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[发明专利]一种全氧化物异质结场效应管-CN200810118113.6有效
发明人：吕惠宾;杨芳;何萌;金奎娟;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及全氧化物异质结场效应管，包括在n型或p型衬底上生长一p型或n型钙钛矿氧化物材料层，并在p型或n型钙钛矿氧化物材料层上刻蚀一槽，该槽作为场效应管的沟道，该沟道一侧的钙钛矿氧化物材料层为源极，另一侧的钙钛矿氧化物材料层为漏极由于本发明提供的全氧化物场效应管不仅具有功能特性，而且，由于钙钛矿氧化物材料的禁带宽度比较大，熔点也比较高，因而该全氧化物异质结场效应管也可工作在较高温度等特殊环境条件下。
一种氧化物异质结场效应

[发明专利]光伏电池及其制备方法-CN201810914850.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东威阳科技有限公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了光伏电池及其制备方法，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
电池及其制备方法

[发明专利]一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略-CN201811370675.X有效
发明人：高义华;李露颖;沈少立;康喆;章楼文 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2018-11-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料与器件领域，公开了一种高性能混合型光电探测器的构筑方法及其调控策略，并具体公开了一种基于全无机铅卤钙钛矿纳米晶的高性能混合型光电探测器，包括单层MoS2层以及CsPbX3(X＝Cl,Br,I)钙钛矿纳米晶层，单层MoS2层为2D材料，CsPbX3纳米晶层为0D材料，两者通过构筑范德华异质结进行复合。本发明通过对用于配合单层MoS2形成异质结的关键材料及其自身的特征因素所采用的不同工艺步骤进行探索与改进，实现了性能可调控/优化的混合型光电探测器。从本质上讲，这是由于钙钛矿纳米晶层的光俘获能力和光生载流子在0D钙钛矿纳米晶/2D单层MoS2异质结界面处的激子分离与电荷转移得到了有效的调控，从而直接对混合型光电探测器的光响应性能产生影响
一种性能混合光电探测器构筑方法及其调控策略

[发明专利]基于钙钛矿量子点薄膜的可拉伸高能量光探测器-CN202110538878.0在审
发明人：郭云龙;刘凯;匡俊华;边洋爽;刘云圻 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿量子点薄膜的可拉伸高能量光探测器。该探测器自下至上依次包括可拉伸衬底、可拉伸栅电极、可拉伸绝缘层、可拉伸聚合物半导体层、可拉伸范德化异质结源漏电极和感光层，其中，该可拉伸高能量光探测器为底栅顶接触结构，感光层由高吸收效率、高光致发光量子效率、长激子扩散长度的钙钛矿量子点制成。本发明提出了一种表面能诱导钙钛矿量子点自组装的策略，制备了一种均匀、紧凑排布、容易转移且具有柔性的类蠕虫状钙钛矿量子点薄膜，实现了高结晶颗粒状钙钛矿量子点薄膜在可拉伸光电探测器中的应用。
基于钙钛矿量子薄膜拉伸高能量探测器

[发明专利]一种优化钙钛矿晶体薄膜形貌的方法-CN201710142615.1有效
发明人：谢国华;易建鹏;薛钦 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种蒸汽退火辅助钙钛矿晶体薄膜沉积的方法，属于光电领域。我们根据薄膜退火机制，创造性地提出通过改变溶剂蒸汽与钙钛矿晶体薄膜之间的温度差实现了对钙钛矿晶体薄膜生长过程的调控；更进一步地，我们通过改变溶剂的使用量或者溶剂的蒸汽压达到了调控钙钛矿晶体薄膜形貌的目的相较于常规退火方法处理的器件，基于溶剂蒸汽退火处理过的钙钛矿薄膜的平板异质结太阳能电池器件的效率展现出了较大的提升，在未对阴极进行修饰的条件下效率达到了15.0%，高于大部分文献报道相似器件结构的效率。
一种优化钙钛矿晶体薄膜形貌方法

[发明专利]一种高熵钙钛矿基异质结构催化剂的制备方法及其应用-CN202310579685.9在审
发明人：王永祯;王孜琪;张妍兰;王晓敏 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及催化剂技术领域，具体涉及一种高熵钙钛矿基异质结构催化剂的制备方法及其应用。本发明提供的高熵钙钛矿基异质结构催化剂中，高熵钙钛矿型La(FeCoNiCrMg)O3(核)与无定形NiFeOOH(壳)形成异质结构，促进电荷转移，加速了析氧反应的催化动力学
一种高熵钙钛矿基异质结构催化剂制备方法及其应用

[发明专利]光电器件-CN201610597085.5有效
发明人：亨利·詹姆斯·施耐德;爱德华·詹姆斯·威廉·克罗斯兰德;安德鲁·海伊;詹姆斯·鲍尔;迈克尔·李;巴勃罗·多卡摩波 -专利权人：牛津大学科技创新有限公司
申请日： 2013-09-17 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供一种包括光活性区域的光电器件，该光活性区域包括：包括至少一个n型层的n型区域；包括至少一个p型层的p型区域；以及设置在n型区域与p型区域之间的：没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层。该钙钛矿半导体通常吸收光。在一些实施方式中，设置在n型区域与p型区域之间的是：(i)包括支架材料和钙钛矿半导体的第一层，该支架材料典型地是多孔的，并且该钙钛矿半导体典型地被设置在支架材料的孔中；以及(ii)设置在所述第一层上的封盖层，该封盖层是所述没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层，其中封盖层中的钙钛矿半导体与第一层中的钙钛矿半导体接触。没有开口孔隙率的钙钛矿半导体的层(其可以是所述封盖层)典型地与n型区域或p型区域形成平面异质结。本发明还提供用于制备这样的光电器件的方法，该方法典型地包括溶液沉积或气相沉积钙钛矿。
光电器件

[发明专利]一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池-CN202310120551.0在审
发明人：李卫;冯良桓;武莉莉;曾广根 -专利权人：四川大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属化合物/钙钛矿薄膜双异质结太阳电池，所述双异质结太阳电池的主体是由宽带隙的硫属化合物薄膜作为吸收层的顶电池和由窄带隙的钙钛矿薄膜作为吸收层的底电池构成。顶电池的基本结构为透明导电氧化物薄膜/窗口层/硫属化合物/电子反射层，底电池的基本结构为电子传输层/钙钛矿薄膜/空穴传输层。这一系列太阳电池的主要特点是能提高含有机钙钛矿薄膜的太阳电池的稳定性，使该结构获得的高转换效率得以长期保持。
一种化合物钙钛矿薄膜双异质结太阳电池

[发明专利]硅基有机-无机钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法-CN202111164584.2在审
发明人：张子才;郭思阳;乔双 -专利权人：河北大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基有机‑无机钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法，所述光电探测器自下而上依次包括底电极层、基片、钙钛矿MAPbBr3吸光层、透明导电层以及顶电极层同时创造性的提出改变钙钛矿MAPbBr3薄膜的厚度来提高器件性能，取得了很好的效果。
有机无机钙钛矿异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种大尺寸晶圆级钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法-CN202310743832.1在审
发明人：杨迎国 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-06-23 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B7/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料技术领域，具体为大尺寸晶圆级钙钛矿半导体单晶薄膜的制备方法。本发明通过一种新型碳点‑氧化锡界面层，作为单晶表面活性剂锚定钙钛矿单晶薄膜的大面积外延生长。通过对钙钛矿单晶薄膜制备工艺研究，实现在微纳光电器件单晶衬底上获得缺陷少、面积大且均一的高质量单晶膜，进一步可形成优异的异质结结构，用于高性能光电器件的可控规模化制备。
一种尺寸晶圆级钙钛矿半导体薄膜制备方法

[发明专利]异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池-CN201910509075.5在审
发明人：丁蕾;唐泽国 -专利权人：北京宏泰创新科技有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结钙钛矿太阳能电池的制备方法及太阳能叠层电池，包括：在钙钛矿顶电池功能层上采用第一溅射法制备第一导电层，在所述第一导电层上采用第二溅射法制备第二导电层，第一溅射法的功率小于第二溅射法的功率本发明所采用的分步溅射法制备导电层，可以更好的保护钙钛矿顶电池功能层，不至于因为溅射功率过大而被击穿，提高了电池整备的整体良率；并且，采用本方法所制备的钙钛矿太阳能叠层电池稳定性得以提高，光电转换效率可达
钙钛矿叠层电池溅射制备太阳能第一导电层太阳能电池顶电池功能层溅射法异质结光电转换效率第二导电层溅射功率导电层击穿良率电池

[发明专利]一种制造钙钛矿和石墨烯复合的光电器件的方法-CN202310727282.4在审
发明人：张晓利;徐锐强;张有为;吴立鹏 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开一种制备基于钙钛矿和石墨烯复合的光电探测器的方法。该光电探测器自下而上依次包括：衬底；金属电极层，包括源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成沟道；光敏层，包括填充在沟道上的石墨烯及其上方的钙钛矿。石墨烯包括至少一层褶皱结构，石墨烯与钙钛矿形成异质结，源电极和漏电极被配置为使电流能够通过光敏层，钙钛矿被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。
一种制造钙钛矿石墨复合光电器件方法

[发明专利]一种全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202010053001.8有效
发明人：尹龙卫;付琳 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供一种全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括从下至上依次排列的FTO导电玻璃基底、二氧化钛(TiO2)层、无机CsPbBrI2钙钛矿层、硒化处理的Sb2Se3层以及金属对电极层。:Sub>进行硒化处理制备硒化处理的Sb2Se3层，将无机CsPbBrI2钙钛矿层和硒化处理的Sb2Se3层复合为异质结，制备得到全无机P/N异质结硒化锑/钙钛矿太阳能电池。
一种无机异质结硒化锑钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构-CN201820743252.7有效
发明人：邓晓帆;姚宇;李中天 -专利权人：嘉兴尚羿新能源有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构，包括上下设置的顶电池层和底电池层，顶电池层和底电池层之间设置有隧穿层，顶电池层包括从正面到背面依次设置的上透明导电薄膜、电子或空穴传输层、混合阳离子混合卤素钙钛矿层和空穴或电子传输层本实用新型的一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构,在制备底电池非晶硅薄膜后无需使用高温工艺，也无需使用单独的钙钛矿保护层。在缩减了工艺流程，避免了额外成本的同时提升了电池稳定性。
钙钛矿叠层电池结构底电池层顶电池层硅异质结本征非晶硅薄膜太阳能透明导电薄膜本实用新型依次设置背面空穴电池稳定性电子传输层非晶硅薄膜混合阳离子空穴传输层单晶硅层额外成本钙钛矿层高温工艺混合卤素上下设置工艺流程保护层底电池隧穿层制备

[发明专利]一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201510332119.3在审
发明人：张懿强;周文远;郭楠;吴振华;姚志强;邵国胜;胡俊华;范佳杰;毛景;张鹏;迈克·思韦茨;范向伟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2015-06-16 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法。自下而上依次为透明导电电极、电子传输层、钙钛矿光吸收层、空穴传输层、金属电极，所述电子传输层为TiO₂致密层，所述钙钛矿光吸收层的材料为氯离子掺杂的钙钛矿材料。本发明舍弃了传统敏化太阳能电池中的TiO₂介孔层，简化了器件结构和制备工艺；本发明使用氯掺杂的钙钛矿材料作为光吸收材料，有助于提高薄膜的成膜性，对载流子的扩散及分离也有促进作用；本发明针对透明导电电极以及TiO₂致密层表面处理提出了氧等离子体处理工艺，提高了成膜效果；本发明针对钙钛矿光吸收层的厚度控制问题，采用了逐层旋涂工艺，可以实现调控光吸收层和整体电池的光电性能。
一种平面异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法