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[发明专利]多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法-CN200810052489.1有效
发明人：孙云;乔在祥;李胜林;何青;张德贤;周志强 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：一种多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法。该方法包括：将衬底与铟源、镓源、锑源蒸发源置入真空镀膜系统的钟罩内抽真空；将衬底均匀加热至200－600℃之间，并保持这一衬底温度；同时打开锑源、铟源、镓源蒸发源的加热电源，分别控制其蒸发温度，锑源加热至300－500℃之间，铟源加热至400－1200℃之间，镓源加热至500－1300℃之间，使其各自蒸发，可分别制备出锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)或铟镓锑(InGaSb)等多晶化合物半导体薄膜。通过调节锑源、镓源和铟源等蒸发源温度，控制各元素的蒸发速率，可得到不同比例的铟镓锑(InGaSb)类薄膜材料，从而调节材料的禁带宽度。
多元蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜方法

[发明专利]锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法-CN201910614722.9有效
发明人： S.B.赫纳;E.哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种用于形成锑掺杂的含硅层的工艺，包含：(a)使用锑源气体和硅源气体或硅源气体和锗源气体的组合，通过化学气相沉积在半导体结构上方沉积锑掺杂的含硅层；以及(b)在不大于800℃的温度下退火锑掺杂的含硅层。锑源气体可以包含以下中的一种或多种：三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。硅源气体包括以下中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷(MCS)、甲基硅烷，以及四氯化硅。锗源气体包括锗烷。
掺杂硅锗膜原位制备方法

[发明专利]一种高纯锑化镉的制备方法和应用-CN202210256182.3有效
发明人：文崇斌;周荣艳;朱刘;童培云 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高纯锑化镉的制备方法和应用，属于材料制备领域。本发明制备方法包括以下步骤：(1)将锑源和镉源置于反应容器中；所述锑源和镉源的摩尔比为：1：(1.1～1.5)；(2)将步骤(1)的反应容器置于惰性气氛中进行程序烧结处理后，随炉降温即可得到高纯锑化镉。本发明巧妙的利用镉和锑单质熔融后饱和蒸气压的差距，采用熔融镉、熔融锑化镉、熔融锑三个保温阶段的煅烧，在保证镉能将锑完全反应的同时，降低产品中游离镉的含量，制备出接近化学计量比的高纯锑化镉。
一种高纯锑化镉制备方法应用

[发明专利]一种用于离子电池负极的碳包覆锑多孔材料的制备方法-CN201710541003.X在审
发明人：鞠治成;王宏;赵伟;戚秀君;崔永丽;史月丽 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种用于离子电池负极的碳包覆锑多孔材料的制备方法，属于碳包覆锑多孔材料的制备方法。碳包覆锑多孔材料的制备方法采用锑源溶液和碳源搅拌吸收、均匀分散混合、碳化步骤，调控反应过程中技术参数，制备得到多孔碳包覆锑的结构，获得碳包覆锑多孔材料；将碳包覆锑多孔材料作为离子电池负极材料，制作成电极片；具体的将锑源融入溶剂缓慢加到碳源中通过搅拌并不断加入分散剂使锑源充分扩散混合，锑源和碳源比约为110到11，并在惰性气氛中碳化1‑10小时，清洗后干燥得到所需材料。优点方法简单，原料廉价易得，操作步骤可控性高，通过调控反应过程中的参数，实现对碳包覆锑材料的廉价、规模化生产，并将其应用做离子电池的负极材料。
一种用于离子电池负极碳包覆锑多孔材料制备方法

[发明专利]一种三硫化二锑纳米粒子的制备方法-CN201910204962.1在审
发明人：李道金;李冠峰;刘秋霞;刘向慧;杨红兵 -专利权人：洛阳师范学院
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种三硫化二锑纳米粒子的制备方法，属于有色金属材料制备领域。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将硫源溶于水后加热，得到硫源溶液；将三氯化锑溶于水，得到三氯化锑溶液；将所述三氯化锑溶液滴加到所述硫源溶液中，进行液相沉淀反应，得到三硫化二锑沉淀；将所述三硫化二锑沉淀及母液依次进行冷却，分离，洗涤和干燥，得到三硫化二锑纳米粒子。本发明以三氯化锑和硫源为原料，采用液相沉淀法制得Sb₂S₃纳米粒子，该制备方法工艺简单、反应条件温和、便于操作。
三硫化二锑纳米粒子三氯化锑制备硫源溶液硫源沉淀材料制备领域液相沉淀反应制备方法工艺反应条件液相沉淀溶液滴母液加热洗涤冷却

[实用新型]一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置-CN201822213533.4有效
发明人：张向东;王林;毛荣昌;俞顺根;章斌;程龙柱 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置，包括支架、设置在支架上的提纯管和用于持续通入氩气的进气管，所述提纯管顶部设置有开口，所述开口处盖设有上盖，所述上盖中心位置处上下贯穿设置有通孔，所述提纯管内底部填充有若干锑源，该若干锑源中心位置处插设有籽晶，所述籽晶远离锑源的一端穿过通孔并延伸至上盖上方，所述进气管的出气端贯穿上盖后延伸至提纯管内部，所述上盖上且位于开口的一侧设置有用于排出提纯管内部空气的出气管，所述提纯管下方设置有用于加热提纯管的加热组件本实用新型提供了一种掺杂源纯度高、掺准率高且成晶率高的直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置。
提纯锑源重掺锑硅单晶提纯装置上盖直拉本实用新型管内部进气管通孔支架籽晶开口中心位置处底部填充顶部设置加热组件上盖中心上下贯穿氩气掺杂源出气端出气管开口处位置处延伸管内排出加热穿过贯穿

[发明专利]一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及提纯掺杂方法-CN201811607711.X在审
发明人：张向东;王林;毛荣昌;俞顺根;章斌;程龙柱 -专利权人：衢州晶哲电子材料有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法，包括支架、设置在支架上的提纯管和用于持续通入氩气的进气管，所述提纯管顶部设置有开口，所述开口处盖设有上盖，所述上盖中心位置处上下贯穿设置有通孔，所述提纯管内底部填充有若干锑源，该若干锑源中心位置处插设有籽晶，所述籽晶远离锑源的一端穿过通孔并延伸至上盖上方，所述进气管的出气端贯穿上盖后延伸至提纯管内部，所述上盖上且位于开口的一侧设置有用于排出提纯管内部空气的出气管本发明提供了一种掺杂源纯度高、掺准率高且成晶率高的直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置及其提纯掺杂方法。
提纯锑源重掺锑硅单晶提纯装置上盖直拉掺杂管内部进气管通孔支架籽晶开口中心位置处氩气底部填充顶部设置加热组件上盖中心上下贯穿掺杂源出气端出气管开口处位置处延伸管内加热排出穿过贯穿

[发明专利]制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法-CN200610012247.0无效
发明人：戴瑞烜;陈诺夫;彭长涛;王鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-14 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明一种制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法，其特征在于，包括如下步骤：1)选择基底材料，选择锰金属和锑金属为源；2)将基底材料和锰、锑源材料送入生长炉；3)抽真空，控制锰源和锑源的温度和生长时间
制备网状纳米阵列铁磁性薄膜物理沉积方法

[发明专利]一种锑酸锰粉体、其制备方法和应用-CN202310868860.6有效
发明人：李万新;凡萍;刘振中;骆威 -专利权人：以诺康医疗科技（苏州）有限公司;以诺康医疗科技（合肥）有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑酸锰粉体、其制备方法和应用，属于无机材料制备技术领域。本发明将摩尔比为1.8~2.2：1的锰源和锑源经球磨烘干后，按照氢键受体与锰源摩尔比0.5~1:1加入低共熔溶剂，混合均匀后烘干、粉碎，最后经过700‑800℃固相烧结、粉碎、洗涤和烘干，得到亚微米级纯相锑酸锰粉体；所述锰源为二氧化锰，碳酸锰，硝酸锰中的一种或几种，锑源为三氧化二锑、五氧化二锑中的一种或两种；所述低共熔溶剂是以氯化胆碱作为氢键受体，以丙二酸、尿素、乙酰胺中的一种作为氢键供体。本发明方法所制备的锑酸锰粉体，为标准的四方相晶体结构，粒度均匀、单分散性好，适合作为大功率压电陶瓷材料的掺杂物使用。
一种锑酸锰粉体制备方法应用

[发明专利]一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法-CN202210000074.X在审
发明人：阮岳峰;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：浙江尚能实业股份有限公司
申请日： 2022-01-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合锑扩散源制备方法和半导体掺杂加工的方法，1，按质量份数将正硅酸乙酯20‑22份与乙醇35‑40份混合均匀加热至60‑65℃；2，按质量份数加入水3‑5份，60‑65℃下保温2‑3h后降至室温；3，按质量份数将正丁醇3‑15份与五氯化锑1‑5份均匀混合，其中正丁醇的质量份数是五氯化锑的3倍，通入足量氨气，过滤沉淀收集滤液得到正丁醇锑；4，将步骤3中制得的正丁醇锑加入到步骤2中制备的混合液中搅拌半导体掺杂加工的方法为：1将复合锑扩散源均匀涂布于硅片表面；2，对硅片预烘加热使得复合锑扩散源形成固化的膜层；3，将硅片移动至扩散炉中进行热扩散。通过控制膜厚及扩散源中锑的含量来实现锑掺杂浓度的精确控制。
一种复合扩散制备方法半导体掺杂加工

[发明专利]一种铜锑硒太阳能电池光吸收层的双源共蒸发制备方法-CN202310658825.1有效
发明人：万磊;许光磊;张子硕;周儒;毛小丽;牛海红;王欢 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜锑硒太阳能电池光吸收层的双源共蒸发制备方法，属于铜锑硒太阳能电池技术领域。操作步骤如下：在多源热蒸发镀膜系统的真空腔室中，采用两个阶段的共蒸发镀膜；第一阶段，将硒化亚铜的束源炉、硒化锑的束源炉和镀钼玻璃升温，并保持恒定，使三者同时达到目标温度；在镀钼玻璃的表面同时蒸发沉积硒化亚铜和硒化锑；第二阶段，停止蒸发硒化亚铜，继续保持原温度蒸发硒化锑；温度降至室温，得到厚度为1000nm的铜锑硒薄膜。本发明提高了真空腔室的内部洁净度，在较低的衬底温度下即可获得结晶性较好的铜锑硒薄膜，简化了共蒸发制备工艺，增加了铜锑硒薄膜沉积后的热退火处理工艺而获得较好的薄膜结晶性。
一种铜锑硒太阳能电池光吸收双源共蒸发制备方法

[发明专利]一种高温液相可控合成锑纳米片的方法-CN202010534643.X有效
发明人：何学侠;左甜甜;韩玉 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温液相可控合成锑纳米片的方法，该方法以三氯化锑为锑源、油酸‑油胺‑十八稀为混合溶剂，其中油酸作配体，油胺作还原剂，在惰性气体的气氛中，加热至260～320℃，油胺将三价锑离子还原为金属锑，油酸吸附其表面抑制了纵向生长，从而大量制备出锑纳米片。通过调节反应时间、反应温度、锑源的浓度及冷却速度，能够实现对锑纳米片尺寸和厚度的调节。本发明反应过程简单，耗时短、方法成本低，可以实现高产量、高纯度、高质量、尺寸厚度可调控的锑纳米片的制备。
一种高温可控合成纳米方法

[发明专利]取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池-CN202110332393.6在审
发明人：梁广兴;陈国杰;林锦鸿;陈烁;郑壮豪 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种取向诱导生长的硒化锑薄膜及其制备方法与薄膜太阳电池，包括：将硒化锑和衬底放置于空间升华炉内，通过近空间升华法在所述衬底上沉积硒化锑，得到硒化锑前驱膜；将硒源和所述硒化锑前驱膜放置于双温区管式炉中，通过硒源对所述硒化锑前驱膜进行硒化退火，得到沉积于所述衬底上的硒化锑薄膜。本发明通过具有择优取向的硒化锑前驱膜取向诱导生长制备硒化锑薄膜，制备出的硒化锑薄膜为具有择优取向大晶粒生长的薄膜，将该硒化锑薄膜应用于硒化锑薄膜太阳电池，可以克服现有强各异性硒化锑薄膜导致的载流子产生及传输受限问题，减少硒化锑薄膜太阳电池开路电压亏损，提高硒化锑薄膜太阳电池效率。
取向诱导生长硒化锑薄膜及其制备方法太阳电池

[发明专利]一种硒硫化锑薄膜的制备方法及其应用-CN202010141390.X有效
发明人：陈涛;唐荣风;王小敏;朱长飞 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒硫化锑薄膜的制备方法，包括以下步骤：将酒石酸锑钾、硫源与硒源混合，在密闭环境中进行水热反应，干燥后得到硒硫化锑前驱膜；将所述硒硫化锑前驱膜进行退火，得到硒硫化锑薄膜。本申请还提供了基于硒硫化锑薄膜的太阳能电池器件。本发明在水热体系中合成了致密且平整的硒硫化锑薄膜，所用原材料成本低，反应温度较低，无需有机溶剂，使制备工艺简单且环保。
一种硫化锑薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种锑钼硫化物-碳复合材料及其制备方法和用途-CN202111038569.3有效
发明人：李俊哲;孙文超;汪超;连玮豪;秦清清 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明涉及新能源电极材料制备技术领域，尤其涉及一种锑钼硫化物‑碳复合材料及其制备方法和用途，制备方法包括如下步骤：1)硫化锑的制备：将氯化锑、螯合剂和硫源溶于反应溶液中，搅拌均匀后移至高压反应釜内衬，并在160‑220℃下反应10‑16h，反应结束后将产物离心、洗涤、烘干得到硫化锑；2)锑钼硫化物‑碳的制备：将得到的硫化锑作为前驱体，二水钼酸钠为钼源，连同硫源和碳源加入到反应溶液中，搅拌均匀后移至高压反应釜内衬本发明采用溶剂热合成硫化锑，并以其为模板通过二次溶剂热并结合高温煅烧的方法合成锑钼硫化物‑碳复合材料。
一种硫化物复合材料及其制备方法用途

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