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[发明专利]一种高储能密度的锆酸锶掺杂钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法-CN202310683513.6在审
发明人：王海燕;杨坤;孙敏;薛人中 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明属于储能材料技术领域，公开了一种高储能密度的锆酸锶掺杂钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法。所述陶瓷的化学通式为Na0.3Ca0.2Cd0.5Cu3Ti4O12‑xSrZrO3，其中，x为SrZrO3占Na0.3Ca0.2Cd0.5Cu3Ti4O12的质量百分数，0x≤0.1。本发明首先合成了高介电常数材料钛酸铜钠钙镉，采用锆酸锶掺杂得到Na0.3Ca0.2Cd0.5Cu3Ti4O12‑xSrZrO3陶瓷；利用锶和锆离子抑制钛酸铜钠钙镉晶粒的异常长大，增强晶界的绝缘性和材料的致密度，提高了击穿场强，同时具有高的介电常数和击穿场强，储能密度可达1.15～2.23J/cm3。
一种高储能密度锆酸锶掺杂钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法-CN202310162590.7在审
发明人：王海燕;王巧合;李森;孙敏;赵柳洋;薛人中;李子炯 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法。该陶瓷材料化学式为Na2xCa1‑x‑yCdyCu3Ti4O12表示，其中x，y的取值分别为0.05~0.2，0.1~0.4；优选0.08≤x≤0.15，0.2≤y≤0.3。起始原料为碳酸钙、碳酸钠、氧化镉、氧化铜及氧化钛按成分比例混合，经研磨、预烧、造粒、压片、排胶、并结合特定热处理工艺得到钛酸铜钠钙镉陶瓷材料。本发明制备的陶瓷具有高介电常数和低损耗的特征，最大介电常数可达7.6×104，介电损耗低至0.025，特定的热处理工艺使得材料制备过程中能耗下降12%。该陶瓷材料在大容量电容器、高能量密度存储等领域具有重要的应用前景。
一种介电常数低介电损耗钛酸铜钠钙镉陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法-CN202110590077.9有效
发明人：尚翠;刘德伟;李涛;代海洋;薛人中;张会均 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种钴掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法，化学式为La0.5Sr0.5Mn1‑xCoxO3，钴掺杂量x的范围为：0x≤0.5。本发明利用溶胶‑凝胶法制备得到钙钛矿陶瓷材料，在湿凝胶处理过程中采取了在恒温保温套中先对其进行干燥然后对干凝胶进行逐步升温加热使之自烧杯底部自蔓延燃烧的工艺，避免了热处理时干凝胶粉发生燃烧喷发的现象。本发明的钴掺杂钙钛矿陶瓷，在很宽的烧结温度区间（900~1350℃）内均可得到单相的样品，掺杂量为0.15≤x≤0.5的体系均具有显著的交换偏置效应，最高交换偏置场可达10.3 kOe，并且烧结温度和钴离子掺杂量变化对交换偏置效应和偏置场大小具有明显的调控效应。
一种掺杂钙钛矿陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度铬和镉掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法-CN202210998900.4在审
发明人： 薛人中;赵柳洋;苏玉玲;杨坤;陈子阳;袁春雨;曹斌彬;肖怡帆 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度镉和铬掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法，该薄膜材料由Ca0.5‑xCrxCd0.5Cu3Ti4O12表示，其中x的取值为0~0.2。以醋酸钙、醋酸铬、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸为络合剂，乙醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备凝胶膜，经热处理后获得镉和铬掺杂的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电和非线性性能优良，储能密度可达5.8~10.4 J/cm3，应用前景广泛。
一种高储能密度掺杂钛酸铜钙薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高介电性能的钛酸铜钙薄膜及其制备方法-CN202210962495.0在审
发明人： 薛人中;张腊梅;杨坤;赵柳洋;李涛;代海洋;刘德伟;陈子阳 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用溶胶凝胶法制备高介电常数、低介电损耗的钛酸铜钙薄膜的方法，该薄膜材料由Ca1‑xCdxCu3Ti4O12表示，其中x的取值为0.3‑0.7。以醋酸钙、醋酸镉、醋酸铜及钛酸四丁酯为起始原料，丙酸和醋酸为络合剂，乙醇或甲醇为溶剂，制备溶胶，提拉法在Pt/Ti/SiO2/Si基底上制备钛酸铜钙凝胶膜薄膜，通过改进热处理工艺，获得了光滑、致密的掺镉的钛酸铜钙薄膜。本发明制备的钛酸铜钙薄膜工艺简单、成本低、重复性好，薄膜的介电性能优良，应用前景广泛。
一种高介电性能钛酸铜钙薄膜及其制备方法

[发明专利]一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷及其制备方法-CN202110368986.8有效
发明人：李涛;代海洋;刘德伟;薛人中;陈靖 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电低损耗钛酸钡基陶瓷，涉及电子材料技术领域。所述钛酸钡基陶瓷包括钛酸钡及所述钛酸钡中共掺杂的氧化铜和氧化铋；所述钛酸钡、氧化铜、氧化铋质量占比为(1‑x)：0.5x：0.5x，其中，x取值范围为0＜x≤0.7％；所述钛酸钡基陶瓷的相对密度为94.68～96.69％。本发明采用Bi2O3、CuO共掺杂，Bi2O3和CuO作为烧结助剂能有效降低BaTiO3基陶瓷的烧结温度，节约了能耗，并获得结晶度良好，晶粒尺寸均匀的陶瓷样品。
一种高介电低损耗钛酸钡陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法-CN202110434283.0有效
发明人： 薛人中;朱祥;苏玉玲;刘德伟;张会均;陈思源;崔梦茹;陈红炫 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明提供了一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜的制备方法，首先利用溶胶凝胶法制备钙、铜、钛的溶液，再合成钛酸铜钙溶胶；其次，清洗SrTiO3(001)基片，利用浸渍提拉法在基片上制备钛酸铜钙凝胶薄膜；最后在不同的气氛和温度下热处理得到单一取向的CCTO薄膜。本发明利用设备简单、低成本的溶胶凝胶法在SrTiO3(001)基片上制备了单一取向的钛酸铜钙薄膜，以提高薄膜的介电常数并降低介电损耗，从而实现钛酸铜钙薄膜的高介电性能。本发明显著降低对制膜设备的要求，重复性高，适合在不同造型的基底上制备高质量的钛酸铜钙薄膜。本发明的薄膜材料的介电常数达到104，介电损耗低至0.01。
一种高介电性能钛酸铜钙外延薄膜制备方法

[发明专利]一种钇和铪共掺杂的铌酸银无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202110990105.6有效
发明人： 薛人中;朱祥;赵承周;李涛;代海洋;刘德伟;陈思源;陈红炫;崔梦茹;白新涛 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明所公开了一种铌酸银基反铁电陶瓷材料，所述铌酸银基反铁电陶瓷材料的化学式为Ag1‑3xYxNb1‑xHfxO3，0≤x≤0.10，优选为0.03≤x≤0.05，具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。该工艺减少了铌酸银陶瓷材料高温烧结时间，能耗下降23%，提高了材料的致密度并减小晶粒尺寸，储能密度和储能效率分别提高了22.2%和13.5%。本发明在降低生产能耗的同时，所得材料的储能密度在2.2～5.3J/cm3，储能效率为42～80％。作为脉冲功率的电源，有非常重要的应用价值。
一种掺杂铌酸银无铅反铁电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用-CN202111081267.4在审
发明人：李涛;孙煜;代海洋;陈靖;薛人中;刘德伟 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及低介电聚酰亚胺复合材料技术领域，具体涉及一种低介电聚酰亚胺基复合薄膜及其制备方法和应用。低介电常数的聚酰亚胺薄膜按照如下步骤制备：以均苯四甲酸二酐和4,4'‑二氨基二苯为原料制备聚酰胺酸溶液，然后添加纳米笼型苯基倍半硅氧烷后，经亚胺化后制得低介电聚酰亚胺基复合薄膜，低介电聚酰亚胺基复合薄膜能够被应用于制备电子器件封装材料及在制备集成电路的层间介质材料中。本发明采用纳米笼型苯基倍半硅氧烷掺杂后，得到在100‑106Hz频率测试范围内，测得介电常数为2.2≤k≤2.5、介电损耗因子0.0011≤D≤0.0073的复合薄膜，复合薄膜具有良好的机械性能，并且工艺简单，原材料易购，价格低廉。
一种低介电聚酰亚胺复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种锆掺杂锰酸钆多铁陶瓷及其制备方法-CN202010237537.5有效
发明人：代海洋;彭科;王曼曼;陈靖;李涛;刘德伟;薛人中;陈镇平 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆掺杂锰酸钆多铁陶瓷及其制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该陶瓷材料的化学式为GdMn1‑xZrxO3，其中，掺杂量x的范围为：0＜x≤0.10。GdMn1‑xZrxO3粉体采用溶胶凝胶法制备。该陶瓷材料具备单相结构、室温巨介电性能和低温磁性，并且通过改变Zr4+的掺杂量可以调节材料的介电性能和磁性。本发明制备工艺简单，烧结成相温度低，烧结时间短，成本低，环保无害，在高介电电容器、信息存储、敏感磁电传感器、能量转换器和滤波器等领域具有很好的应用前景。
一种掺杂锰酸钆多铁陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铕、锆共掺铁酸铋多铁陶瓷及其制备方法-CN201611029695.1有效
发明人：代海洋;李涛;刘德伟;薛人中;陈靖;陈镇平 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：本发明一种铕、锆共掺铁酸铋多铁陶瓷，其化学式分子式为Bi1‑xEuxFe1‑xZrxO3，其中，掺杂量x的范围为：0＜x≤0.15，该铕、锆共掺铁酸铋多铁陶瓷可以按照Bi1‑xEuxFe1‑xZrxO3元素化学摩尔计量比进行配料，然后通过改进的固相反应法得到。由于本发明通过铕、锆掺杂，能有效减少氧空位、Fe2+、杂相含量，打破了临近的Fe3+反平行排列，同时通过结构扭曲能破坏空间调制的螺旋自旋磁结构，使得铁酸铋材料的漏电特性、介电性能、铁电性能、磁学性能得到显著提高，在信息存储、卫星通讯、自旋电子学、磁电传感器、多功能电子器件等领域具有很好的应用前景。
一种锆共掺铁酸铋多铁陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种棉花轧工质量快速分级系统-CN201721363235.2有效
发明人：陈智勇;李晓慧;肖兵;毛志丹;王一凡;陈克洋;贺小红;朱冬;杨淑贞;马千惠;茹蓓;张志峰;翟玉生;张腊梅;薛人中;马晓春;耿利杰;刘榆;汤一明;乔林;吴凡;张霖 -专利权人：河南省纤维检验局
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种棉花轧工质量快速分级系统，所述分级系统具有一本体，所述本体的上端设有样品固定装置，所述样品固定装置的下方安装有图像采集装置，其中，所述样品固定装置包括下压板以及位于下压板下部的样品固定块；所述图像采集装置包括LED照明装置、图像采集器以及样品池，所述样品池位于所述样品固定块的下方，所述LED照明装置、所述图像采集器位于所述样品池的下方。本实用新型棉花轧工质量快速分级系统利用机器视觉光电检测技术，其具有实时、高效、客观、准确的优点，本实用新型分级系统检测速度快，检测效果好。
一种棉花工质快速分级系统

[发明专利]一种棉花轧工质量快速分级系统-CN201710979280.9在审
发明人：陈智勇;李晓慧;肖兵;毛志丹;王一凡;陈克洋;贺小红;朱冬;杨淑贞;马千惠;茹蓓;张志峰;翟玉生;张腊梅;薛人中;马晓春;耿利杰;刘榆;汤一明;乔林;吴凡;张霖 -专利权人：河南省纤维检验局
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种棉花轧工质量快速分级系统，所述分级系统具有一本体，所述本体的上端设有样品固定装置，所述样品固定装置的下方安装有图像采集装置，其中，所述样品固定装置包括下压板以及位于下压板下部的样品固定块；所述图像采集装置包括LED照明装置、图像采集器以及样品池，所述样品池位于所述样品固定块的下方，所述LED照明装置、所述图像采集器位于所述样品池的下方。本发明棉花轧工质量快速分级系统利用机器视觉光电检测技术，其具有实时、高效、客观、准确的优点，本发明分级系统检测速度快，检测效果好。
一种棉花工质快速分级系统

[发明专利]一种全光路光漂补偿的高精度滚转角测量方法与装置-CN201410727052.9在审
发明人：翟玉生;张志峰;薛人中;耿利杰;杨鹏;苏玉玲;王新杰 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光路光漂补偿的高精度滚转角测量方法与装置，属于光电检测技术领域。采用一对逆向反射器作为敏感器件，通过平行双光束差动测量获得滚转角信息，其中平行双光束通过一组五角分光棱镜和五角棱镜对准直激光束进行分光后获得，双光束平行性由棱镜加工精度保证，无需调整，大大提高了测量方法的可行性和实用性；通过采用如直角棱镜的光束平移且反向装置，使两束测量光的路径完全重合，而光路方向互逆，利用这一特性，在两倍提高测量分辨率的同时，结合共路光漂补偿法，可以实现激光光线漂移的全光路完全补偿，解决了目前采用激光准直测量方法中无法完全消除激光光线角度漂移影响的共性难题，可以实现滚转角测量分辨率优于0.1″，精度优于1″；本发明光学结构紧凑，调节简单，无多自由度误差串扰，移动部分不带电缆，便于现场测量。
一种全光路光漂补偿高精度转角测量方法装置

[发明专利]基于信息融合技术列车轮对踏面损伤在线检测与识别方法-CN201410756876.9有效
发明人：张志峰;翟玉生;薛人中;陈靖;耿利杰;王新杰;苏玉玲;刘海增 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： B61K9/12 文献下载
摘要：一种基于信息融合技术列车轮对踏面损伤在线检测与识别方法，其步骤为：(1)图像获取；(2)图像预处理；(3)损伤初步检测；(4)损伤精确定位：近红外图像处理结果与灰度图像处理结果进行数据融合，对踏面损伤标记和定位，经过形态学处理获得损伤的纹理和面积，对踏面裂纹进行形态学处理获得裂纹的长度；(5)损伤的判定：提取和选择踏面损伤区域的特征，设计并训练一个BP神经网络，并使用BP神经网络对缺陷进行分类，通过终端处理单元记录列车轮对踏面损伤信息，能为车轮、机车及线路的运行情况分析提供参考。本发明具有检测全面、自动化程度高、检测速度快、检测精度高等优点。
基于信息融合技术列车轮对损伤在线检测识别方法

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