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[发明专利]一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构及其制备方法-CN201811267168.3在审
发明人：李效民;黎冠杰;贾莎莎;朱秋香;徐小科;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构及其制备方法，所述钙钛矿型功能薄膜GaN基异质外延结构包括GaN半导体衬底、以及依次生长在GaN半导体衬底表面的TiN界面外延层、SrTiO₃缓冲模板层、和钙钛矿型功能薄膜；所述GaN半导体衬底的取向为（0002）面，所述TiN界面外延层的外延取向为（111）面，所述SrTiO₃缓冲模板层的外延取向为（111）面，所述钙钛矿型功能薄膜的外延取向为（111）面。
钙钛矿型功能薄膜外延取向异质外延模板层外延层衬底缓冲制备半导体半导体衬底表面取向生长

[发明专利]一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法-CN201911421476.1在审
发明人：熊健;代忠军;何珍;范宝锦;刘伟之;赵倩;薛小刚;蔡平;张坚 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用倒置平面异质结结构太阳能电池，分别使用透明电极和银作为阳极和阴极，聚(三芳胺)为空穴传输层，富勒烯衍生物PC61BM为电子传输层，聚乙烯吡咯烷酮为钙钛矿钝化层。本发明中的聚乙烯吡咯烷酮能够有效的钝化钙钛矿晶界，降低钙钛矿表面缺陷，降低钙钛矿电池的串联电阻，提高太阳能电池的填充因子和电流密度，最后提高了太阳能电池的光电转化效率，修饰钝化后的钙钛矿太阳能电池性能较未钝化的器件性能有较大的提升本发明工艺操作简单、可重复性高、成本较低，能够适用于多种平面异质结钙钛矿太阳能电池的制备和大规模应用。
一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池制备方法

[发明专利]全印刷钙钛矿-碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件-CN202210803578.5在审
发明人：陈剑辉;陈兵兵;高青;张旭宁;陈静伟;郭建新;王淑芳;闫小兵;许颖 -专利权人：河北大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电技术领域，提出了全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池及其叠瓦组件，全印刷钙钛矿‑碳硅异质结叠层电池包括多层结构，所述多层结构自下而上依次包括背面金属电极、空穴传输/钝化层、硅片、电子传输/钝化层、复合结、钙钛矿空穴传输层、钙钛矿吸收层、钙钛矿电子传输层、缓冲层、透明导电电极和和金属栅线电极，所述多层结构均采用溶液印刷法制备，所述空穴传输/钝化层和电子传输/钝化层均选用导电钝化材料。
印刷钙钛矿碳硅异质结叠层电池及其组件

[发明专利]单颗粒纳米异质结界面修饰的无机钙钛矿电池及制备方法-CN202010395603.1有效
发明人：杨英;王惟嘉;朱从潭;刘圣;林飞宇;马书鹏;罗媛;郭学益 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：一种单颗粒纳米异质结界面修饰的无机钙钛矿电池及制备方法。本发明无机钙钛矿太阳能电池，将单颗粒二元纳米异质结（ZnS‑Cu2S或MnS‑Cu2S或CdS‑Cu2S）插入到电子传输材料与钙钛矿薄膜之间作为修饰层，一是通过界面化学键合钝化金属氧化物氧空位和钙钛矿缺陷，从而改善电子状态和稳定性；二是通过界面官能团与钙钛矿材料相互作用，影响晶体的形成；三是利用调整金属氧化物和钙钛矿层之间的界面组成，促进电荷提取，提高器件性能。
颗粒纳米异质结界面修饰无机钙钛矿电池制备方法

[发明专利]一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法-CN202110095541.7在审
发明人：王丹妹;吴雨辰 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列的光电器件及其制备方法。所述光电器件包括电极层，二氧化硅基底，以及分布在二氧化硅基底上的钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列；所述钙钛矿同轴异质一维纳米线为核壳结构；所述核壳结构以分子式为A1‑nBnCX3的钙钛矿作为核层，以分子式为A1‑nCsnCY3的钙钛矿作为壳层；其中0≦n≦1，A为HC(NH2)2钙钛矿同轴异质一维纳米线阵列，其钙钛矿可以形成异质结，有利于电子和空穴的传输，从而提高光电器件的开关比和响应度。
一种具有钙钛矿同轴异质一维纳米阵列光电器件及其制备方法

[发明专利]一种基于硅基微纳结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201610519030.2在审
发明人：朱小宁;黄林泉;常远程;吴强;田占元;邓增社 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅基微纳结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法，在单晶硅表面形成有陷光结构，一方面可以降低钙钛矿与单晶硅形成的异质结界面的光学损失，另一方面，陷光结构可以有效增加异质结的面积，形成更多的载流子传输通道，促进钙钛矿层吸收光子而产生的激子(电子空穴对)在异质结界面处发生有效的分离与输运，进一步提高电池性能。具体地说，陷光结构的设计，可以使得入射光在钙钛矿/硅基微纳结构的多次界面反射吸收，增加钙钛矿层的光学吸收。
一种基于硅基微纳结构钙钛矿太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201510121138.1在审
发明人：阳军亮;吴涵;熊健;杨兵初 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域；该太阳能电池在阴极电极与电子传输层之间通过溶液法沉积一层低温制备的二氧化钛纳米晶薄膜层，该薄膜层可以显著提高平面异质结钙钛矿太阳能电池的稳定性能；该低温制备的平面异质结钙钛矿太阳能电池光电能量转换效率高，稳定性能好，在空气中放置200小时后衰减很小，可以保持原始光电转换效率的75％以上；该稳定的钙钛矿太阳能电池的制备方法简单，匹配印刷制备工艺，
一种稳定平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池及其制备方法-CN201410162544.8无效
发明人：李洪伟;陈冲;刘振樊;何舟;王敏 -专利权人：武汉鑫神光电科技有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及有机-无机杂化的钙钛矿材料为基础的太阳能电池技术领域，尤其涉及一种具有铜铟硫/钙钛矿体异质结的太阳能电池及其制备方法。一种铜铟硫/钙钛矿体异质结太阳能电池，包括ITO基底层、所述ITO基底层上的CuInS₂层、所述CuInS₂层上的纳米氧化铝-铜铟硫-钙钛矿复合层、以及所述纳米氧化铝-铜铟硫-钙钛矿复合层上的银层。这种结构的制备不用再在高温下烧结，且柔性ITO基底价格便宜，铜铟硫与钙钛矿的混合物成膜性能好。
一种铜铟硫矿体异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法-CN201910804843.X有效
发明人：梁凤霞;赵兴远;陈红云;罗林保;蒋静静 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了碲化铂/甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法，是在绝缘基底上生长有PtTe2薄膜，在PtTe2薄膜上的局部区域生长有MAPbBr3钙钛矿单晶，PtTe2薄膜与MAPbBr3钙钛矿单晶形成异质结。本发明的光电探测器，制备过程简单、性能稳定、性能好，为过渡族金属碲化物及钙钛矿材料在光电探测器中的应用开拓了新的前景。
碲化铂甲基氨铅溴钙钛矿单晶异质结光电探测器及其制作方法

[发明专利]基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法-CN202010313327.X在审
发明人：方彦俊;魏佳军;李力奇;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及X射线探测器领域，公开了一种基于钙钛矿量子点的X射线探测器及其制备方法，该探测器中的X射线吸收层包括APbX3型铅卤钙钛矿量子点和有机半导体，通过将钙钛矿量子点作为敏化剂嵌入到有机半导体异质结中钙钛矿量子点直接将X射线高能光子转化为电子空穴，并作为闪烁体辐射发光；有机相异质结对钙钛矿的转换电荷进行转移，基于自身光电效应产生载流子，两种机制协同下提高X射线探测器的响应灵敏度，降低检测极限。本发明的探测器的制备方法为将有机半导体和钙钛矿的悬浮液雾化沉积形成X射线吸收层，得到的膜平整且降低了暗电流水平，工艺流程简单且缩减了成本。
基于钙钛矿量子射线探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于spiro-OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110587818.8有效
发明人：于军胜;李嘉文;王瑞;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于spiro‑OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿活性层、体异质结掺杂的空穴传输层以及金属阳极，且上述各层按序依次制备；其中，体异质结掺杂的空穴传输层采用空穴传输材料spiro‑OMeTAD，并掺入体异质结；体异质结包括并不限于IEICO‑4F：PCE10，薄膜厚度为300nm；掺杂的体异质结选用具有近红外吸收的给体/受体材料并选用与之搭配的受体/给体，spiro‑OMeTAD中掺入体异质结后，在提升器件短路电流的同时保持了器件的开路电压，从而提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种基于 spiro ometad 掺杂体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器及其制备方法-CN201711099094.2在审
发明人：阳军亮;夏华艳;张楚俊;童思超;王春花 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机/钙钛矿体相异质结纳米线光电探测器，包括基底、钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩体相异质结纳米线光吸收层以及电极三部分。本发明的制备方法，包括以下步骤基底准备与清洗、处理；配制钙钛矿材料溶液；配制钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩混合材料前驱体溶液；使用旋涂、刮涂及印刷方式制备钙钛矿/2,7‑二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩体相异质结纳米线，得到高质量光吸收层；采用蒸镀或印刷制备电极。
一种有机矿体相异纳米光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用-CN201610244438.3有效
发明人：李永舫;王彬彬;张志国 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿晶体薄膜及其水蒸汽退火制备方法与应用。所述钙钛矿晶体薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)配制供体A和供体B的溶液，经搅拌得到钙钛矿前体溶液；2)在空气气氛中，将钙钛矿前体溶液旋涂于基底上，得到设有钙钛矿活性层的基底；3)设有钙钛矿活性层的基底经下述a)或b)或c)处理即得钙钛矿晶体薄膜：a)在空气中放置，直至钙钛矿活性层变为黑色；b)在空气中进行热退火，直至钙钛矿活性层变为黑色；c)在空气中，采用水蒸汽调控设有钙钛矿活性层的基底所在体系的湿度，对钙钛矿活性层进行水蒸汽退火处理，直至钙钛矿活性层变为黑色。利用该方法制备的平面异质结钙钛矿电池的光电转化效率达到16.4％，高于大多数热退火工艺得到的电池效率。
钙钛矿活性层钙钛矿晶体水蒸汽基底制备薄膜退火前体溶液热退火供体光电转化效率电池效率空气气氛退火处理异质结旋涂配制应用电池调控

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]SPPs薄膜异质结和钙钛矿叠层的太阳电池及其制备方法-CN201610841268.7有效
发明人：史林兴;周朕;黄增光;丁瑞强;孙庆强 -专利权人：淮海工学院
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种SPPs薄膜异质结和钙钛矿叠层的太阳电池及其制备方法，所述太阳电池的构造从下至上为：铝电极；SPPs薄膜异质结太阳电池；ITO连接层；三角形光栅钙钛矿电池；金属栅线电极，所述太阳电池的制备方法包括如下步骤：步骤1：制备SPPs薄膜异质结电池；步骤2：采用磁控溅射镀膜系统在SPPs薄膜异质结电池正面制备ITO连接层；步骤3：制备三角形光栅钙钛矿电池；步骤4：采用丝网印刷法制备金属栅线电极。本发明制备的太阳电池，先利用钙钛矿顶电池吸收短波长太阳光，再利用薄膜异质结底电池吸收长波长太阳光，构成合理的叠层薄膜电池结构，有效地拓宽了薄膜电池的光谱吸收范围，提高了光电转换效率。
spps 薄膜异质结钙钛矿叠层太阳电池及其制备方法