及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及调制器-CN202010294395.6有效
发明人：李萍 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片，通过将Y分支波导、射频调制部分的波导光路、偏压控制部分的波导光路在空间上进行分隔，并使用90°弯曲波导将上述波导光路进行连接，可以显著地缩短铌酸锂薄膜电光调制器芯片的长度；另外，还提供了一种铌酸锂薄膜电光调制器，将作为光学输入端口和输出端口的光纤放置于铌酸锂薄膜电光调制器芯片的同一侧，并且将电光调制器件的光纤端口保护结构放置于器件的同一侧，可以有效地缩短铌酸锂薄膜电光调制器的总长度
一种铌酸锂薄膜电光调制器芯片以及

[发明专利]一种温度自补偿、宽量程的柔性无线无源声表面波压强传感器-CN201811063005.3在审
发明人：董树荣;许红升;轩伟鹏;陈金凯;骆季奎 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G01L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种温度自补偿、宽量程的柔性无线无源声表面波压强传感器，包括作为压电层的铌酸锂单晶压电薄膜；形成在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的至少一个声表面波传感单元，每个声表面波传感单元包括形成在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的单端谐振器、与所述单端谐振器电气连接的微带天线；覆盖在所述铌酸锂单晶压电薄膜上的密闭盖，所述密闭盖与所述铌酸锂单晶压电薄膜形成密闭腔体。该柔性无线无源声表面波压强传感器以铌酸锂单晶压电薄膜作为压电层，使得其具有宽量程，能够检测0～4MPa范围内的压强，还具有温度自补偿功能，有利于提高柔性无线无源声表面波压强传感器的精度。
铌酸锂单晶声表面波压电薄膜压强传感器无线无源温度自补偿宽量程传感单元密闭盖谐振器压电层单端压强电气连接密闭腔体微带天线检测覆盖

[发明专利]一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器-CN202210886691.4在审
发明人：陶诗琦;孙昊骋;袁帅 -专利权人：上海安湃芯研科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于薄膜铌酸锂的多模干涉耦合器型起偏器，包括：薄膜铌酸锂波导芯层和起偏器波导芯层保护部；所述起偏器波导芯层保护部包裹所述薄膜铌酸锂波导芯层；所述薄膜铌酸锂波导芯层包括起偏波导系统，所述起偏波导系统包括：输入波导单元、耦合单元和输出波导单元；所述输入波导单元、所述耦合单元和所述输出波导单元依次相连；所述输入波导单元包括：绝热锥型波导传输段；其中，所述起偏器波导芯层保护部用于保护所述薄膜铌酸锂波导芯层。本申请基于薄膜铌酸锂材料实现具有高消光比、低损耗和小尺寸的片上起偏器件，可应用于集成光学系统中，不仅有利于器件的集成化和芯片的小型化，而且工艺技术成熟，成本低廉。
一种基于薄膜铌酸锂干涉耦合器型起偏器

[发明专利]一种薄膜铌酸锂器件的耦合装置及耦合方法-CN202310543007.7在审
发明人：王智勇;申鹏飞;杨登才 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G02B6/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜铌酸锂器件的耦合装置及耦合方法，包括：沿激光器的激光出射方向依次设置的第一准直透镜、第一汇聚透镜、薄膜铌酸锂器件、第二准直透镜、第二汇聚透镜和光纤；激光器出射的激光经第一准直透镜准直成第一平行光；第一平行光经第一汇聚透镜汇聚，并耦合进入薄膜铌酸锂器件；薄膜铌酸锂器件的出射光经第二准直透镜准直成第二平行光；第二平行光经第二汇聚透镜汇聚，并耦合进入光纤，实现薄膜铌酸锂器件与光纤的耦合。相比于传统在薄膜铌酸锂器件上制作模斑转换器，本发明的工艺更简单、且大大提升光纤到波导的耦合效率，而且良率也得到了明显的提升。
一种薄膜铌酸锂器件耦合装置方法

[发明专利]一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构-CN202310395504.7有效
发明人：李俊慧;杨德伟 -专利权人：北京世维通科技股份有限公司
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本申请公开一种硅等离子体辅助的薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构，属于光电子器件，其包括薄膜铌酸锂Y波导和设置于薄膜铌酸锂Y波导的直波导上的硅等离子体波导，硅等离子体波导包括条形波导和条形波导周围的硅基底，条形波导上设计光栅本申请提供的技术方案中，采用铌酸锂薄膜制作Y波导芯片，可以实现小型化、低半波电压、便于后续集成，而且通过在薄膜铌酸锂Y波导的直波导上设计硅等离子体波导，可以使薄膜铌酸锂Y波导混合集成结构实现高偏振消光比的工作状态
一种等离子体辅助薄膜铌酸锂波导混合集成结构