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[发明专利]能量转换效率较高的光伏电池-CN201810914848.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：吴彬
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种能量转换效率较高的光伏电池，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成。本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
光伏电池能量转换效率钙钛矿紫外光屏蔽层电子传输层空穴传输层反射电极工作寿命光吸收层依次层叠异质结基底

[发明专利]一种光伏电池及其制造方法-CN201810913308.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：山西穿越光电科技有限责任公司
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池及其制造方法，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
一种电池及其制造方法

[发明专利]能量转换效率较高、寿命较长的光伏电池-CN201810914877.X有效
发明人：杨美凤;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：吴彬
申请日： 2017-05-23 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了能量转换效率较高、寿命较长的光伏电池，包括ITO导电玻璃基底、紫外光屏蔽层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层、电子传输层和反射电极组成；所述的紫外屏光蔽层由N个依次层叠的m‑MTDATA/F16CuPc异质结所组成。本发明能够显著提高钙钛矿光伏电池的工作寿命。
能量转换效率寿命电池

[发明专利]基于有机光活化层的宽光谱响应无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用-CN201810464639.3在审
发明人：唐群委;徐虹哲;段加龙;赵媛媛 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明提供了基于有机光活化层的宽光谱响应无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，本发明具体是在FTO导电玻璃组装二氧化钛薄膜形成电子传输层，随后采用多步液相技术旋涂溴化铅和溴化铯溶液制备高纯CsPbB₃钙钛矿吸光层，然后再将有机光活化层组装在无机钙钛矿薄膜形成体异质结，最后采用碳背电极组装成有机光活化层修饰的宽光谱效应无机钙钛矿太阳能电池。本发明充分利用有机活化层的窄带隙、宽光谱吸收和良好的溶解性，拓宽无机钙钛矿太阳能电池的吸收范围，并提高光电转化效率。本发明的电池组装过程简单易行，所组装的太阳能电池的迟滞效应大大降低，光电转换效率高。
无机钙钛矿太阳能电池有机光活化层宽光谱组装制备方法和应用电池组装过程二氧化钛薄膜光电转化效率光电转换效率电子传输层薄膜形成溶液制备体异质结液相技术有机活化背电极钙钛矿吸光层窄带隙溴化铅溴化铯响应迟滞高纯旋涂吸收修饰

[发明专利]半导体异质结构、其制备方法及半导体装置-CN200910079249.5无效
发明人：胡凤霞;王晶;孙继荣;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-03-05 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种不引入其它插层的至少具有单晶硅半导体基片和形成于该单晶硅半导体基片上的钙钛矿锰氧化物的半导体异质结构。本发明还公开了所述半导体异质结构的制备方法。本发明同时公开了包含所述半导体异质结构的半导体装置。根据本发明在硅表面直接生长钙钛矿锰氧化物薄膜，而在生长过程中没有引入其它物质作为缓冲层，不但使制备工艺变得简单，而且消除了因中间插层的引入而引起的界面扩散等问题和缺陷。获得了具有良好整流特性的n-Si/p-R1-xAxMnO3±δ功能异质结构。
半导体结构制备方法装置

[发明专利]绒面平滑处理的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制备方法-CN202211298999.3在审
发明人：刘欢;李世彬;郑朝月 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10K30/50 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种绒面平滑处理的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制备方法。该叠层太阳电池自下至上分别为具有平滑绒面结构的硅底电池、载流子复合层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层、金属电极层、减反射膜。本发明的绒面平滑处理可使金字塔的顶部和底部变得圆滑，同时降低金字塔绒面的表面粗糙度，从而有利于均匀连续、保形的钙钛矿薄膜沉积，降低了高质量钙钛矿层的制备难度。该平滑处理的方法与异质结(HJT)电池产线兼容，便于钙钛矿/硅叠层太阳电池的制备与推广。
平滑处理钙钛矿硅叠层太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法-CN202011538453.1有效
发明人：胡海龙;李福山;孟汀涛;井继鹏;高宏锦;郭太良 -专利权人：福州大学;闽都创新实验室
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明属于电子传输层QLED制备技术领域，具体涉及一种干法转移ZnO纳米薄膜制备钙钛矿QLED电子传输层的方法。然后进行退火使PDMS印章粘性减弱，将PDMS/ZnO贴合到钙钛矿量子点发光层上并按压，ZnO纳米颗粒被转移至钙钛矿层上，最后将PDMS印章与ZnO层分离。本发明通过PDMS印章转移ZnO纳米薄膜至钙钛矿量子点发光层上作为电子传输层，不仅可以构建完美的异质界面，还可避免溶液加法中溶剂作用或真空工艺的热效应对钙钛矿量子点发光层的破坏。
一种转移 zno 纳米薄膜制备钙钛矿 qled 电子传输方法

[发明专利]一种碳化聚合物点/钙钛矿复合光催化剂、制备方法及其在光催化裂解HI产氢方面的应用-CN202010109916.6有效
发明人：杨柏;赵越;曾庆森;冯唐略 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-02-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B01J31/02 文献下载
摘要：一种碳化聚合物点/钙钛矿复合光催化剂、制备方法及其在光催化裂解HI产氢方面的应用，属于光催化技术领域，本发明发现发射黄绿色荧光的碳化聚合物点(CA‑PASA CPDs)具有与MAPbI3钙钛矿匹配的能级，本发明是利用碳化聚合物点表面丰富的基团与钙钛矿复合，并与钙钛矿形成type‑II能级异质结，有效地抽取钙钛矿上的光生空穴，从而提升电荷分离效果，抑制光生电子和空穴的再次复合，提升钙钛矿上电子的寿命，从而进一步提升光催化裂解HI产生氢气的性能，并在负载助催化剂Pt后，复合光催化剂获得了5434.5μmol g‑1h
一种碳化聚合物钙钛矿复合光催化剂制备方法及其光催化裂解 hi 方面应用

[发明专利]草酸辅助生长的FPEA2-CN202310911057.6在审
发明人：魏浩桐;李明变;魏薇;杨柏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：base:Sub>2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结base:Sub>2SnI4‑FPEA2PbI4单晶异质结:Sub>PbI4和FPEA2SnI4之间能级匹配，该X射线探测器结合了锡钙钛矿良好的电荷传输性能和铅钙钛矿的相对稳定性，使得单晶异质结X射线探测器的灵敏度提高到1.7×105μC·Gy‑1·cm‑2钙钛矿和铅钙钛矿的优势，为下一代产品提供了新的机遇与挑战。
草酸辅助生长 fpea base sub

[发明专利]一种有机/无机钙钛矿电池及其制备方法-CN201510478778.8有效
发明人：丁建宁;孙鹏;袁宁一 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池，特指一种钙钛矿结构太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池从下至上依次为FTO 导电玻璃层、n型致密层、杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层、p型层和金属电极，其特征在于；所述杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3 层掺杂有石墨烯量子点，利用石墨烯量子点的荧光量子效应，形成一种类似体异质结结构的钙钛矿层，荧光量子效应可以增加钙钛矿层对光线的吸收；同时，石墨烯量子点具有优异的电导传输性能，一定程度上可增加钙钛矿层中产生的载流子扩散速率和扩散长度，改善了光伏特性。
一种有机无机钙钛矿电池及其制备方法

[发明专利]一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池-CN201410711919.1在审
发明人：陈红征;左立见;顾卓韦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-11-30 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于自组装单分子层的钙钛矿平面异质结太阳电池。本发明选择同时含有碱性端基和酸性端基的有机小分子作为自组装单分子层材料，能够以异相诱导成核的方式取代钙钛矿化合物中的相似基团，使钙钛矿晶体规整地生长，减少缺陷的产生，并能够显著提高钙钛矿化合物的稳定性。
一种基于组装单分子层钙钛矿平面异质结太阳电池

[发明专利]一种PIN异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510827061.X在审
发明人：杨秋香 -专利权人：杨秋香
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIN异质结太阳能电池及其制备方法。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的透光／透明电极层、过渡层、电子传输层、吸光层、电子吸收层、空穴传输层和顶电极，其中：所述过渡层为镍的氧化物；电子传输层为四元氧化物；吸光层为具有钙钛矿结构的材料；所述电子吸收层是由石墨烯与氧化石墨烯构成本发明有效地利用了钙钛矿材料的性能，将钙钛矿太阳能电池的光电转化效率提高到了18%以上，适于批量生产。
一种 pin 异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911228621.4有效
发明人：关赫;汪钰成;白晓晨 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
一种基于 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]二维单晶钙钛矿-有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法和应用-CN202111424425.1在审
发明人：江潮;孙慧娟;蔡小勇 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维单晶钙钛矿‑有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法和应用，其包括有机半导体层和覆盖在所述有机半导体层部分表面的二维单晶钙钛矿层；制备方法包括，采用真空蒸镀法制备有机半导体层和将二维单晶钙钛矿层转移至有机半导体层上本发明将机械剥离的二维单晶钙钛矿层与有机半导体层结合，提高了异质结界面质量，提高器件的电学性能，可获得具有高响应度和低关态电流的光电晶体管器件。
二维单晶钙钛矿有机半导体异质结光电晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种基于介孔无机空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201810930865.6在审
发明人：张文华;吴义辉;陈雨;张志群 -专利权人：四川省新材料研究中心;鞍山七彩化学股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于介孔无机空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，太阳能电池由下至上依次包括导电玻璃层，致密空穴传输层，介孔空穴传输层，钙钛矿吸光层，电子传输层，空穴阻挡层和对电极层。本发明将传统介观结构钙钛矿电池中的电子传输层和空穴传输层位置互换，在超薄致密的空穴材料和钙钛矿材料之间制备一层介孔空穴材料，得到一种具有双层空穴传输层的倒置介观结构器件，不仅可以解决平面异质结钙钛矿太阳能电池载流子输运效率差
钙钛矿空穴传输层太阳能电池介孔空穴传输材料介观结构制备致密电子传输层空穴材料有机空穴传输材料电子传输材料光电转化性能导电玻璃层钙钛矿材料空穴阻挡层载流子输运对电极层高温制备热稳定性位置互换倒置吸光层异质结正置电池