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[其他]重掺锑硅单晶的制造方法-CN86100854无效
发明人：阙端麟;李立本;陈修治 -专利权人：浙江大学
申请日： 1986-01-16 - 公布日： 1988-08-31 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压——常压——减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15-20％，提高成品率10％以上，产品质量稳定。
重掺锑硅单晶制造方法

[其他]重掺锑硅单晶的制造方法-CN101986000000854在审
发明人：阙端麟;李立本;陈修治 -专利权人：浙江大学
申请日： 1986-01-16 - 公布日： 1988-08-31 - 主分类号：文献下载
摘要：一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压－－常压－－减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本１５－２０％，提高成品率１０％以上，产品质量稳定。
重掺锑硅单晶制造方法

[发明专利]磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片-CN201510083673.2有效
发明人：田达晰;马向阳;李刚;何永增;郑铁波;梁兴勃;陈华;王震 -专利权人：浙江金瑞泓科技股份有限公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶及其硅外延片。磷砷锑共掺杂的N型重掺直拉硅单晶，磷作为主要掺杂元素，砷、锑中的一种或二种作为辅助掺杂元素，所述的磷的浓度大于等于4.6×1019/cm3,在掺杂元素中占比大等于60%，辅助掺杂元素在掺杂元素中的占比为本发明能消除或显著减少硅外延片中因晶格失配引起的滑移线的N型重掺直拉硅单晶，可以有效减少或消除在由高掺杂浓度的N型重掺直拉硅单晶加工的抛光片上生长外延层时产生的失配位错线缺陷；且在解决该问题的同时不会产生在高温过程后半导体器件过渡区变宽的问题；改变了业界惯例即在硅单晶中磷砷锑中的多种不能同时作为掺杂剂。
磷砷锑共掺杂型重掺直拉硅单晶及其外延

[发明专利]一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置-CN202210603691.9在审
发明人：苏波;周小渊;温洋;马占东;贺俊杰;董长海;陈娟;沙彦文 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
一种用于 mcz 法拉制重掺锑单晶方法装置

[实用新型]一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺装置-CN202221348739.8有效
发明人：苏波;周小渊;温洋;马占东;贺俊杰;董长海;陈娟;沙彦文 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本实用新型具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题
一种用于 mcz 法拉制重掺锑单晶装置

[发明专利]一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产工艺及其生产设备-CN201910119038.3在审
发明人：张向东;王林;章斌;毛荣昌;程龙柱 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产工艺及其生产设备，其生产设备包括用于装料的石英坩埚、用于晶体成型的单晶炉、用于回收熔料时产生热气的温度稳定装置以及用于控制上述三者的控制柜；所述单晶炉外设有用于将温度稳定装置内部的热气向单晶炉内排出的排气装置；本发明的有益效果：主要是通过在生产晶体时，将石英环作为添加材料加入至多晶硅料内，从而来达到提高重掺锑硅单晶中的氧含量。
重掺锑硅单晶生产设备单晶炉温度稳定装置生产工艺热气装料多晶硅料排气装置石英坩埚添加材料控制柜石英环排出熔料外设成型回收生产

[实用新型]一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产设备-CN201920204924.1有效
发明人：张向东;王林;沈顺华;毛荣昌;俞顺根 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高重掺锑硅单晶氧含量的生产设备，其生产设备包括用于装料的石英坩埚、用于晶体成型的单晶炉、用于回收熔料时产生热气的温度稳定装置以及用于控制上述三者的控制柜；所述单晶炉外设有用于将温度稳定装置内部的热气向单晶炉内排出的排气装置；本实用新型的有益效果：主要是通过在生产晶体时，将石英环作为添加材料加入至多晶硅料内，从而来达到提高重掺锑硅单晶中的氧含量。
重掺锑硅单晶生产设备单晶炉温度稳定装置本实用新型热气装料多晶硅料排气装置石英坩埚添加材料控制柜石英环排出熔料外设成型回收生产

[发明专利]直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置-CN200910228154.5有效
发明人：沈浩平;高润飞;张雪囡;高树良;尚伟泽;刘建伟;徐强;郭丽华;李海静 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及直拉重掺锑单晶的掺杂方法及掺杂装置。掺杂装置包括石英罩和小石英坩埚，将盛有掺杂剂锑的小石英坩埚悬挂在石英罩内，小石英坩埚的底部设有一个小孔。采用该掺杂装置，在硅料熔化完成后，将掺杂剂锑有效的掺入硅熔体中，在掺杂过程中，掺杂剂锑从小孔流入熔硅的瞬间飞溅被有效地控制在石英罩内，避免了对炉膛气氛的破坏，有效解决了因反应剧烈造成的飞溅而导致掺杂剂锑较难掺入硅料中的问题不但提高了锑掺杂的效率，而且节约了掺杂剂的成本，同时提高了重掺锑单晶的成晶率，从而满足了国内外市场对重掺锑单晶的需求。
直拉重掺锑单晶掺杂方法装置

[发明专利]一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法-CN202011542807.X在审
发明人：王万华;李英涛;皮小争;崔彬;吴志强;刘斌 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶的方法，其特征在于，在单晶的收尾过程中，通过控制收尾的拉速和温度，使尾部形状中出现一段与等径部分形状相同的圆柱形；如果收尾完好，可以清晰的看到“胞线”，表明硅单晶尾部无位错，单晶完好；如果收尾不完好，可以明显看到“断胞”的位置；从“断胞”的位置反切1.08～1.15倍直径，获得无位错硅单晶。本发明通过改进直拉法生长重掺锑硅单晶的收尾工艺，控制尾部形状，可以准确判断出“断胞”位置，从而得到无位错硅单晶。
一种通过控制收尾形状获得无位错重掺锑硅单晶方法

[实用新型]一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置-CN201822213533.4有效
发明人：张向东;王林;毛荣昌;俞顺根;章斌;程龙柱 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置，包括支架、设置在支架上的提纯管和用于持续通入氩气的进气管，所述提纯管顶部设置有开口，所述开口处盖设有上盖，所述上盖中心位置处上下贯穿设置有通孔，所述提纯管内底部填充有若干锑源，该若干锑源中心位置处插设有籽晶，所述籽晶远离锑源的一端穿过通孔并延伸至上盖上方，所述进气管的出气端贯穿上盖后延伸至提纯管内部，所述上盖上且位于开口的一侧设置有用于排出提纯管内部空气的出气管，所述提纯管下方设置有用于加热提纯管的加热组件本实用新型提供了一种掺杂源纯度高、掺准率高且成晶率高的直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置。
提纯锑源重掺锑硅单晶提纯装置上盖直拉本实用新型管内部进气管通孔支架籽晶开口中心位置处底部填充顶部设置加热组件上盖中心上下贯穿氩气掺杂源出气端出气管开口处位置处延伸管内排出加热穿过贯穿

[发明专利]直拉硅单晶生长的重掺杂方法-CN00122075.6无效
发明人：沈益军;马向阳;田达晰;李立本;阙端麟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2000-08-16 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种直拉硅单晶生长的重掺杂方法。本发明是通过掺杂器缓慢地进入熔硅内，避免了掺杂剂骤热而引起的爆炸，使掺入量能得到更好的控制，同时保证单晶炉膛干净，有利于单晶生长。进行重掺磷、重掺砷和重掺锑硅单晶的生长，有显著的经济效益。
直拉硅单晶生长掺杂方法

[发明专利]一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置-CN202210164190.5在审
发明人：杨静;韩焕鹏;张伟才;莫宇;王世援;赵堃;孙伟乾;刘建义;曹嘉麟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂的方法及掺杂装置。掺杂装置包括石英外罩和内载料漏斗，内载料漏斗材质选用在石墨基体上镀碳化硅涂层，内载料漏斗设置在石英外罩内部。使用时，掺杂装置通过石英外罩罩系上的连接孔放置到单晶炉内，载料漏斗下部细长圆柱部分浸入硅熔体中，随着漏斗内锑元素不断向硅熔体中掺入，漏斗内锑元素量减少，漏斗的配重盖沿着导轨下滑直到所有锑单质全部进入熔硅由于整个掺杂过程斗体的细长圆柱部分始终处于硅熔体中，避免了锑蒸汽被炉内的氩气流吹走而造成损失。锑元素的掺入效率增加至90%，避免了重掺锑硅单晶因为掺入失败造成的成品率大幅下降。
一种重掺锑硅单晶中锑元素掺杂方法装置

[发明专利]一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法-CN201811607711.X在审
发明人：张向东;王林;毛荣昌;俞顺根;章斌;程龙柱 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法，包括支架、设置在支架上的提纯管和用于持续通入氩气的进气管，所述提纯管顶部设置有开口，所述开口处盖设有上盖，所述上盖中心位置处上下贯穿设置有通孔，所述提纯管内底部填充有若干锑源，该若干锑源中心位置处插设有籽晶，所述籽晶远离锑源的一端穿过通孔并延伸至上盖上方，所述进气管的出气端贯穿上盖后延伸至提纯管内部，所述上盖上且位于开口的一侧设置有用于排出提纯管内部空气的出气管本发明提供了一种掺杂源纯度高、掺准率高且成晶率高的直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法。
提纯锑源重掺锑硅单晶提纯装置上盖直拉掺杂管内部进气管通孔支架籽晶开口中心位置处氩气底部填充顶部设置加热组件上盖中心上下贯穿掺杂源出气端出气管开口处位置处延伸管内加热排出穿过贯穿

[发明专利]用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗-CN200310117761.7有效
发明人：田达晰;马向阳;赵松宏;杨德仁;李立本 -专利权人：宁波立立电子股份有限公司
申请日： 2003-12-30 - 公布日： 2004-12-22 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂漏斗具有漏斗体、在漏斗体上端设有漏斗盖、挂钩。用掺杂漏斗掺杂方法的主要步骤为：1)将掺杂剂装在如权利要求1所述的掺杂漏斗中；2)在多晶硅完全熔化后降下掺杂漏斗至单晶炉炉膛内掺杂。若掺入的是锑，则降掺杂漏斗至漏斗下部漏嘴离熔硅液面10至20mm高度，使受热熔化的锑滴入硅熔体内而被吸收；若掺入的是磷或砷则降低漏斗至漏斗下部的漏斗嘴浸入液面5至10mm深，使气化的掺杂剂通过漏嘴进入硅熔体并被吸收本发明使用的掺杂漏斗掺杂，提高了磷、砷、锑的掺杂效率(磷、砷、锑被熔体吸收的比例)，减少了高纯掺杂剂的使用量和环境污染，其中磷、砷的掺杂效率约为90％，锑的掺杂效率接近100％。
用于重掺直拉硅单晶制造掺杂方法及其漏斗

[发明专利]重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置-CN200810059805.8无效
发明人：刘培东 -专利权人：刘培东
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置，它是将半导体工业中废弃的重掺硅的埚底料、头尾料、边角料、破碎片，在高温下加热熔化，通过在硅熔体中通惰性气体He、Ne、Ar，用吹气鼓泡促进蒸发的方法，降低硅中掺杂剂的磷、砷、锑、硼的浓度，以达到将半导体重掺硅用于太阳能硅的原料。本发明通过在普通的直拉硅单晶炉上附加一个吹气鼓泡装置和取样勺，采用控制蒸发温度和吹气鼓泡时间，可实现对硅中杂质的有效控制和随时检测，当N型杂质总浓度小于5×10¹⁶atms/cm³，或P型杂质总浓度小于1×10¹⁷atms/cm³，对应电阻率大于0.1Ω.cm时，半导体重掺硅的废弃料，可用于拉制太阳能硅单晶的原料。
重掺硅中磷去除方法及其装置

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