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[发明专利]一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201810710417.5在审
发明人：刘展晴 -专利权人：渭南师范学院
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电损耗的钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料及其制备方法。sub>1/2Cu₃Ti₄O₁₂前驱粉体，0.05≤X≤0.20；将前驱粉体球磨、造粒、压片后，在1050℃烧结8小时后得到低介电损耗的sub>x/2Na_(1‑x)/₂Sm_1/2Cu₃Ti₄O₁₂巨介电陶瓷材料当＝0.015时，本发明钛酸铜钐锂钠巨介电陶瓷材料在10kHz下的介电常数达到了11292，介电损耗达到了0.027，制备方法更优。
巨介电陶瓷材料低介电损耗钛酸铜锂钠制备前驱粉体无水乙醇溶解小时形成凝胶乙醇水溶液介电常数介电损耗烧结陈化混匀凝胶球磨压片预烧造粒

[发明专利]一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN202210371204.0有效
发明人：刘来君;付振晓;刘康;杨曌;蒙应知 -专利权人：桂林理工大学;广东风华高新科技股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法，属于介电陶瓷材料技术领域；本发明的一种稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料的通式为Sr1‑3x/2LnxTiO3；其中，0.0075≤x≤0.01，Ln为稀土元素Ce、Dy或Sm中的任意一种；本发明提供的陶瓷材料以钛酸锶为基体，对其进行Ce、Dy或Sm掺杂，并优选掺杂数量，从而使制备得到的陶瓷材料的介电常数都在11000(RT，1kHz)以上，并且制备得到的材料还具有极低的介电损耗，其中介电损耗都在0.07(RT，1kHz)以下，同时其还具有优异的频率稳定性和优异的温度稳定性；另外，本发明的技术方案提供的稀土改性的钛酸锶巨介电陶瓷材料在空气中烧结，或在较低温度的氮气环境下退火，即制备过程较为简单，有利于工业生产应用。
一种稀土改性钛酸锶巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度铬和镉掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法-CN202210998900.4在审
发明人：薛人中;赵柳洋;苏玉玲;杨坤;陈子阳;袁春雨;曹斌彬;肖怡帆 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度镉和铬掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法，该薄膜材料由Ca0.5‑xCrxCd以醋酸钙、醋酸铬、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸为络合剂，乙醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备凝胶膜，经热处理后获得镉和铬掺杂的钛酸铜钙薄膜本发明制备的薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电和非线性性能优良，储能密度可达5.8~10.4 J/cm3，应用前景广泛。
一种高储能密度掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法-CN202310162590.7在审
发明人：王海燕;王巧合;李森;孙敏;赵柳洋;薛人中;李子炯 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法。起始原料为碳酸钙、碳酸钠、氧化镉、氧化铜及氧化钛按成分比例混合，经研磨、预烧、造粒、压片、排胶、并结合特定热处理工艺得到钛酸铜钠钙镉陶瓷材料。本发明制备的陶瓷具有高介电常数和低损耗的特征，最大介电常数可达7.6×104，介电损耗低至0.025，特定的热处理工艺使得材料制备过程中能耗下降12%。
一种介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法-CN202110434283.0有效
发明人：薛人中;朱祥;苏玉玲;刘德伟;张会均;陈思源;崔梦茹;陈红炫 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法，首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液，再合成钛酸铜钙溶胶；其次，清洗SrTiO3(001)基片，利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜，以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗，从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能本发明显著降低对制膜设备的要求，重复性高，适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104，介电损耗低至0.01。
一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜制备方法

[发明专利]一种巨介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料的制备方法-CN201510831544.7在审
发明人：张家松 -专利权人：胡晓鸿
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明涉及一种巨介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料的制备方法，将Cu(NO₃)₂·3H₂O和Ca(NO₃)₂·4H₂O溶于无水乙醇，制成A液；将钛酸丁酯溶于无水乙醇，制成B液；将乙二醇、柠檬酸、碳酸锂和草酸水溶液混合，制成C液；将B液滴入A液中并搅拌，控制反应温度80～95℃，pH值5.0～6.0；再将C液滴入上述得到的A、B混合液，控制pH值为3.0～4.0，温度75～85℃；产物经后处理，然后再经煅烧得纳米钛酸铜钙，煅烧温度700～850℃。制备出了粒径分布均匀，化学活性高，易于改性和掺杂，具有极高的介电常数和极低的介电损耗的纳米钛酸铜钙，该方法大大缩短了反应周期，烧成温度低，能耗低。
一种介电常数纳米钛酸铜钙陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种巨介电常数材料钛酸铜钙的合成方法-CN201110196212.8无效
发明人：崔斌;张庆;畅柱国;阎雯青;刘宇;景帅帅 -专利权人：西北大学
申请日： 2011-07-14 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种合成巨介电常数钛酸铜钙陶瓷材料的方法。具体方法如下：采用溶胶-凝胶法，并结合自蔓延法的特点，以硝酸钙、硝酸铜和钛酸酯为原料，以水和乙醇为溶剂，硝酸为催化剂并兼氧化剂，以长链有机酸作为表面活性剂并兼氧化还原反应中还原剂，按比例配制含Ti、Cu、Ca元素的溶胶和凝胶，经烘干、煅烧，充分进行氧化还原反应，最终得到组成可控、分散性好的钛酸铜钙粉体和高介电性能的钛酸铜钙陶瓷材料。本发明方法降低了制备钛酸铜钙粉体的反应温度，且原料中使用硝酸盐替代传统溶胶-凝胶法所使用的醋酸盐，大大降低了生产成本；同时加入可起表面活性剂的长链有机酸能与硝酸根发生氧化还原反应而使反应温度降低，且反应过程安全可靠
一种介电常数材料钛酸铜钙合成方法

[发明专利]一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法-CN202310398844.5在审
发明人：阮梦楠;刘晓伟;刘志锋;蒋婷婷 -专利权人：天津城建大学
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08L9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电陶瓷填料/介电弹性体复合材料及制备方法。所述复合材料中巨介电陶瓷填料为A位和B位掺杂钛酸锶钡(BaSrTiO3)，其中介电弹性体复合材料基体材料为天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯等。选取天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯100份，硫化剂1‑5份，巨介电陶瓷填料5‑20份共混，然后在150‑180℃高温下硫化25‑50分钟，制得介电弹性体复合材料。制得的巨介电陶瓷填料拥有巨介电常数(104‑106)以及低介电损耗(0.002‑0.2)，将其添加到天然橡胶、丁腈橡胶、硅橡胶和聚氨酯中，所制得的复合材料大大提高了介电性能，且在较低电场下获得高电致形变，使得介电弹性体应用范围更加广泛。
一种巨介电陶瓷填料弹性体复合材料制备方法

[发明专利]钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201310290599.2在审
发明人：曹永革;刘洋;王文超;黄秋凤;王充;陈剑;陈东川;费斌杰 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明一种钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法。经过实验测试表明，x的取值为1.00,y的取值为1.00时制备的陶瓷材料结构致密，晶粒尺寸为≤6μm；室温中在10KHz下介电常数为4655，介电损耗为0.108，且介电常数在很宽的频率范围内变化很小，同时介电损耗在很宽的频率范围下≤0.50。
钛酸铌铜钠基巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法-CN201711245607.6有效
发明人：慕春红;宋远强;邓凯;冉奥 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料及其制备方法，属于先进介电陶瓷材料技术领域。本发明的低损耗、巨介电CCTO陶瓷材料，其特征在于，包括以下重量份的组分：钙盐0.62～1.48份，铜盐或者铜的氧化物1.34～4.54份，二氧化钛1.5～2.5份，石墨烯0.012～0.15份，纳米P本发明得到的经石墨烯、纳米P型半导体混合掺杂的CCTO介电陶瓷具有更细小而均匀的晶粒，介电常数提高，最重要的是介电损耗显著下降，综合介电性能得到显著提高。
一种损耗巨介电 ccto 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法-CN201910196716.6在审
发明人：黄延伟;曾和平 -专利权人：上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明属于巨介电常数薄膜材料技术领域，具体为一种巨介电常数CCTO基薄膜材料的制备方法。具体为：先以钛酸四丁脂、硝酸铜、醋酸钙等含有金属阳离子源的材料为先驱物原料，以能溶解先驱物原料的水、无水乙醇、冰醋酸等为溶剂，配制含有钛源、铜源和钙源等的先驱物溶胶，即CCTO基材料的先驱物溶胶，将此溶胶静置一段时间进行老化采用提拉法或旋涂法在玻璃或硅衬底上进行镀膜，然后置于红外灯下烘烤10‑30min，将烘烤过的薄膜在一定条件下进行激光辐照，除去有机溶剂及溶剂阴离子，即得到纯相的CCTO基薄膜材料，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料的推广应用
先驱物巨介电常数基薄膜制备烘烤溶剂金属阳离子巨介电材料钛酸四丁脂薄膜材料激光辐照无水乙醇有机溶剂冰醋酸醋酸钙硅衬底红外灯基材料提拉法硝酸铜旋涂法阴离子镀膜钙源铜源钛源薄膜配制溶解老化玻璃

[发明专利]一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法和应用-CN202311154174.9在审
发明人：梅锋;左沛元;高国洪;张海兰;庄启昕;孙博文 -专利权人：江苏国望高科纤维有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： D06M11/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法和应用，制备方法包括：先制备羟基化钛酸铜钙纳米纤维，然后使羟基化钛酸铜钙纳米纤维与含有端氨基的烷氧基硅烷反应，生成氨基化钛酸铜钙纳米纤维，再与特定双马来酰亚胺、特定二氨基二苯醚混合，在加热条件下发生反应，生成改性钛酸铜钙纳米纤维；该方法制备的改性钛酸铜钙纳米纤维不仅在聚醚酰亚胺中具有优异的分散性，可以有效增强界面极化，而且显著改善了介电复合材料的击穿强度，降低了介电损耗，克服了现有技术中添加钛酸铜钙颗粒材料后存在的顾此失彼的问题，适于开发具有优异综合介电性能的复合电介质材料，以期在电工电子领域获得推广应用。
一种改性钛酸铜钙纳米纤维及其制备方法应用

[发明专利]一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层的方法-CN201610392017.5在审
发明人：宋仁国;项南;宋若希;刘萍;王超 -专利权人：宁波瑞隆表面技术有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层的方法。所述制备钛酸铜钙高介电涂层的方法，包括如下步骤步骤（1）选择钛酸铜钙粉末；步骤（2）对待喷涂的基材铝箔表面进行预处理；步骤（3）将经过预处理的铝箔基材固定在钢板上，选择氩气和氢气为离子气体，氮气为送粉载气，通过真空等离子喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂，制备钛酸铜钙高介电涂层。
一种等离子喷涂技术制备钛酸铜钙高介电涂层方法

[发明专利]一种钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷及其制备方法-CN202011111967.9在审
发明人：代海洋;龚高尚;王曼曼;尚翠;谢罗刚;李涛;陈靖;李子炯 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷及其制备方法，该钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷由通式Cu1‑xHoxFeO2表示，式中，0＜x≤0.08，其以三水硝酸铜、九水硝酸铁、五水硝酸钬、一水柠檬酸以及乙二醇为原料，采用溶胶‑凝胶自蔓延燃烧法制备而得。该陶瓷材料具备单相结构、室温巨介电性能和低温磁性，并且通过改变Ho3+掺杂量可以调节材料的巨介电特性和磁性；其制备工艺简单，无需预烧、烧结成相温度低、烧结时间短、成本低，环保无害，在高介电电容器、信息存储、自旋电子器件、磁电传感器等领域有着广泛的应用前景。
一种掺杂铁酸铜多铁陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料及制备方法-CN201810471367.X有效
发明人：刘洋;曾杰城;贺图升;赵旭光 -专利权人：韶关学院
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铋掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料，其化学组成符合通式为：Bi2x/3Cu3‑x介电固态电容器及数据储存器，具有烧结温度低、制备工艺简单、介电常数高、温度稳定性好等优点。
一种掺杂钛钽酸铜巨介电陶瓷材料制备方法