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[发明专利]一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法-CN202111293188.X在审
发明人：王琪翔;何斌;吕伟明;石超群;张昌文;颜世申 -专利权人：哈尔滨工业大学;济南大学
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳米尺度的柔性电子器件技术领域，具体涉及一种直径可控的管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法。所述管状单晶钙钛矿氧化物薄膜具有三维管状结构；所述三维管状结构通过衬底、柔性有机物支撑层和粘附在柔性有机物支撑层表面的管状钙钛矿氧化物薄膜组成。本发明选用水蒸气让钙钛矿结构的水溶性牺牲层缓慢溶解，实现薄膜出现微纳米裂纹。在显微镜中观察氧化物薄膜裂纹形成至整个薄膜，这利于后面管状结构的形成和控制。本发明通过改变单晶钙钛矿氧化物薄膜的厚度、单晶钙钛矿氧化物异质结构的组成结构、单晶钙钛矿氧化物异质结构的层数（从单层到多层）及单晶衬底种类，能够实现控制自支撑单晶钙钛矿氧化物薄膜的管状结构及直径。
一种直径可控管状单晶钙钛矿氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于钙钛矿-有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法-CN201910149922.1有效
发明人：罗林保;高阳;黄瑞;梁林 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钙钛矿‑有机半导体异质结的高性能光电晶体管及其制备方法，其是以氧化硅片为衬底，在衬底上从下至上依次设置有钙钛矿‑PCBM体异质结薄膜和DNTT薄膜，在DNTT薄膜上沉积有金电极对；钙钛矿‑PCBM体异质结薄膜与DNTT薄膜形成垂直异质结。
一种基于钙钛矿有机半导体异质结性能光电晶体管及其制备方法

[发明专利]一种硅基异质结钙钛矿叠层太阳电池制备方法-CN202011346124.7在审
发明人：王树林;唐泽国;张超华;林朝晖 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基异质结钙钛矿叠层太阳电池制备方法，其步骤包含：提供硅基异质结底层电池，所述底层电池正面制备完成中间连接层；在电池正面制作空穴传输层；在空穴传输层表面制作钙钛矿吸收层；在钙钛矿吸收层表面制作电子传输层本发明利用钙钛矿材料带隙连续可调的特点，将顶层钙钛矿吸收层设计为光学能带隙逐渐增加的多层结构，与固定光学能带隙钙钛矿吸收层对比，光学能带隙逐渐增加的多层钙钛矿结构电池可以更有效利用太阳光谱及获得更高的开路电压和短路电流
一种硅基异质结钙钛矿叠层太阳电池制备方法

[发明专利]一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法-CN202010084573.2有效
发明人：李必鑫;陈永华;夏英东;夏菲 -专利权人：湖南第一师范学院;南京工业大学
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法，涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、三维卤化物钙钛矿阻变层、二维卤化物钙钛矿界面层和顶电极。本发明仅通过在顶电极与三维钙钛矿薄膜层之间添加二维钙钛矿界面层，形成二维三维钙钛矿异质结，利用二维钙钛矿的表面钝化作用，使本发明中的阻变存储器的开关比明显提高，降低了器件功耗。
一种二维三维钙钛矿异质结阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法-CN201911414112.0有效
发明人：熊健;范宝锦;何珍;代忠军;赵倩;薛小刚;张坚 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效稳定的平面异质结钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用了倒置钙钛矿太阳能电池结构，分别用透明导电材料和银作为阳极和对电极，PCBM做电子传输层，用聚氧化乙烯修饰钙钛矿/电子传输层界面；本发明中所采用的聚氧化乙烯能有效增加钙钛矿与电子传输层界面之间的电子传输减小串联电阻增大钙钛矿太阳能电池的填充因子和电流流密度从而提高了其光电转换效率；整体器件效率较无修饰的钙钛矿电池有较明显的提升；该方法工艺简单、成本低廉、效果明显能广泛适用于不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池中，能够大规模生应用。
一种高效稳定平面异质结钙钛矿太阳能电池制备方法

[实用新型]一种体相异质结型钙钛矿光电探测器-CN201720803487.6有效
发明人：童思超;王琴;尹莹 -专利权人：湖南湘标新材料科技有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种体相异质结型钙钛矿光电探测器，包括基底(1)、体相异质结型活性层(2)和电极(3)，所述体相异质结型活性层(2)复合于所述基底(1)的上表面，所述电极(3)复合于体相异质结型活性层(2)的上表面，所述体相异质结型活性层(2)为内部分散有有机无机杂化钙钛矿粉体(21)的有机半导体薄膜。该体相异质结型钙钛矿光电探测器光电探测性能优秀、空气稳定性好。
一种相异质结型钙钛矿光电探测器

[发明专利]一种交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池的制备方法-CN201511002181.2在审
发明人：廖良生;王照奎;李萌 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供一种交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，制备步骤如下：将甲基碘化铵、氯化铅、[6,6]-phenyl-C61-butyric styryl dendron ester溶于二甲基甲酰胺中制成30wt%的钙钛矿二甲基甲酰胺溶液；将PEDOT:PSS溶液加工在衬底基片上，形成固化的阳极修饰层；将钙钛矿二甲基甲酰胺溶液加工到阳极修饰层上，得到均匀固化的体异质结感光层；将[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯加工到体异质结感光层上，得到均匀的电子传输层；在电子传输层上加工阴极电极，即得交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池。本发明得到的钙钛矿型太阳能电池的能量转换效率高，光伏特性好。
一种交联富勒烯体异质结钙钛矿型太阳能电池制备方法

[发明专利]基于卤素钙钛矿-硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法-CN202110644498.5有效
发明人：张伶莉;申哲远;王先杰;胡君北;宋波 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr异质结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
基于卤素钙钛矿掺杂异质结材料电位传感器制备方法

[发明专利]一种平面无掺杂异质结-钙钛矿叠层电池及其制备方法-CN201910783883.0在审
发明人：王璞;张鹏;谢毅;王岚;李忠涌 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面无掺杂异质结‑钙钛矿叠层电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，本发明包括连接在一起的钙钛矿顶层太阳能电池和异质结底层太阳能电池，钙钛矿顶层太阳能电池包括从上到下依次设置的前金属电极层、第一透明导电氧化物层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层和电子传输层，钙钛矿光吸收层包括从上到下依次设置的钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C，钙钛矿层A的禁带宽度为2.4‑3.0ev，钙钛矿层B的禁带宽度为2.0‑2.6ev，钙钛矿层C的禁带宽度为1.9‑2.2ev，且钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C的禁带宽度依次减小，本发明具有光电转化效率超过28％、开路电压高、增加了发电量的优点。
钙钛矿层钙钛矿禁带太阳能电池从上到下光吸收层依次设置异质结顶层透明导电氧化物层底层太阳能电池太阳能电池技术光电转化效率电子传输层金属电极层空穴传输层叠层电池开路电压依次减小制备发电量掺杂

[实用新型]一种平面无掺杂异质结-钙钛矿叠层电池-CN201921379781.4有效
发明人：王璞;张鹏;谢毅;陈坤;苏荣 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平面无掺杂异质结‑钙钛矿叠层电池，涉及太阳能电池技术领域，本实用新型包括连接在一起的钙钛矿顶层太阳能电池和异质结底层太阳能电池，钙钛矿顶层太阳能电池包括从上到下依次设置的前金属电极层、第一透明导电氧化物层、空穴传输层、钙钛矿光吸收层和电子传输层，钙钛矿光吸收层包括从上到下依次设置的钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C，钙钛矿层A的禁带宽度为2.4‑3.0ev，钙钛矿层B的禁带宽度为2.0‑2.6ev，钙钛矿层C的禁带宽度为1.9‑2.2ev，且钙钛矿层A、钙钛矿层B和钙钛矿层C的禁带宽度依次减小，本实用新型具有光电转化效率超过28％、开路电压高、增加了发电量的优点。
一种平面掺杂异质结钙钛矿叠层电池

[发明专利]薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法-CN201510785094.2在审
发明人：田汉民;金慧娇;毕文刚;花中秋;杨瑞霞;戎小莹;张天;王伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2015-11-15 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，由透明导电基底、P型薄膜晶硅空穴传输层、钙钛矿光吸收层、由致密二氧化钛构成的电子传输层和背电极构成，其中，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层具备相匹配的能级；组成方式是：P型薄膜晶硅空穴传输层置于透明导电基底上面，钙钛矿光吸收层置于P型薄膜晶硅空穴传输层的上面，钙钛矿光吸收层与P型薄膜晶硅空穴传输层形成薄膜晶硅钙钛矿异质结，由致密二氧化钛构成的电子传输层置于钙钛矿光吸收层上面，背电极置于由致密二氧化钛构成的电子传输层上面。克服了现有钙钛矿太阳电池稳定性不足、制备成本高或硅材料使用量大的缺陷。
薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法-CN202211335712.X在审
发明人：赵奎;李昊瑾;刘新梅;宋鑫;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法，该探测器在柔性基材的两侧分别制备二维钙钛矿材料和三维钙钛矿材料，使得二维钙钛矿材料和三维钙钛矿材在交互处形成了异质结结构，促进器件构建起一个内建电场，使用异质结结构的X射线探测器可以在自驱动模式下工作，并表现出出色的灵敏度、超低的暗电流和运行稳定性。半导体在辐射条件下产生光电子‑空穴对，随后由异质结引起的内置电场加速了光电子‑空穴对的分离和光电子的定向移动。通过搭配不同组分的钙钛矿前驱体溶液在探测器内部构建内建电场结构，改善了器件的电荷传输性能，并在无外加电场的驱动下获得了291.82μC·Gy‑1·cm
一种柔性异质结钙钛矿探测器及其制备方法

[发明专利]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201910811358.5在审
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本发明适用于太阳能电池。
背接触钙钛矿异质结掺杂叠层太阳电池太阳能电池技术异质结太阳电池光电转换效率太阳能电池电极设置开路电压太阳光谱阴影遮挡宽带隙窄带隙叠层硅基发电量

[发明专利]钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310713067.9在审
发明人：王永磊;刘杨;顾小兵;何博;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法。其中，制备方法包括以下步骤：制备硅异质结底电池，在所述硅异质结底电池的一侧依次制备复合层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和前透明导电层，采用激光处理所述前透明导电层使所述前透明导电层至少部分晶化，并且所述激光不损伤所述硅异质结底电池和所述钙钛矿吸收层。本申请的制备方法，通过激光处理前透明导电层，可以在不影响硅异质结太阳能电池与钙钛矿太阳能电池基底的基础上，使前透明导电层的材料达到晶化，从而提升前透明导电层的材料的光学性能与电学性能，并提升叠层电池的整体效率
钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201921425513.1有效
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本实用新型适用于太阳能电池。
一种接触掺杂异质结钙钛矿叠层太阳电池