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[发明专利]一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法-CN202310644297.4在审
发明人： 朱汉飞;王莹;罗红钰;欧阳俊;薛银秀 -专利权人：齐鲁工业大学（山东省科学院）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法。所述“三明治”型人工反铁电膜材料包括基体、底电极、缓冲层、“三明治”介电层、顶电极，基体为硅单晶基体，底电极为惰性金属电极，缓冲层为钙钛矿型氧化物，“三明治”介电层为铁电薄膜，顶电极为高电导率金属点电极。本发明提供的“三明治”型人工反铁电材料具有高耐击穿电场(≥2000kV/cm)和优异抗疲劳特性(可承受≥109次极化循环周期)，而且材料体系晶化温度较低(≤500℃)，利于微电子器件的集成应用。本发明可为开发新型反铁电材料体系另辟蹊径，同时能够极大拓宽反铁电材料性能调控的研究范畴。
一种三明治人工反铁电膜材料及其制备方法

[发明专利]铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用-CN202010285269.4有效
发明人：欧阳俊;牛淼淼;朱汉飞 -专利权人：欧阳俊
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L41/316 文献下载
摘要：本发明公开了铁酸铋膜材料、低温在硅基底上集成制备铁酸铋膜的方法及应用。其方法为：在300～400℃条件下，在基体表面由下向上依次磁控溅射底电极、缓冲层、铁酸铋膜，降低温度至室温，在铁酸铋膜表面磁控溅射顶电极，所述缓冲层的材质为能够与铁酸铋晶格匹配的钙钛矿结构的导电氧化物。本发明能够降低制备铁酸铋膜材料的温度至450℃以下，且该铁酸铋膜材料具有较高的极化强度。
铁酸铋膜材料低温基底集成制备方法应用

[发明专利]一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法-CN201510628242.X有效
发明人：欧阳俊;朱汉飞;刘梦琳 -专利权人：山东大学苏州研究院
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种高极化强度铁酸铋厚膜材料体系及中低温制备方法，包括基体、缓冲层、底电极、铁酸铋介电层、顶电极，以半导体单晶为基体，缓冲层为金属或金属氧化物薄层，底电极为惰性金属薄层。提供的制备工艺中材料体系的晶化温度较低(≤500℃)，利于大面积硅集成电路的应用；低的晶化温度大大降低了材料体系中元素的挥发，避免了材料氧空位等缺陷的产生并获得了具有优异性能的膜材料，其饱和极化强度高达～130μC/cm²，可承受的外电压不小于200V。本发明工艺流程、设备操作简单，所用原材料均为市场所售，成本较低，易于器件集成，适合于工业化推广及生产。
一种极化强度铁酸铋厚膜材料体系低温制备方法

[发明专利]LED灯珠支架结构-CN201610923288.9在审
发明人： 朱汉飞 -专利权人： 朱汉飞
申请日： 2016-10-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED灯珠支架结构，由总装底座与若干支架边框、LED灯珠支架、电镀底板组成，所述总装底座上均匀设置有若干LED灯珠支架体，每列具有十六颗安装灯珠的LED灯珠支架体；每个LED灯珠支架体底面设置五金冲压而成的电镀底板；每个LED灯珠支架体长度为7.00mm，宽度为2.8mm。本发明有益效果为：采用传统支架同样的尺寸灯珠支架内部，能够安装十六颗灯珠，无论在人工成本、包装、运输等环节都实现极大的节省，有利于提高生产效率，在应用时，有利于实现与灯具内腔的固定连接。
led 支架结构

[发明专利]一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法-CN201210574508.3无效
发明人：林家齐;张颖;朱汉飞;迟庆国;杨志韬 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C04B35/624 文献下载
摘要：一种低晶化温度下制备高度(100)取向无铅压电薄膜的方法，本发明涉及一种制备无铅压电薄膜的方法。本发明是要解决现有的压电薄膜材料多数含铅量较大及其制备过程中薄膜晶化温度过高、织构度较差、成本高、工艺复杂且不利于大面积Si集成电路应用的问题。本发明方法为：一、溶胶A和溶胶B，将溶胶A和B混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铅镧钙溶胶；四、制备E溶液和F溶液；将E和F溶液混合，加入乙二醇甲醚，得到钛酸铋钠钾溶胶；五、在基底上涂覆一层钛酸铅镧钙溶胶，进行热分解，得到种子层薄膜，然后旋转涂覆钛酸铋钠钾溶胶，再进行热分解，最后进行退火晶化处理，即完成本方法。本发明应用于无铅压电薄膜制备的领域。
一种低晶化温度制备高度 100 取向压电薄膜方法

[实用新型]一种光电测量装置-CN201020516885.8有效
发明人： 朱汉飞 -专利权人： 朱汉飞
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光电测量装置，所述光电测量装置，包括顶盖和底盖，所述顶盖与底盖通过连接件连接；所述顶盖设有第一突起，所述第一突起中设有通孔，所述通孔直通至所述底盖的内底面，构成一通槽；在所述顶盖的内侧面上设有一弹簧固定机构，所述弹簧固定机构与所述通孔相邻，并位于通孔的前方；所述底盖内侧面上设有若干测量卡槽，所述测量卡槽固定围绕在所述通槽周围；所述顶盖与所述底盖合起时，在所述通槽的一侧设有光线通孔，所述光线通孔的光线延伸方向与所述通槽相交。本实用新型中所述光电测量装置，所述实验瓶通过弹簧固定机构固定，能够固定一定范围内不同大小或形状不同的实验瓶，并且设置有若干能够放置测量接收装置的测量卡槽，使所述光电测量装置适用于多种测量功能。
一种光电测量装置