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[发明专利]产生氧气的方法、水电解装置和阳极-CN201510161877.3在审
发明人：谷口丽子;丰田健治;宫田伸弘 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明提供通过利用铜铁矿型银化合物作为阳极来电解水而效率良好地产生氧气的方法。还提供适合该方法的水电解装置和阳极。一种产生氧气的方法，具备以下工序：(a)准备水电解装置的工序，其中，所述水电解装置具备储存有电解质水溶液的容器、阳极、与所述电解质水溶液接触的阴极、和电源，所述阳极与所述电解质水溶液接触，并包含选自化学式AgCoO₂表示的铜铁矿型银钴化合物和化学式AgRhO₂表示的铜铁矿型银铑化合物中至少1种铜铁矿型银化合物，其中，所述至少1种铜铁矿型银化合物与所述电解质水溶液接触；(b)使用所述电源在所述阴极和所述阳极之间施加电位差，通过使所述至少1种铜铁矿型银化合物上发生的水电解，在所述阳极上产生氧气的工序。
产生氧气方法水电装置阳极

[发明专利]气体分子检测元件、气体分子检测装置及气体分子检测方法-CN201180005130.9无效
发明人： 丰田健治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01N27/416 文献下载
摘要：本发明的气体分子检测元件为通过借助连接部将与被检测气体分子结合的检测部固定在一对金属电极间而形成的气体分子检测元件。检测部为具有铁或钴作为中心金属的单卟啉或单卟啉衍生物，该连接部为该单卟啉或单卟啉衍生物上键合的巯基亚苯基乙炔基。本发明提供能够以高灵敏度检测气体分子的气体分子检测元件、气体分子检测装置及气体分子检测方法。
气体分子检测元件装置方法

[发明专利]改善电极界面的有机FET及其制造方法-CN200780000712.1无效
发明人： 丰田健治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机FET，其在基板上叠层有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜上，由金属构成的源电极和由金属构成的漏电极在水平方向上相对配置，具有覆盖上述栅极绝缘膜、上述源电极和上述漏电极的有机半导体层，其特征在于：由碳原子数为4以上的烷基硫醇分子构成的第一有机分子层分别形成在上述源电极的上面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的上面和上述半导体之间；由对甲基苯硫酚分子或苯硫酚分子构成的第二有机分子层分别形成在上述源电极的相对的侧面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的相对的侧面和上述半导体层之间。
改善电极界面有机 fet 及其制造方法

[发明专利]铁电门器件-CN200710139132.2无效
发明人： 丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：铁电元件，具有：铁电电容器、与所述铁电电容器串联连接的开关元件、输入端子和接地端子，开关元件由N型场效应型晶体管、和P型场效应晶体管构成，N型和P型场效应晶体管的源极均与输入端子连接，N型和P型场效应晶体管的漏极均与铁电电容器的一端连接，N型和P型场效应晶体管的栅极、以及铁电电容器的另一端与接地端子连接，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加铁电电容器具有的铁电体的矫顽电压以上的电压时，则开关元件作为电阻工作，在输入端子上施加电压时，如果在铁电电容器上施加比矫顽电压小的电压时，开关元件作为电容器工作。
电门器件

[发明专利]非易失性触发电路及其驱动方法-CN200480019014.2无效
发明人：西川孝司;丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明提供非易失性触发电路的驱动方法，该非易失性触发电路具备：第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于开的状态，并且，第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于关的状态，通过输入数据信号(D)，利用铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化，保持输入的数据信号(D)的数据保持步骤；第一时钟反相器(604)、第二时钟反相器(603)及第三开关元件(602)处于关的状态，并且，通过使第一开关元件(605)、第二开关元件(607)及第三时钟反相器(608)处于开的状态地切换，切断数据信号(D)的输入的同时维持铁电体栅极晶体管(601)具有的铁电体的极化状态，输出基于保持的数据信号(D)的输出信号Q(－Q)的数据输出步骤。
非易失性触发电路及其驱动方法

[发明专利]非易失性闩锁电路及其驱动方法-CN200380107784.8无效
发明人： 丰田健治;大塚隆;森本廉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明的非易失性闩锁电路(10)具有：具有第一电极(1a)、第二电极(1b)、和介于这些电极间的强电介质膜(1c)的强电介质电容器(1)；与第一电极(1a)连接的复位端子(Tre)；与强电介质电容器(1)的第二电极(1b)连接的CMOS反相器元件(2)；将电压施加在第二电极(1b)的电压切换用端子(Tpl)；连接于第二电极(1b)和第二输入端子(Tpl)间，切换施加在第二电极(1b)的电压的开关元件(5)、和将切换接通和断开用的电压施加在开关元件(5)的设定端子(Tse)。强电介质膜(1c)上残留的极化在第二电极(1b)产生的电压比CMOS反相器元件(2)的NMISFET(4)的门限值电压(Vtn)高。
非易失性闩锁电路及其驱动方法

[发明专利]非易失性存储器单元及其控制方法-CN200380104126.3无效
发明人：大塚隆;丰田健治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-11-19 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器单元，包括：具有第一节点(6)和第二节点(7)，锁存设定在第一节点(6)和第二节点(7)上的互补数据的锁存电路(1)；第一开关元件(4)，连接所述第一节点(6)和第一数据输入输出线(2)；第二开关元件(5)，连接所述第二节点(7)和第二数据输入输出线(3)；第一强电介质电容器(8a)，连接所述第二数据输入输出线(3)和所述第一节点(6)；和第二强电介质电容器(8b)，连接所述第一数据输入输出线(2)和所述第二节点(7)。
非易失性存储器单元及其控制方法

[发明专利]使用变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法-CN200380102920.4无效
发明人： 丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-10-29 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明是在双稳态多谐振荡器电路的第一、第二存储节点上通过控制用晶体管连接第一、第二变阻元件的非易失性双稳态多谐振荡器电路中，在存储步骤中在把第一和第二变阻元件的双方变成低电阻后，在第一和第二变阻元件中，仍使连接在存储“0”的存储节点上的变阻元件保持在低电阻，仅把连接在存储“1”的存储节点上的变阻元件变成高电阻，在复检步骤中顺序进行在连接于高电阻的变阻元件的存储节点上存储“1”，在连接于低电阻的变阻元件的存储节点上存储“0”的非易失性双稳态多谐振荡器电路的驱动方法。
使用元件非易失性双稳态多谐振荡器电路驱动方法

[发明专利]电压发生电路、电压发生装置、半导体器件及其驱动方法-CN03824600.7无效
发明人： 丰田健治;上田路人;森本廉;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-09-03 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：电压发生电路包含：电容器(4)、与电容器(4)串联连接的强电介质电容器(6)、输出端子(11)、使输出端子(11)接地的电容器(10)、电源电压供给端子(13)、连接电源电压供给端子(13)和2只电容器(4、6)的连接结点(N1)的开关(1)、以及连接连接结点(N1)和输出端子(11)的开关(9)。在第1期间，在使开关(1)及(9)为断开状态的状态下，使端子(3)接地，并把电源电压供给端子(7)，在第2期间，把电源电压供给端子(3)，且使开关(9)为导通状态，在第3期间，使开关(9)为断开状态，使开关(1)为导通状态，且使端子(7)接地，在第4期间，把电源电压供给端子(7)，从前述第1期间直到前述第4期间顺序重复进行。
电压发生电路装置半导体器件及其驱动方法

[发明专利]铁电门器件-CN03816316.0无效
发明人： 丰田健治;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：铁电门器件包含铁电电容器(1)、根据施加电压起着电阻或电容器功能的开关元件(2)、具有源极、漏极和门极的场效应晶体管(6)，铁电电容器(1)的一端具有输入端子(IN)，铁电电容器(1)的另一端与开关元件(2)的一端连接，开关元件(2)的另一端和场效应晶体管(6)的门极连接，通过在输入端子上施加电压，在铁电体的电容器(1)上施加上铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)以上的电压时，开关元件(2)作为电阻工作，通过在输入端子上施加电压，在铁电电容器(1)上施加上比铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)小的电压时，开关元件(2)作为电容器工作。
电门器件

[发明专利]非易失性存储电路的驱动方法-CN03812834.9无效
发明人： 丰田健治;森田清之 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-06-02 - 公布日： 2005-08-24 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种非易失性存储电路的驱动方法，其特征在于，包括下述步骤：存储步骤，其中，该步骤具有：在停止向所述非易失性存储电路供电前，所述第一及第二电阻元件为低电阻状态的第一步骤；和在该第一步骤后使所述第一及第二电阻元件的任一方为高电阻状态的第二步骤；和调用步骤，其中，向所述非易失性存储电路开始供电后，对所述字码线、所述第一及第二比特线、以及所述电源线在规定的时间施加电压。
非易失性存储电路驱动方法

[发明专利]电位发生电路、电位发生装置和用它的半导体装置和其驱动方法-CN02814561.5无效
发明人： 丰田健治;上田路人;森本廉;森田清之;岩田彻;梶原準 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明提供一种电位发生电路，具备电容器(4)；串联连接于电容器(4)上的强电介质电容器(6)；输出端子(11)；将输出端子(11)接地的电容(10)；将两个电容器(4、6)的连接节点(5)与输出端子(11)连接的开关(9)；及将连接节点(5)接地的开关(1)，在第一期间中，在开关(1)及开关(9)变为截止状态的状态下，向端子(3)提供正电位，同时，将端子(7)接地，在所述第一期间之后的第二期间，将端子(3)接地，且开关(9)变为导通状态，在所述第二期间之后的第三期间，开关(9)变为截止状态，开关(1)变为导通状态，且向端子(7)提供正电位，在所述第三期间之后的第四期间，将端子(7)接地，重复所述第一期间到所述第四期间。
电位发生电路装置半导体驱动方法

[发明专利]半导体装置-CN02121828.5无效
发明人：上田路人;丰田健治;森田清之;大塚隆 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-06-06 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：提供作为神经元元件、电位发生装置、逻辑变换电路而发挥作用的半导体装置。在电位发生装置中,N型MIS晶体管(54)的源极和P型MIS晶体管(56)的源极彼此相连,并且,与输出端子(55)连接。N型MIS晶体管(54)的漏极和提供电源电压VDD的电源电压提供部(53)相连,P型MIS晶体管(56)的漏极和提供接地电压VSS的接地(57)相连。并且,N型MIS晶体管(54)的衬底电位是接地电压VSS,P型MIS晶体管(56)的衬底电位是电源电压VDD。这样,构成了从源极取出输出的源极跟随器电路。利用该电位发生装置,能得到稳定地进行NOR动作和NAND动作的切换的逻辑变换电路。
半导体装置

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