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[发明专利]基于一维三维混合钙钛矿铁电薄膜/P3HT异质结的自供电光电探测器及其制备方法-CN202210987646.8在审
发明人：郭林娟;杨政;王淑芳;李小丽;王欢;刘秀;高琳洁 -专利权人：河北大学
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于一维三维混合钙钛矿铁电薄膜/P3HT异质结的自供电光电探测器及其制备方法。本发明所提供的自供电光电探测器自下而上包括导电基底层、一维三维混合钙钛矿铁电薄膜层、P3HT层和金属顶电极层。本发明通过构建基于一维三维混合钙钛矿铁电薄膜/聚3‑己基噻吩异质结的自供电光电探测器，利用一维三维混合钙钛矿铁电薄膜的铁电‑热释电光电子学效应，实现自供电光探测。通过本发明可以解决现有技术中基于三维金属卤化物钙钛矿光电探测器依赖外部供电的问题。本发明中一维三维混合钙钛矿铁电薄膜具有质量高和稳定性好等优点，且可制备成机械柔韧性良好的柔性光电探测器。
基于三维混合钙钛矿铁电薄膜 p3ht 异质结自供电光探测器及其制备方法

[实用新型]一种平面异质结钙钛矿太阳能电池-CN201420452750.8有效
发明人：侯丽新;刘贤豪;王亚丽;陈月霞 -专利权人：中国乐凯集团有限公司
申请日： 2014-08-12 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种具有平面异质结构的钙钛矿太阳能电池，它包括衬底和依次层叠于该衬底上的透明电极、致密层、界面修饰层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极。本实用新型通过在致密层和钙钛矿吸光层之间增加界面修饰层，对致密层进行界面修饰来使其表面形成超薄钝化层，改善钙钛矿吸光层成膜质量，降低界面接触电阻，有效防止致密层与钙钛矿吸光层及空穴传输层直接接触，避免钙钛矿吸光层发生分解
一种平面异质结钙钛矿太阳能电池

[发明专利]一种无铅锡基钙钛矿薄膜、无铅锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110663754.5有效
发明人：冉晨鑫;高蔚茵;陈永华;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明提供一种无铅锡基钙钛矿薄膜、无铅锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法，解决现有方法制备的锡基钙钛矿薄膜质量不高、空穴载流子提取较差、光伏器件性能较低的问题。无铅锡基钙钛矿薄膜的制备方法包括以下步骤：1)将手性胺的碘盐、甲脒碘、碘化亚锡以及氟化亚锡溶于极性有机溶剂中，搅拌配置成无铅锡基钙钛矿前驱液；2)在已经沉积有空穴传输层的ITO透明导电玻璃上，利用步骤1)配置无铅锡基钙钛矿前驱液沉积锡基钙钛矿薄膜；3)采用梯度退火方式，得到下层为二维结构、上层为三维结构的具有二维/三维平面异质结结构的无铅锡基钙钛矿薄膜。
一种无铅锡基钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]制备钙钛矿/二硫化钼异质结的方法-CN202210598421.3有效
发明人：邱海龙;张宏伟;张玲玲;张然;马朝;李福昌;郭世宏;张梁;王金航;胡章贵;吴以成 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备钙钛矿/二硫化钼异质结的方法，采用化学气相运输法，以碘化铯、碘化铋、二氧化钼、硫作为原料，碘单质作为输运剂。首先以碘化铯、碘化铋为原料在云母片基底上合成钙钛矿，然后继续在云母片基底上以二氧化钼、硫作为原料合成钙钛矿/二硫化钼异质结，该方法避免了传统方法合成异质结过程中需要各种有机试剂的参与，产品的纯度高，连续性以及均匀性较好
制备钙钛矿二硫化钼异质结方法

[发明专利]一种基于介孔结构铜铟硫的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201510032013.1有效
发明人：陈冲;黎春喜;翟勇;李福民 -专利权人：河南大学
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于介孔结构铜铟硫的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。本发明利用铜铟硫和钙钛矿两种材料各自的优越性能制得的太阳能电池结构新颖，充分利用了铜铟硫与钙钛矿两种光伏材料的优点，铜铟硫与钙钛矿形成了体异质结，提高了铜铟硫与钙钛矿的接触面积，利于载流子的收集；制作过程简单
一种基于结构铜铟硫钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池及其制备方法-CN202011184124.1在审
发明人：徐成;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池及其制备方法。该光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池包括采用异质结晶硅太阳能电池作为底电池、隧穿层以及基于pin结构(倒置结构)的钙钛矿太阳能电池作为顶电池。该两端叠层太阳能电池的结构从下往上依次包括金属底电极、透明导电层、p型非晶硅层、本征非晶硅层、晶硅、本征非晶硅层、n型非晶硅层、隧穿层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层、顶电极缓冲层、透明电极、金属栅线电极本发明的叠层太阳能电池及其制备方法基于高效率异质结太阳电池制备，制备工艺简单，成本低廉、光转换效率高，非常具有大规模商业化前景。
转化效率两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种应用于异质结的钙钛矿靶材及其制备方法-CN202110865513.9在审
发明人：刘芳;周志宏;肖世洪;雷雨 -专利权人：广州市尤特新材料有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于异质结的钙钛矿靶材及其制备方法，包括以下步骤：将MoO3粉体、SrCO3粉体加入到球磨机中，再加入分散剂>3粉体；将SrMoO3粉体进行热处理，得到前驱体粉末；将前驱体粉末用冷等静压设备压制成型得到坯体；将坯体进行排胶处理，烧结，得到应用于异质结的钙钛矿靶材本发明所述的应用于异质结的钙钛矿靶材具有良好的致密度，低电阻率的钙钛矿靶材，应用于异质结，可以提高光电转换效率及电池性能。
一种应用于异质结钙钛矿靶材及其制备方法

[发明专利]一种锡（II）基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器-CN202310168443.0在审
发明人：杨盛谊;张珍衡 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种二价锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和通过锡基钙钛矿材料FA1‑xCsxSnBr3与PVK混合，并通过优化其掺杂的摩尔比1‑xCsxSnBr3薄膜表面的缺陷，还可进一步阻止水和氧气对锡(II)基钙钛矿将本发明所述的混合体异质结薄膜作为锡基钙钛矿光电探测器的有源层制备的光电探测器具有优异的性能。
一种 ii 基钙钛矿混合体异质结薄膜制备方法光电探测器

[发明专利]一种溶剂预辅助制备无电荷传输层钙钛矿太阳能电池的方法-CN202110720241.3在审
发明人：高立国;苏英杰;马廷丽;徐才 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶剂预辅助制备无电荷传输层钙钛矿太阳能电池的方法。钙钛矿材料自身具有双极性电荷传输的特性，意味着电子传输层和空穴传输层对钙钛矿太阳能电池来说并不是必要的。它们的使用会引起钙钛矿太阳能电池价格昂贵及不稳定性问题。消除电荷传输层可以节省材料成本，并且减少电荷传输层的涂层工艺。本发明采用新型的溶液预辅助生长的方式，在3D钙钛矿薄膜与透明电极之间原位制备2D钙钛矿材料，形成2D‑3D异质结钙钛矿材料。通过调节胺盐的种类及浓度，精准控制2D钙钛矿材料带隙结构，使其与3D钙钛矿材料形成具有Ⅱ型能级对准结构，以此传输电子或空穴，并制备无电子传输层、无空穴传输层或最简单钙钛矿太阳能电池。
一种溶剂辅助制备电荷传输层钙钛矿太阳能电池方法

[实用新型]一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池-CN202022449776.5有效
发明人：徐成;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳黑晶光电技术有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池。该光转化效率高的两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池包括异质结硅太阳能电池作为底电池、隧穿层以及基于pin结构的钙钛矿太阳能电池的顶电池；所述异质结硅太阳能电池的结构从下往上依次包括金属底电极、透明导电层本实用新型的叠层太阳能电池基于高效率异质结太阳电池制备，制备工艺简单，成本低廉、光转换效率高，非常具有大规模商业化前景。
一种转化效率两端钙钛矿异质结晶硅叠层太阳能电池

[发明专利]P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法-CN201710283902.4在审
发明人：王谭东;沈玉婷 -专利权人：隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及P型晶体硅基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法，本发明的叠层异质结双面电池从正面至背面依次包括透明导电膜、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层、复合层、N型层、P型基体、背面钝化膜和背面电极；本发明制备的电池结合了P型晶体硅背钝化双面和钙钛矿电池技术两种电池的优点，产生的协同效应远大于单个技术，很好的解决了在单独采用背景技术中所述两项技术时产生的诸多问题，如晶体硅效率低，钙钛矿稳定性差等。
晶体基底钙钛矿叠层异质结双面电池结构及其制法

[发明专利]一种基于碘化亚铜/钙钛矿体异质结的太阳能电池及制备方法-CN201611103654.2在审
发明人：张海良;曹丙强;邱智文 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种高性能钙钛矿体异质结太阳能电池的制备方法。通过把碘化亚铜溶于碘化铅和氯化铅的N,N‑二甲基甲酰胺（DMF）溶液中形成前驱体,采用两步旋涂成膜法制备钙钛矿体异质结。首先将前驱体溶液旋涂到氟掺杂氧化锡玻璃（FTO玻璃）上，然后滴加碘甲胺（MAI）的异丙醇溶液，从而获得了具有高结晶性、大尺寸的钙钛矿晶粒与碘化亚铜晶粒形成的体异质结，提高了吸光层的吸光度，加速了空穴的传输与光生载流子的分离本发明的制备方法与传统的介孔或平面钙钛矿电池相比，工艺简单、易操作，特别适合制备大批量、低成本的太阳能电池。
一种基于碘化矿体异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种用于锂电池的柔性固体电解质及其制备方法-CN202310935229.3在审
发明人：黄程;董兴芳;黄亚楠 -专利权人：苏州大学;苏州思萃电子功能材料技术研究所有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：利用水热法制备了带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片粉末，通过高温固相反应法及其随后的层插剥离制备了带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片粉末模板；然后通过水热法将带有正电荷的二维反钙钛矿氧卤化物固态电解质纳米片与带有负电荷的高介电二维钙钛矿氧化物纳米片由正负静电吸附作用与自组装过程，制备了2D/2D反钙钛矿/钙钛矿纳米片异质结构固态电解质。离子型或充电型二维层状异质结的构造能够很好的保护反钙钛矿材料的结构空气稳定性，并且为锂离子的传输提供运输通道，高介电纳米复合与离子‑偶极界面耦合增强效应能够更快地进行离子传导。
一种用于锂电池柔性固体电解质及其制备方法

[发明专利]钙钛矿膜及其制备方法、太阳能电池-CN202210930385.6在审
发明人：徐保民;刘畅;王行柱;李亚茹;陈石;章勇;周贤勇;王登 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请涉及太阳能电池材料技术领域，尤其涉及一种钙钛矿膜及其制备方法、太阳能电池。本申请的钙钛矿膜包括层叠的有机无机杂化钙钛矿层和全无机钙钛矿层，有机无机杂化钙钛矿层的材料为ABX3钙钛矿材料，全无机钙钛矿层的材料为A’B’Y3钙钛矿量子点材料；其中，ABX3钙钛矿材料中，A为一价有机阳离子，B为二价金属离子，X为卤离子，A’B’Y3钙钛矿量子点材料中，A’为一价金属阳离子，B’为二价金属离子，Y为卤离子。本申请的双吸收层异质结的钙钛矿膜用于太阳能电池中，可以使电池兼具高效率和高稳定性的特点，具有很好的应用前景。
钙钛矿膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种在钙钛矿层中掺入硫化亚铜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201910268995.2在审
发明人：杨富强 -专利权人：杨富强
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在钙钛矿层中掺入硫化亚铜的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池包括自下而上的ITO基底层、所述ITO基底层上的CuInS₂层、所述CuInS₂层上的介孔TiO₂层、所述TiO₂层上的硫化亚铜‑钙钛矿复合层、以及所述硫化亚铜‑钙钛矿复合层上的银层，其中，所述钙钛矿为CH₃NH₃PbI₃；本发明通过在钙钛矿的前驱体溶液中加入碘化亚铜‑硫脲络合物，络合物中的Cu⁺和I⁻分别和钙钛矿晶界中配位不饱和的卤离子和铅离子相互作用形成体相异质结，大大降低了钙钛矿的缺陷态深度及载流子复合几率，进而提升器件的性能。
钙钛矿硫化亚铜太阳能电池钙钛矿层复合层基底层络合物掺入制备前驱体溶液载流子复合碘化亚铜提升器件不饱和卤离子铅离子缺陷态形成体介孔晶界硫脲配位相异银层

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