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[发明专利]一种利用空气淬火降低钛酸铜钙陶瓷损耗的方法-CN201711259380.0有效
发明人：张建花;郑杰诚;李晔城;刘玉倩;宋建成;吝伶艳;李媛媛 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于溶胶‑凝胶法利用空气淬火制备低介电损耗钛酸铜钙陶瓷的方法。方法如下：以硝酸铜、硝酸钙、钛酸丁酯为原料，以无水乙醇为溶剂，首先按照钛酸铜钙的化学表达式CaCu3Ti4O介电损耗低，频率稳定性好。
一种利用空气淬火降低钛酸铜钙陶瓷损耗方法

[发明专利]一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法-CN201110127263.5无效
发明人：杨海波;林营;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法，取分析纯的BaCO3、Fe2O3和Nb2O5球磨4后烘干，过筛，压块，预烧，得低介电损耗铁铌酸钡粉体；取分析纯的BaCO3和TiO2球磨后烘干，过筛，压块，预烧得低介电损耗铁铌酸钡粉体；将BaFe0.5Nb0.5O3和BaTiO3粉体混合均匀后加入PVA粘合剂得低介电损耗铁铌酸钡的混合粉末；将混合粉末按需要压制成型，烧结得到低介电损耗铁铌酸钡陶瓷。本发明制备的低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的具有巨介电常数和非常低的介电损耗，1kHz时介电常数为13300～21000，介电损耗为0.14～0.32。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷可以在1350℃的条件下烧结。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备工艺简单。
一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法-CN201910196693.9在审
发明人：曾和平;黄延伟 -专利权人：上海朗研光电科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料的制备方法，其包括如下步骤：将前驱物原料溶解于溶剂中，得到前驱物溶胶；将所述前驱物溶胶静置干燥后，得到干凝胶；将所述干凝胶研磨成细粉后，再烘干研磨，得到CCTO基陶瓷材料的前驱物；将所述CCTO基陶瓷材料的前驱物置于铜坩埚中，进行激光辐照后，除去溶剂，得到CCTO基陶瓷粉末；将所述CCTO基陶瓷粉末压实成型，进行激光烧结，得到所述巨介电、低损耗CCTO基陶瓷材料与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：此法制备的陶瓷材料的介电常数可达10⁴以上，该制备方法成本低廉、快速高效，适合CCTO巨介电材料在高密度存储器件中的大范围应用。
陶瓷材料制备低损耗前驱物介电前驱物溶胶陶瓷粉末研磨干凝胶溶剂高密度存储器件巨介电材料激光辐照激光烧结介电常数静置干燥原料溶解铜坩埚烘干细粉压实成型应用

[发明专利]一种稀土掺杂钽钛酸盐粉体及其制备方法-CN202111177245.8有效
发明人：刘洋;肖文海;贺图升;王操;田长安;黎载波 -专利权人：韶关学院
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土掺杂钽钛酸盐粉体，其通式为Cu3‑xLax(TiO3)钛酸盐粉体的其制备方法，以碳酸氢钾、五氧化二钽、硝酸镧或其水合物、硝酸铜或其水合物、钛酸丁酯和柠檬酸为原料，无水乙醇作为溶剂，通过混合、水浴搅拌、干燥煅烧得到所述稀土掺杂钽钛酸盐粉体本发明合成的稀土掺杂钽钛酸盐粉体纯度较高，合成过程无水解发生，烧结块材致密，介电系数高，介电响应稳定。
一种稀土掺杂钽钛酸盐粉体及其制备方法

[发明专利]一种高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料及制备方法-CN201210094770.8无效
发明人：宋洪松;杨程 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空材料研究院
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明属于复合材料领域，涉及一种高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料及制备方法。本发明的高介电常数陶瓷/聚合物基复合介电材料由聚偏氟乙烯和钛酸铜钙陶瓷的混合粉末经热压形成。本发明所制备的陶瓷/聚合物基复合介电材料具有高介电常数，同时便于控制填料的填充量，具有工程实用性。
一种介电常数陶瓷聚合物复合材料制备方法

[发明专利]一种Zn+Ta共掺杂TiO2-CN202210482575.6在审
发明人：徐东;蒋志;李永涛;李家茂;王梦凡;左如忠;李宇佳;赵丹;孙志鹏 -专利权人：安徽工业大学;安徽工程大学;中机智能装备创新研究院（宁波）有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明涉及介电陶瓷制备技术领域，具体涉及一种Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷、制备方法及其应用，采用闪烧法制备组成为(Zn1/0.05Ti0.95O2(ZTTO)的TiO2基巨介电陶瓷，利用XRD、SEM和XPS对Zn+Ta共掺杂TiO2基巨介电陶瓷的微观结构、电学性能、快速致密化理论和巨介常数来源进行了综合研究，在不同电场强度下，焦耳热和高加热速率实现样品快速致密，细化了材料的微观结构，优化了材料的介电性能，当电场为200V/cm时，获得了巨介电常数(ε′～1.32×104)和较低的介电损耗(tanδ～0.27)，炉温降低了25％，烧结时间缩短了90％以上，巨介电常数可能源于电子钉扎缺陷偶极子极化和麦克斯韦‑瓦格纳弛豫型界面极化，这为TiO2基巨介电陶瓷的制备开辟了途径。
一种 zn ta 掺杂 tio base sub

[发明专利]一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法-CN201510036345.7有效
发明人：李建英;贾然;武康宁;侯林林;高璐;李盛涛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开一种高非线性低损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法，本发明方法包括首先根据化学表达式Y2x/3Ca1‑xCu3Ti4O12中各元素化学计量比计算并称取适量分析纯Y2O3,CaCO3,CuO,TiO2粉末原料；其次将混合后的原料使用行星式球磨机球磨，烘干、研磨、过筛后煅烧得到均匀的混合粉体，最后通过传统固相法制备陶瓷试样，得到钛酸铜钇与钛酸铜钙的复相陶瓷。本发明复相陶瓷的损耗因数tanδ最小值可降至0.02，是钛酸铜钙单相陶瓷试样的十分之一；同时非线性系数达到9.88，是钛酸铜钙单相陶瓷试样的两倍；击穿场强为11.24kV/cm，较钛酸铜钙陶瓷试样提高了一个数量级本发明工艺简单，制备的复相陶瓷具有低介电损耗，高非线性系数的特点。
一种非线性损耗双钙钛矿复相陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛铁铌酸铜铋巨介电陶瓷材料及其制备方法-CN201410410570.8有效
发明人：杨祖培;时萍萍;晁小练 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C04B35/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛铁铌酸铜铋巨介电陶瓷材料及其制备方法，用通式BiCu₃Ti₃Fe_1-xNb_xO_{12介电损耗峰向高频方向移动，其中x的取值为0.9时，陶瓷材料在室温下的介电常数最高，在1kHz和100kHz时分别为29010、7300}
一种钛铁铌酸铜铋巨介电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器-CN202110607929.0在审
发明人：吴永德;郑洪河 -专利权人：吴永德
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器，属于储能器件技术领域。该基于巨介电陶瓷材料的长效储能电容器包括第一固态相和第二固态相，第一固态相和第二固态相中至少一个设有巨介电陶瓷层，巨介电陶瓷层设置在集电极上；第一固态相和第二固态相之间设置有电解质层，电解质层中设有隔膜本发明基于巨介电陶瓷材料能够制成大容量长效储能电容器，突破了传统物理电容器由于自身体积电阻导致的自放电较快而难以长时间储存电荷的问题。
基于巨介电陶瓷材料长效电容器

[发明专利]一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法-CN201210435845.4无效
发明人：刘白 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2012-11-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种亚微米钛酸镉晶体及其制备方法。该亚微米钛酸镉晶体制备方法包括获取过氧化镉的步骤和采用固相合成法制备亚微米钛酸镉晶体的步骤。本发明亚微米钛酸镉晶体制备方法采用固相合成法，将过氧化镉颗粒和TiO2混合后在一个相对较低的温度下，经过热处理制备钛酸镉亚微米晶。该方法工艺简单，条件易控，能耗低，时间短，避免了昂贵化学试剂的使用，有效降低了钛酸镉亚微米晶的生产成本。由该方法制备的亚微米钛酸镉晶体纯度高，结晶性好，尺寸小。
一种微米钛酸镉晶体及其制备方法

[发明专利]一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法-CN201110183011.4有效
发明人：翟继卫;张奇伟 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C22C29/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与器件技术领域，涉及一种低损耗、高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备。本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料，其结构为单相的立方钙钛矿结构，其成分包括如下质量百分比的组分：BaxSr1-xTiO3(x=0.3～0.8)50wt.%～99.9wt.本发明的介电可调的钛酸锶钡基微波陶瓷材料将Fe粉添加到不同Ba/Sr组分的钛酸锶钡铁电材料中，研制得到一种具有低损耗，高介电可调特性，且可用于可调器件的陶瓷材料，尤其适合用作可调微波器件的微波介质陶瓷铁电移相器材料
一种损耗高介电可调钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡-聚偏氟乙烯共聚物铁电材料及其制法-CN202010825249.1在审
发明人：王志越 -专利权人：嵊州市汇业新材料科技有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明涉及聚偏氟乙烯铁电材料技术领域，且公开了一种钛酸锶钡‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料，包括以下配方原料：聚氨酯包覆钛酸锶钡‑铁酸铋、聚偏氟乙烯、乙烯‑三氟氯乙烯共聚物。该一种钛酸锶钡‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料，固相熔融法制备出的钛酸锶钡固溶体的介电常数更大，通过镧掺杂铁酸铋的修饰，增强了钛酸锶钡的剩余磁化强度和饱和磁化强度，降低了其介电损耗，使钛酸锶钡固溶体呈现出优异的介电和铁电性能，在钛酸锶钡和铁酸铋的表面包覆一层聚氨酯，通过熔融共混交联成共聚物，大幅改善了钛酸锶钡‑铁酸铋在聚偏氟乙烯中的分散性和相容性，从而增强了聚偏氟乙烯的介电性能和铁电性能。
一种钛酸锶钡聚偏氟乙烯共聚物材料及其制法

[发明专利]一种溶胶-凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法-CN201810273383.8在审
发明人：孙礼;郝文涛;曹恩思;张雍家;张茹;郭建琴 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明属陶瓷合成技术领域，提供一种溶胶‑凝胶法制备钛酸铜钙/铁酸镍复合磁电陶瓷材料的方法。用溶胶‑凝胶法分别制备铁酸镍即NFO前驱体粉末和钛酸铜钙即CCTO前驱体粉末，CCTO前驱体粉末和NFO的前驱体粉末以摩尔比为3:1的比例混合后加入粘合剂，混合均匀后压制成陶瓷坯体，将陶瓷坯体烧结获得钛酸铜钙/铁酸镍即CCTO‑NFO复合磁电陶瓷样品。原材料的价格低廉，成本低；反应过程组分可控，防止出现杂相；成胶时间短；制备工艺简单，陶瓷样品的介电特性和磁性都体现出很强的规律性。陶瓷片致密度高、晶粒均匀度高。
前驱体粉末钛酸铜钙铁酸镍磁电陶瓷材料陶瓷坯体陶瓷样品复合制备颗粒均匀性溶胶-凝胶磁电陶瓷磁电性能介电特性陶瓷合成制备工艺粘合剂晶粒烧结均匀度摩尔比凝胶法陶瓷片成胶可控凝胶规律性压制

[发明专利]一种相变制备的介孔单晶钛酸铅材料的方法及介孔单晶钛酸铅材料-CN202211406510.X在审
发明人：周迪逵;施钧辉;张瑞安;任召辉;韩高荣 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变制备的介孔单晶钛酸铅材料的方法及介孔单晶钛酸铅材料。本发明将钛酸铅材料制成单晶纳米纤维后，利用在居里温度点附近的相变特性，通过热处理结合快速水冷，得到钛酸铅介孔单晶材料。本发明得到的钛酸铅介孔单晶材料内部存在大量分布均匀、刻面规则的六面体介孔，研磨后暴露的介孔表面展现较强的自发极化效应，对铁电材料的应用和介孔材料的设计指导具有重要意义。
一种相变制备介孔单晶钛酸铅材料方法

[发明专利]一种铜镉渣中锌、铜、镉综合回收方法-CN202211097963.9在审
发明人：庞振业;牛永胜;展之旺;郭永宏;方彦霞;张彦翠;王源瑞;王亚平;姚应锋;孙帅楠;李金明;马健飞 -专利权人：西北矿冶研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镉渣中锌、铜、镉综合回收方法，先将铬渣进行氧化碱浸，固液分离后在经酸化的浸出液中加入铜镉渣，渣中的锌被重铬酸盐氧化生成硫酸锌，镉、铜不与重铬酸盐发生反应富集于渣相，形成富铜镉渣，固液分离，在酸浸液中加入氨水，调节溶液pH，使铬生成氢氧化铬沉淀，锌生成[Zn(NH3)4](OH)2，固液分离，渣相进行氧化酸浸使Cr(III)转化为Cr(VI)，循环使用；液相中加入硫酸调节溶液pH，使[Zn(NH3)4](OH)2转化为硫酸锌后进入电积工序。在富铜镉渣中加入硫酸进行酸浸，浸出液中加入亚硫酸钠沉镉；本工艺利用铬酸盐生产过程产生的铬渣经氧化碱浸，碱浸液酸化后与铜镉渣相互作用，不仅使铜镉渣中锌、铜、镉进行了湿法分离，而且实现了渣的资源化利用和无害化处理
一种铜镉渣中锌综合回收方法