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[发明专利]一种机器人控制方法、装置及系统-CN202010244801.8有效
发明人：侯英波;孙德龙;杨水长;潘增建;任政汶 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种机器人控制方法、装置及系统，该方法应用于机器人，包括：通过以太网端口接收并缓存可编程逻辑控制器发送的机器人控制参数；利用后台程序读取接收缓存区，以获取所述机器人控制参数；基于所述机器人控制参数确定对应的控制信号，并根据所述控制信号执行相应的机器人控制操作。由上可知，本申请中机器人接收可编程逻辑控制器发送的机器人控制参数，进而利用机器人的后台程序读取缓存区，并根据读取到的机器人控制参数对机器人进行控制，也即，本申请采用可编程逻辑控制器与机器人进行通信，无需进行上位机的开发，显著减少了开发工作量，且利用机器人的后台程序实现数据读取，与前台运动轨迹程序分离，不影响节拍时间。
一种机器人控制方法装置系统

[发明专利]一种双层偏振非制冷红外探测器结构及其制备方法-CN201710331925.8有效
发明人：邱栋;杨水长;王鹏;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。
一种双层偏振制冷红外探测器结构及其制备方法

[发明专利]一种非制冷红外焦平面探测器及其制备方法-CN201910126342.0有效
发明人：孙传彬;陈文礼;杨水长;孙俊杰;张磊;战毅;董国强 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种非制冷红外焦平面探测器，包括基底层；位于所述基底层上表面的支撑层；位于所述支撑层背离所述基底层的表面的功能层，且所述功能层中的图形化热敏层的侧壁与所述功能层中的图形化电极层不接触；位于所述功能层背离所述支撑层的表面的钝化层。本申请中非制冷红外焦平面探测器，包括依次叠加的基底层、支撑层、功能层和钝化层，功能层中图形化热敏层的侧壁与功能层中的图形化电极层之间不产生接触，从而避免图形化热敏层两端接触孔直接相连造成图形化热敏层短路，提高非制冷红外焦平面探测器的良率和性能。此外，本申请还提供一种具有上述优点的非制冷红外焦平面探测器制备方法。
一种制冷红外平面探测器及其制备方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器的热敏薄膜及其制备方法-CN201910257251.0有效
发明人：甘先锋;王宏臣;陈文礼;王鹏;杨水长 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种本发明提供了一种非制冷红外探测器的热敏薄膜，由合金材料氧化制得：所述合金材料包括90～100wt％的主金属和0～10wt％的掺杂金属，所述主金属为钛和/或钒；所述掺杂金属为钨、钴和钼中的一种或几种。本发明中的热敏薄膜以钒、钛或钒钛为主掺杂二元或三元金属氧化物，不仅提升了薄膜的耐温性，还因掺杂一些特殊金属后，存在晶格失配使薄膜的电阻温度系数TCR比纯的氧化钒或氧化钛薄膜的都要高，从而使采用本发明中的热敏薄膜制成的非制冷红外探测器的灵敏度得以提高，同时因薄膜的耐温性提高，改善了“日光致盲”效应。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的热敏薄膜的制备方法。
一种制冷红外探测器热敏薄膜及其制备方法

[发明专利]一种非制冷红外探测器及其制备方法-CN201811124163.5有效
发明人：甘先锋;杨水长;王宏臣;陈文礼;王鹏 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G01J5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种非制冷红外探测器，其中用于将红外探测层中的热敏薄膜层与读出电路电连接的锚点为实心锚点。相比于现有技术中的空心锚点，实心锚点可以有效增加锚点的结构强度以及减小热敏薄膜层与读出电路之间的接触电阻，从而在保证一定的结构强度以及热敏薄膜层与读出电路之间一定的接触电阻的条件下，可以有效减小锚点的体积，从而便于非制冷红外探测器的小型化。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的制备方法，所制备而成的非制冷红外探测器同样具有上述有益效果。
一种制冷红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种吸气剂薄膜的加工衬底和加工工艺-CN201811330616.X在审
发明人：甘先锋;杨水长;杨秀武 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J7/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种吸气剂薄膜的加工衬底，包括：衬底基板；所述衬底基板设有多组镂空槽，每组镂空槽围成的区域内设有多个吸气剂端子；覆盖在所述衬底基板上的硬掩膜版；所述硬掩膜版设有多个开孔，使上述每组镂空槽围成的区域不被硬掩膜版覆盖。本发明还提供了一种吸气剂薄膜的加工工艺，包括以下步骤：a)将吸气剂材料在加工衬底上进行沉积，切割后得到吸气剂薄膜；所述加工衬底为上述技术方案所述的加工衬底。与现有技术相比，本发明提供的加工工艺采用特定的加工衬底，避开了光刻和蚀刻工艺以及剥离工艺、划片工艺，减少设备投入，利于环保，加工周期短，从而能够实现吸气剂薄膜加工的简单高效化及低成本量产，并提升吸气剂薄膜的吸气性能。
一种吸气薄膜加工衬底工艺

[实用新型]一种金属图形化的剥离结构-CN201921366070.3有效
发明人：甘先锋;杨水长 -专利权人：无锡英菲感知技术有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。
一种金属图形剥离结构

[发明专利]一种三维吸气剂薄膜结构及其制备方法-CN201810843088.1在审
发明人：甘先锋;杨水长;孙俊杰;王宏臣;陈文礼 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L23/26 文献下载
摘要：本发明属于高真空电子器件领域，公开了一种三维吸气剂薄膜结构及其制造方法，包括衬底、凸出部，所述凸出部以阵列排布方式分布在所述衬底的表面；以及吸气剂薄膜，所述凸出部用于增大所述吸气剂薄膜的表面积。采用本发明的三维吸气剂薄膜结构及其制备方法，具有提高吸气剂薄膜单位占用衬底面积吸气性能的优点。
吸气剂凸出部衬底薄膜薄膜结构三维电子器件领域吸气阵列排布高真空制备占用制造

[发明专利]一种金属图形化的剥离结构及其制作方法-CN201910773933.7在审
发明人：甘先锋;杨水长 -专利权人：无锡英菲感知技术有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶。本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
胶膜结构光刻胶层剥离结构图形化金属衬底衬底上表面金属图形化屋檐结构两层申请边缘光滑台阶结构上表面可用两级沉积制作塌陷背离稳固

[发明专利]一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构-CN201610685286.0有效
发明人：王宏臣;杨水长 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外焦平面探测器微桥的制作方法和结构，该制作方法包括：在以读出电路为基底的晶圆上制备反射层；在反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层；蚀刻第一支撑层，在反射层上方制备第一通孔；在第一支撑层上依次制备第一电极、第一介质层、第一钝化层、第二牺牲层、第二支撑层、热敏层、保护层；蚀刻第二支撑层，在第一电极上方制备第二通孔；蚀刻保护层，在热敏层上方制备接触孔；在热敏层及第二支撑层上依次制备第二电极、第二介质层、第二钝化层、第三牺牲层、第三支撑层、第三钝化层；释放各层牺牲层，得到探测器结构。本发明通过三层微桥结构提高了像素结构的有效填充因子及红外吸收效率。
一种制冷红外平面探测器制作方法结构

[发明专利]一种MEMS晶圆芯片的分离方法-CN201711408352.0有效
发明人： 杨水长;甘先锋;牟晓宇;孙传彬 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS晶圆芯片的分离方法，包括对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；对所述MEMS晶圆进行裂片；去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。上述MEMS晶圆芯片的分离方法，能够降低分离成本，且避免崩边和硅渣硅粉造成的不利影响，提高产品良率和生产效率。
晶圆芯片晶圆芯片区域保护膜切割道产品良率分离成本生产效率崩边硅粉硅渣划片裂片贴上去除芯片暴露申请

[发明专利]一种MEMS芯片的制作方法-CN201711145570.X有效
发明人： 杨水长;陈文礼;甘先锋;孙传彬;牟晓宇;王鹏 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS芯片的制作方法，在切割晶圆之前，在晶圆的上表面键合了一个盖板，此时在盖板表面贴一层膜就可以封闭晶圆上表面形成的MEMS芯片的工作区域。由于在切割时需要冲水，此时将工作区域封闭就可以避免在冲水时水对工作区域中微结构的破坏。在晶圆表面键合的盖板可以遮蔽工作区域中的遮挡区域，在后续封装过程中就可以不再添加用于遮蔽上述遮挡区域的挡片。同时在切割之前就完成晶圆释放，可以大大增加释放效率。
工作区域晶圆切割遮挡区域盖板上表面冲水键合遮蔽封装过程盖板表面晶圆表面释放封闭微结构挡片制作

[发明专利]一种MEMS释放架、释放机台及MEMS组件释放的方法-CN201910405920.4在审
发明人：孙传彬;张磊;杨水长;陈文礼;董国强;战毅 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种MEMS释放架，包括释放托盘及释放盖板；所述释放托盘包括安置区域，所述安置区域用于放置待释放MEMS组件；所述释放盖板的表面均匀分布有多个通孔；所述释放盖板通过支撑件设置在所述释放托盘上方，与所述释放托盘形成腔体，且所述腔体具有等离子体扩散通道。本申请在现有技术中的释放托盘上增设带孔的释放盖板，避免了等离子体直接冲击所述待释放MEMS组件，保护了晶圆的完整性；同时，所述释放盖板上均匀分布通孔，使所述等离子体尽可能均匀地与所述待释放MEMS组件接触，最终提高了成品的良率，此外，本申请改动小，成本低，易于大规模使用。本申请还提供了一种具有上述有益效果的释放机台及MEMS组件释放的方法。
释放托盘盖板等离子体机台释放架申请腔体通孔等离子体扩散支撑件安置带孔晶圆良率增设

[发明专利]一种非制冷红外探测器的热敏薄膜及其制备方法-CN201910257286.4在审
发明人：甘先锋;王宏臣;陈文礼;王鹏;杨水长 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2019-04-01 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种非制冷红外探测器的热敏薄膜，由合金材料氧化制得：所述合金材料包括90～100wt％的主金属和0～10wt％的掺杂金属，所述主金属为钛和/或钒；所述掺杂金属为钨、钴和钼中的一种或几种。本发明中的热敏薄膜以钒、钛或钒钛为主的掺杂二元或三元金属氧化物，不仅提升了薄膜的耐温性，还因掺杂一些特殊金属后，存在晶格失配会使薄膜的电阻温度系数TCR比纯的氧化钒或氧化钛薄膜的都要高，从而使采用本发明中的热敏薄膜制成的非制冷红外探测器的灵敏度得以提高，同时因薄膜的耐温性提高，改善了“日光致盲”效应。本发明还提供了一种非制冷红外探测器的热敏薄膜的制备方法。
热敏薄膜非制冷红外探测器薄膜掺杂金属合金材料耐温性主金属制备掺杂三元金属氧化物电阻温度系数氧化钛薄膜晶格失配灵敏度氧化钒钴和钼钒钛致盲日光金属

[实用新型]一种吸气剂薄膜的加工衬底-CN201821857876.8有效
发明人：甘先锋;杨水长;杨秀武 -专利权人：烟台艾睿光电科技有限公司
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01J7/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种吸气剂薄膜的加工衬底，包括：衬底基板；所述衬底基板设有多组镂空槽，每组镂空槽围成的区域内设有多个吸气剂端子；覆盖在所述衬底基板上的硬掩膜版；所述硬掩膜版设有多个开孔，使上述每组镂空槽围成的区域不被硬掩膜版覆盖。与现有技术相比，本实用新型提供的加工衬底具有特定结构及连接关系，能够用于薄膜衬底的加工工艺，实现避开了光刻和蚀刻工艺以及剥离工艺、划片工艺，减少设备投入，利于环保，加工周期短，从而进一步实现吸气剂薄膜加工的简单高效化及低成本量产，并提升吸气剂薄膜的吸气性能。
吸气剂薄膜衬底基板硬掩膜镂空槽衬底加工本实用新型吸气剥离工艺薄膜加工划片工艺加工周期减少设备连接关系蚀刻工艺低成本高效化覆盖光刻开孔量产避开环保

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