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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]半导体封装件-CN202320998626.0有效
发明人：李铮鸿;刘修吉;陈映齐 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体封装件，包括：导线结构；电子元件，位于导线结构上；第一封装层，封装导线结构和电子元件；第一纳米线结构，位于第一封装层和电子元件上并且接触电子元件；第一散热结构，位于第一纳米线结构上，第一纳米线结构将来自电子元件和第一封装层的热量传递至第一散热结构，第一散热结构将来自第一纳米线结构的热量传递至外部。本申请的实施例通过使用第一纳米线结构代替现有技术中的TIM材料，第一纳米线结构的刚性与应力强度都比现有的TIM材料好，可以改善现有的裂痕或是脱层的问题。
半导体封装

[发明专利]扇出型封装结构-CN202111093731.1在审
发明人：翁振源;李铮鸿;闵繁宇;刘修吉;赖仲航 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构，包括：并排设置的第一电子元件和第二电子元件，第一电子元件包括：功能凸块阵列，位于第一电子元件的下表面的中心处；伪凸块，位于功能凸块阵列和第一电子元件的下表面的边界之间；线路层，位于第一电子元件和第二电子元件下方，第二电子元件和第一电子元件的功能凸块阵列电连接至线路层，第一电子元件的伪凸块物理接触线路层。本发明的目的在于提供一种扇出型封装结构，以提高扇出型封装结构的良率。
扇出型封装结构

[发明专利]半导体装置封装及制造半导体装置封装的方法-CN202110108697.4在审
发明人：施旭强;林弘毅;谢孟伟;张育昇;刘修吉 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本揭露提供一种半导体装置封装，其包含电子组件、电触点及加强层。所述电子组件具有在所述电子组件的第一表面上的第一导电层。所述电子组件具有穿透所述电子组件且电连接到所述第一导电层的硅穿孔TSV。所述电触点安置于所述电子组件的所述第一表面上且电连接到所述第一导电层。所述加强层安置于所述电子组件的所述第一表面上。
半导体装置封装制造方法

[发明专利]半导体封装结构和其制造方法-CN202110034051.6在审
发明人：闵繁宇;李铮鸿;刘修吉;陈亮均 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装结构和制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包含重新分布层结构、电子装置、第一加强结构、第二加强结构和封装体。所述重新分布层结构具有钝化层和安置在所述钝化层中的经过图案化的导电层。所述电子装置安置在所述重新分布层结构上。所述第一加强结构安置在所述重新分布层结构上并且具有第一模量。所述第二加强结构安置在所述第一加强结构上并且具有基本上小于所述第一模量的第二模量。所述封装体安置在所述重新分布层结构上并且包封所述电子装置、所述第一加强结构和所述第二加强结构。
半导体封装结构制造方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN201910439447.1在审
发明人： 刘修吉;方绪南 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供半导体封装结构，包含导电迹线层、在所述导电迹线层之上的半导体管芯、围绕所述半导体管芯的结构增强层，以及覆盖所述半导体管芯和所述结构增强层的囊封物。所述结构增强层与所述半导体封装结构的质量中心平面重合。所述质量中心平面平行于所述半导体管芯的顶部表面。还提供了一种用于制造所述半导体封装结构的方法。
半导体封装结构及其制造方法

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