“铁电型”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3968998个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]全铁电半导体PN结薄膜器件及其制备方法-CN202010660606.3在审
发明人：周勇;王灿;姚小康;何萌;葛琛;郭尔佳;金奎娟 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：一种全铁电半导体PN结薄膜器件，其自下而上依次包括：衬底、底电极、N型铁电层、P型铁电层和顶电极，或者衬底、底电极、P型铁电层、N型铁电层和顶电极；其中，所述N型铁电层由N型铁电材料形成，所述P型铁电层由P型铁电材料形成。本发明还提供一种制备本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件的方法。本发明的全铁电半导体PN结薄膜器件可用于解决现有铁电存储器中数据存在破坏性读取的问题，同时实现了更加优异的电和光对铁电极化状态的非破坏性读取。
全铁电半导体 pn 薄膜器件及其制备方法

[发明专利]基于铁电-铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法-CN201710313107.5有效
发明人：高兴森;姚竣翔 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器及其制备方法。所述基于铁电‑铁磁异质结的电控磁型存储器包括从下往上依次设置的铁电层和铁磁层，所述铁电层为BiFeO
基于铁磁异质结电控磁型存储器及其制备方法

[发明专利]铁电门器件-CN200710139132.2无效
发明人：丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：铁电元件，具有：铁电电容器、与所述铁电电容器串联连接的开关元件、输入端子和接地端子，开关元件由N型场效应型晶体管、和P型场效应晶体管构成，N型和P型场效应晶体管的源极均与输入端子连接，N型和P型场效应晶体管的漏极均与铁电电容器的一端连接，N型和P型场效应晶体管的栅极、以及铁电电容器的另一端与接地端子连接，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加铁电电容器具有的铁电体的矫顽电压以上的电压时，则开关元件作为电阻工作，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加比矫顽电压小的电压时，开关元件作为电容器工作。
电门器件

[发明专利]一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法-CN202210609168.7在审
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种极化增强的异质结型铁电神经突触器件及其制备方法。该极化增强的异质结型铁电神经突触器件包括：衬底；底层电极，形成在所述衬底上；无机铁电功能层，覆盖所述底层电极；有机铁电功能层，覆盖所述无机铁电功能层；顶层电极，形成在所述有机铁电功能层上，利用有机铁电功能层与无机铁电功能层形成异质结，使器件铁电极化增强，扩大突触权重调制区间。
一种极化增强异质结型铁电神经突触器件及其制备方法

[发明专利]具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法-CN200510020476.2无效
发明人：李燕;邓宏;姜斌;郝兰众;张鹰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法，该种材料结构上包括基片、缓冲层、位移型铁电超晶格薄膜和金属电极，与现有技术不同的是，该种材料在位移型铁电超晶格薄膜和金属电极之间还有一层应力限制层，应力限制层选用与位移型铁电超晶格薄膜具有类似晶格结构的、单晶格常数小于位移型铁电超晶格薄膜晶格常数的材料来制作。加入应力限制层之后的位移型铁电超晶格薄膜材料大大减小了位移型铁电超晶格薄膜的介电损耗，其损耗比同样厚度、同样工艺生长的BaTiO₃/SrTiO₃超晶格以及单层铁电薄膜BaTiO₃都小一个数量级，并且铁电超晶格薄膜的剩余极化强度增加近四十倍。本发明所采用的制备方法主要是利用激光束外延生长技术依次生长缓冲层、位移型铁电超晶格薄膜和应力限制层，利用真空蒸发技术蒸镀金属电极。
具有应力限制位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法-CN201910349696.1有效
发明人：霍宗亮;李春龙;张瑜;洪培真;邹兴奇;靳磊 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L27/11597 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维NAND型铁电存储器、制作方法及操作方法，该三维NAND型铁电存储器基于现有的铁电存储器结构，在铁电层和介质层之间插入一层辅栅极材料层，构成三维NAND型铁电存储器，单元的栅极叠层为主栅极材料层、铁电层、辅栅极材料层和介质层，配合辅栅极材料层单独对铁电层进行编程和擦除操作，从而有效改善铁电存储器的可靠性，即增大了存储窗口，提高了器件耐久性以及提升了器件的保持特性。
一种三维 nand 型铁电存储器制作方法操作方法

[发明专利]一种铁电-半导体耦合光伏器件及其制备方法-CN202111414150.3在审
发明人：李辉;李丛梦;古宏伟 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明涉及光伏器件技术领域，尤其涉及一种铁电‑半导体耦合光伏器件及其制备方法。本发明提供了一种铁电‑半导体耦合光伏器件，包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型铁电材料层、第二载流子传输层和电极层；或包括由下到上依次层叠设置的衬底、第一载流子传输层、P型光学吸收层、N型非铁电材料层、铁电材料层、第二载流子传输层和电极层。所述铁电‑半导体耦合光伏器件具有较高的光电转化效率和较低的制备成本。
一种半导体耦合器件及其制备方法

[发明专利]一种铁电电容器和铁电场效应管及其制造方法-CN200710039405.6无效
发明人：江安全;费瑾文;汤庭鳌 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电电容器和铁电场效应管及其制备方法。该铁电电容器包括：n型或p型半导体衬底，在该衬底上设置的包含铁电层和反铁电层的双层结构，以及在该双层结构设置的上电极，必要时，在衬底和双层铁电结构之间设置一绝缘层。铁电场效管是上述铁电电容器作为存储单元。按常规工艺，依次制备衬底、绝缘层、铁电双层结构和上电极。本发明设计的铁电电容器和铁电场效管可有效提高逻辑保持时间。
一种电容器电场效应及其制造方法

[发明专利]一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法-CN202310644297.4在审
发明人：朱汉飞;王莹;罗红钰;欧阳俊;薛银秀 -专利权人：齐鲁工业大学（山东省科学院）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法。所述“三明治”型人工反铁电膜材料包括基体、底电极、缓冲层、“三明治”介电层、顶电极，基体为硅单晶基体，底电极为惰性金属电极，缓冲层为钙钛矿型氧化物，“三明治”介电层为铁电薄膜，顶电极为高电导率金属点电极本发明提供的“三明治”型人工反铁电材料具有高耐击穿电场(≥2000kV/cm)和优异抗疲劳特性(可承受≥109次极化循环周期)，而且材料体系晶化温度较低(≤500本发明可为开发新型反铁电材料体系另辟蹊径，同时能够极大拓宽反铁电材料性能调控的研究范畴。
一种三明治人工反铁电膜材料及其制备方法

[发明专利]一种抛缆机构-CN202010727393.1有效
发明人：魏建仓;吴义涛;王洪达;侯瑞丽;丁玉涛 -专利权人：天津海翼科技有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B63C11/52 文献下载
摘要：本申请公开一种抛缆机构，所述抛缆机构包括电磁组件，具有失电型电磁铁和铁磁盘，所述失电型电磁铁上表面与所述铁磁盘下表面电磁连接，所述铁磁盘具有通孔；漂浮组件，与所述铁磁盘连接；固定组件，与所述失电型电磁铁连接本申请采用失电型电磁铁实现对抛缆绳的释放，简单方便，且成本较低。
一种机构

[发明专利]一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法-CN202210827239.0在审
发明人：刘富才;卞仁吉;蒙鹏 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11585 文献下载
摘要：本发明公开了一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法，包括由下至上堆叠设置的支撑衬底、背栅电极、背栅介质层、源极电极、范德华铁电隧穿层、漏极电极、顶栅介质层和顶栅电极，范德华铁电隧穿层由范德华铁电材料制备得到，源极电极、漏极电极分别与范德华铁电隧穿层上下两端连接并形成洁净的原子级范德华界面接触。本发明提供的层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元，以范德华滑移铁电材料为隧穿层的铁电隧穿结，实现由层数滑移调控界面势垒实现单个存储单元的多值擦写。
一种层数依赖型铁电隧穿结多值存储单元及其制备方法

[发明专利]铁电-半导体量子点耦合增强型太阳能电池及其制备方法-CN202111425494.4有效
发明人：何云斌;陈剑;黎明锴;卢寅梅;李派;王紫慧;毛佳兴;董艳慧 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电‑半导体量子点耦合增强型太阳能电池及其制备方法。本发明的铁电极化增强的太阳能电池，通过在n型窗口层和p型光吸收层之间插入铁电层，铁电层的材料为BaTiO3、Pb(Zr,Ti)O30.02Fe0.95Mn0.05O3中的任一种，铁电层的材料具有自发极化的特性，在外部极化电压的作用下，铁电材料内部电偶极子会发生定向排列，撤去极化电压后，铁电材料内部会仍然存在一个铁电退极化电场，将铁电层中铁电退极化电场引入太阳能电池内部，利用p‑n结内建电场和铁电退极化电场共同分离光生载流子从而实现电池光电转换效率的提升
半导体量子耦合增强太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法-CN202210609606.X在审
发明人：王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法。该铁电半导体结型神经形态忆阻器件包括：衬底，其为高掺杂硅片；阻挡层，形成在衬底上，设有凹槽，使底部的高掺杂硅片露出作为底电极；铁电层，形成在凹槽中，与底电极相接触；顶电极，形成在铁电层上，其延伸方向与底电极的延伸方向正交，通过调节施加在顶电极的电压的大小和正负，实现神经形态计算中所需的电导权重逐级调节过程：在顶电极施加正向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向翻转向下，器件处于低电阻的状态；施加较小的正向电压时，铁电层中铁电畴发生不完全翻转，器件处于中间电阻状态；施加负向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向发生翻转，器件处于高电阻的状态。
一种半导体神经形态器件及其制备方法

[发明专利]铁电存储器件-CN201811453960.8在审
发明人：刘香根;崔容寿 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L27/11587 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电存储器件。在一个实施例中，所述铁电存储器件包括半导体衬底，设置在所述半导体衬底的第一区域中的NMOS型第一铁电存储单元晶体管，以及设置在所述半导体衬底的与所述第一区域相邻的第二区域中的PMOS型第二铁电存储单元晶体管所述第一铁电存储单元晶体管的第一栅电极层与所述第二铁电存储单元晶体管的第二栅电极层彼此电连接。
铁电存储单元晶体管铁电存储器件衬底半导体第一区域栅电极层第二区域电连接

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条