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[发明专利]一种从铜镉渣中生产金属铜粉方法-CN202110494917.1在审
发明人：文兵;张国君;刘安荣;王振杰;彭伟;刘洪波;钟波 -专利权人：六盘水中联工贸实业有限公司;贵州省冶金化工研究所
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及湿法冶金技术领域，具体涉及到一种从铜镉渣中生产金属铜粉方法，利用铜、锌成分能够溶解于氨性溶液中生成铜铵络离子、锌铵络离子，实现铜镉渣中镉成分与铜、锌分离的原理；再利用亚铜离子的盐几乎不溶于水、稀酸、稀碱等溶液，且锌只有二价锌离子，其盐易溶于水、酸、碱等溶液，采用还原剂将二价铜离子还原成亚铜离子，产生沉淀，实现锌、铜分离；再利用亚硫酸铵亚铜在150℃左右时，会发生歧化分解，形成金属铜、硫酸铵和二氧化硫气体或者向亚硫酸铵亚铜沉淀中加硫酸至10％以上时，酸分解形成亚铜离子、硫酸铵、二氧化硫气体，且亚铜离子再歧化分解为金属铜和铜离子，以实现金属铜粉的回收。
一种铜镉渣中生产金属方法

[发明专利]一种硒化镉量子点与二氧化钛纳米管复合物、制备方法及其在电化学发光手性识别中的应用-CN202210133902.7在审
发明人：孔泳;赵倩倩;蔡文蓉;李俊瑶;吴大同 -专利权人：常州大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01N21/76 文献下载
摘要：一种硒化镉量子点与二氧化钛纳米管复合物、制备方法及其在电化学发光手性识别中的应用，属于纳米材料制备和分子识别技术领域。制备方法为：采用3‑巯基丙酸作为稳定配体合成水溶性的硒化镉量子点，将硒化镉量子点与氨基化的二氧化钛纳米管进行酰胺化反应，获得硒化镉量子点与二氧化钛纳米管复合物，有效地改善了电化学发光性能。利用D‑氨基酸氧化酶可选择性地催化D‑氨基酸产生过氧化氢，过氧化氢作为硒化镉量子点/二氧化钛纳米管复合物电化学发光的共反应试剂，可显著增强体系的电化学发光强度，从而实现对氨基酸对映体的识别。能够实现对多种氨基酸对映体的选择性识别，具有良好的普适性。
一种硒化镉量子氧化纳米复合物制备方法及其电化学发光手性识别中的应用

[发明专利]介电陶瓷组合物和介电陶瓷-CN03103411.X无效
发明人：古濑辰治;平原诚一郎;中泽秀司;大出泰;儿嶋知将;关根史明;牧野浩;米仓学 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明提供一种介电陶瓷组合物，该组合物包含：30～90％重量的能够沉积透辉石晶体的结晶玻璃粉，1～40％重量的钛酸钙粉、钛酸锶粉或其混合粉，和0～60％重量的至少一种选自Al2O3，TiO2，ZrO2，MgTiO3，BaTi4O9，La2Ti2O7，Nd2Ti2O7，Ca2Nb2O7，SrZrO3和CaZrO3的粉末，以及焙烧该组合物得到的介电陶瓷。
陶瓷组合

[发明专利]具有掺杂钛酸盐主体的金属－氧化物－半导体-CN200580036120.6有效
发明人：古川有纪子;文森特·C·韦内齐亚;拉杜·苏尔代亚努 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-10-19 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：一种金属－氧化物－半导体(MOS)器件，具有单晶钛酸锶或钛酸钡主体，其中所述主体包括与介电区(26)相邻的掺杂半导体区(24)。所述主体还包括借助介电区而与半导体区分离的掺杂导电区。以各种方式掺杂时，利用单晶钛酸锶的本质特征，提供MOS叠层的绝缘部件、导电部件和半导体部件。使用单独的主体有利地避免了在叠层部件之间出现界面层，改善了诸如场效应晶主体管之类的MOS器件的特征。
具有掺杂钛酸盐主体金属氧化物半导体

[发明专利]一种模板法制备铜掺杂介孔二氧化钛的方法及应用-CN201910558901.5有效
发明人：李学;刘朋;曹振浩;李文婷;焦雅培;许静静;任玉芳;李森 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜掺杂介孔二氧化钛的制备方法，本制备方法以嵌段共聚物为模板，以水和乙醇为混合溶剂，四氯化钛等钛前驱体作为钛源，采用蒸发诱导组装法制备了铜掺杂有序介孔二氧化钛，本发明方法操作简单、易于调控
一种模板法制掺杂介孔二氧化方法应用

[发明专利]一种密度可控的介电材料的制备方法及应用-CN202310642451.4在审
发明人：蓝小琴;沈斌;吴飞;陈学哲;崇云凯;郑文革 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08J9/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种密度可控的介电材料的制备方法及应用。所述制备方法包括以下步骤：S1、将聚合物与改性陶瓷介电材料熔融共混，制备出片材；S2、将片材置于密闭容器中，进行加压、加热处理后，释压，得到密度可控的介电材料；所述改性陶瓷介电材料包括钛酸酯偶联剂、陶瓷介电材料和稀释剂该制备方法得到的介电材料具有密度可控、介电常数均匀、泡孔均匀的性能，易加工成型，可应用于5G通讯等领域。
一种密度可控材料制备方法应用

[发明专利]预合金法生产铜基电接触材料-CN201410406075.X有效
发明人：姚圣彦;曹振;姚祎;丛淑艳 -专利权人：黑龙江中勋机电科技发展有限公司
申请日： 2014-08-18 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： B22F1/00 文献下载
摘要：预合金法生产铜基电接触材料。为提高铜基合金电接触材料性能的稳定性，降低其电阻率；首先将欲加入铜基电接触材料中的元素与铜熔炼，生成二元或多元合金；这些加入合金中的元素包括锆、铝、锡、镧、镉等，加入的比例为(重量百分比)0.01～4.0；经搅拌后立即采用聚冷雾化的工艺方法制成合金化铜粉；再以99.9-50(重量百分比)该二元或多元合金铜粉为基体，添加0.1-50(重量百分比)粉状碳氮化钛粉，将上述材料按比例混合均匀，用粉末冶金的方法烧结成型得到一种新型低压电器触点用铜基合金电接触材料。本发明所提供的铜基合金电接触材料中，所添加的元素均匀分布在微小颗粒中，使材料性能更加稳定；同时作为骨架成分的碳氮化钛是良好的导电体，克服了使用金刚石微粉作为铜基合金电接触材料骨架不导电的弱点。
合金生产铜基电接触材料

[发明专利]一种Bi_0.5Na_0.5Cu₃Ti₄O₁₂巨介电非线性压敏陶瓷的制备方法-CN200910272219.6无效
发明人：袁松柳;田召明;尹诗岩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2009-09-24 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi_0.5Na_0.5Cu₃Ti₄O₁₂巨介电非线性压敏陶瓷的制备方法，属于电子信息元器件材料领域本发明利用柠檬酸和乙二酸四乙胺为络合剂的溶胶-凝胶法制备Bi_0.5Na_0.5Cu₃Ti₄O_{12介电性能和非线性压敏性能。}
一种 bi sub 0.5 na cu ti 12 巨介电非线性陶瓷制备方法

[发明专利]一种铈掺杂钛酸锶钡粉体的制备方法-CN201410214909.7有效
发明人：王思哲;廖家轩;汪澎;徐自强;尉旭波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种铈掺杂钛酸锶钡粉体的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明用柠檬酸作为络合剂、乙二醇作为交联剂、铈盐作为掺杂剂、用无水乙醇替代去离子水作为助溶剂，通过柠檬酸对相应金属离子的络合作用以及柠檬酸盐与乙二醇的酯化聚合作用，克服了常规铈掺杂BST溶胶因强烈水解而出现沉淀的现象溶胶经800～1000℃煅烧后得到平均粒径为90～100nm的铈掺杂钛酸锶钡粉体。所得铈掺杂钛酸锶钡粉体结构及形貌显著改善，综合介电性能大幅度提高，在1GHz频率下测试的平均介电常数约为70、介电损耗约0.003，可满足铁电存储器、红外探测器、微波器件等诸多领域的应用需要。
一种掺杂钛酸锶钡粉体制备方法

[发明专利]一种铜镉渣提镉残渣资源回收的方法-CN201510319706.9在审
发明人：卢正杰;薛小军;牛海波 -专利权人：陕西瑞凯环保科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镉渣提镉残渣资源回收的方法。首先在常压高温下按一定液固比加硫酸，鼓空气浸出铜镉渣提镉的副产品铜渣并固液分离，得到铅银渣和浸出液；然后用选择性电沉积产出的活性铜粉在高温条件下脱除浸出液中的氯，得到脱氯铜渣和净化液；净化液分两段选择性电沉积分别得到标准阴极铜管和活性铜粉并产出几乎不含铜的脱铜液；脱铜液作为锌冶炼系统的焙砂浸出液使用返回主系统；铜粉脱氯得到的脱氯铜渣经通空气碱洗后得到铜泥和浓盐水；铜泥作为铜渣的一种来源返回高温浸出；浓盐水蒸发后制备工业氯化钠。本发明为铜镉渣提镉副产品铜渣回收铜提供了一种全新的工艺模式，相较其他工艺能耗低，资源回收更充分，能够有效的实现减排增收。
一种铜镉渣提镉残渣资源回收方法

[发明专利]高导电性银铜复合触头材料-CN201410581944.2在审
发明人：杜宵 -专利权人：西安烨森电子科技有限责任公司
申请日： 2014-10-26 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01H1/025 文献下载
摘要：本发明公开了高导电性银铜复合触头材料，包括铜粉55～60份、铬化钛16～30份、镧5～18份、粘结剂2～14份、锌3～10份、氧化镧3～11份、二氧化锗2～10份、氧化锡3～10份、金属陶瓷4～11份、二硼化钛2～8份、碳化硼微粉1～7份、银氧化镉1～8份。本发明的高导电性银铜复合触头材料，保证了银铜合金成分分布的均匀性，因复合效应而产生十分有益的综合性能，有效地节约贵金属白银，降低电触头材料成本，并且由本发明组份材料生产出来的电触头具有电导率高、抗熔焊、
导电性复合材料

[发明专利]钛酸铜纳米针及其制备方法-CN201310453564.6无效
发明人：裴立宅 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸铜纳米针及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述钛酸铜纳米针的长度为1-6μm，纳米针尖部直径为10-50nm。该钛酸铜纳米针是采用钛酸四丁酯、乙酸铜作为原料，水为溶剂，十二烷基硫酸钠（SDS）作为结构导向剂，在密闭容器内低温加热一段时间制备出来的。本发明提供了一种新颖的钛酸铜纳米针及低温化学过程大量制备钛酸铜纳米针的方法，采用的原料及制备过程对环境无污染，可实现钛酸铜纳米针的批量制备。
钛酸铜纳米及其制备方法

[发明专利]一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用-CN202011519121.9有效
发明人：傅邱云;董文;马琪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C04B35/457 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷材料技术领域，更具体地，涉及一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备和应用。该陶瓷材料在低于50K温度条件下具有稳定的巨介电性能、低介电损耗以及反铁磁性。
一种低温巨介电反铁磁陶瓷材料及其制备应用

[发明专利]一种由聚酰胺11/锆钛酸铅生成的新型复合材料高介电性能测试方法-CN201310600813.X无效
发明人：李科蕾;杨凌;金鑫;夏永乐;范明明;樊嘉琛;马世雄;王磊;郭英杰;王腾飞;任超英 -专利权人：中北大学
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C08L77/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种由聚酰胺11／锆钛酸铅生成的新型复合材料高介电性能测试方法，属于电学技术领域。本发明对制备的样品测试后发现，合成的聚酰胺11／锆钛酸铅复合材料在陶瓷体积含量为80％的时候有最好的介电性，介电常数达到120。介电常数与陶瓷相体积成正比，在不同的测试温度和频率下维持不变；该复合材料的介电损失随着测试频率的改变轻微改变，聚酰胺11偶极子的活跃部分运动使温度升高时更容易极化。本发明提供了一种新的能为电容提供优质的介电表现的铁电陶瓷／聚合物复合材料，并且从结构机制分析获得了优异的电性能，以满足先进耦合电容抑制配电噪音的需要。
一种聚酰胺 11 锆钛酸铅生成新型复合材料高介电性能测试方法

[发明专利]一种石墨烯-CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法-CN201910697433.X在审
发明人：曾和平;黄延伟;贺嘉杨 -专利权人：华东师范大学重庆研究院;华东师范大学
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料的制备方法，其包括以下步骤：将金属离子源分溶解于溶剂中，混匀后，得到CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱体溶胶静置进行老化后，基陶瓷材料的前驱体干粉研磨成细粉后，在低功率激光下进行辐照，得到石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末；将所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合粉末经过压实成型后，在高功率激光下进行合成，得到所述石墨烯‑CCTO基陶瓷复合介电材料本发明所得复合介电材料颗粒细小、致密性较好，具有巨介电、低损耗的特点，且该制备方法成本低廉、快速高效，适合巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
石墨烯陶瓷材料介电材料陶瓷复合制备陶瓷复合粉末前驱体溶胶前驱体干粉混匀高密度存储器件复合介电材料低功率激光高功率激光金属离子源巨介电材料氧化石墨烯辐照研磨低损耗分散液致密性溶剂介电细粉压实成型溶解合成老化应用