“载流子迁移率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1475840个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在频域内测量有机半导体载流子迁移率的方法-CN200510086781.1无效
发明人：徐征;张福俊;赵谡玲;徐叙瑢 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2005-11-04 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：在频域内测量有机半导体载流子迁移率的方法，制作一种符号载流子的发光寿命很短的(10^－8s)有机发光薄层为探测层，利用发光层发光亮度随激发频率的变化，测量传输相反符号的有机半导体材料的载流子迁移率激发源可用交流正弦、脉冲或方波电压，测量时频率从高到低，把不同频率下发光的数据连接，其延伸线与频率轴的交点f₀即相应载流子穿过待测样品所用的时间，按μ=(d²/tv)(cm²/s.v)可导出迁移率μ，其中d是层厚，t为相应于f₀的半周长，V是跨越待测层的电位降。
域内测量有机半导体载流子迁移率方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110165241.8有效
发明人：王桂磊;李春龙;赵超;李俊峰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成有绝缘隔离层；在所述绝缘隔离层中形成有绝缘隔离层沟槽；在所述绝缘隔离层沟槽中形成有有源区层；在所述有源区层中和其上形成半导体器件结构；其特征在于，所述有源区层的载流子迁移率高于所述衬底的载流子迁移率依照本发明的半导体器件及其制造方法，使用了不同于衬底材料的有源区，提高了沟道区载流子迁移率，从而大幅提高了器件的响应速度，增强了器件的性能。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及显示装置-CN202310209615.4在审
发明人：李宝雨;蔡明瀚;李国孟 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10K50/11 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件及显示装置，所述有机电致发光器件包括有机发光层，所述有机发光层包括载流子复合区和载流子捕获区，所述载流子复合区为注入至所述有机发光层中的第一载流子和第二载流子复合的区域，所述有机发光层包括发光功能材料，所述发光功能材料对所述第二载流子的迁移率大于其对所述第一载流子的迁移率，所述载流子捕获区设于所述第二载流子传输至所述载流子复合区的路径上，所述载流子捕获区包括用于捕获所述第二载流子的载流子捕获材料。本发明能够改善有机发光层中的载流子不平衡现象，从而缓解器件的效率滚降问题，提高器件的寿命等性能。
有机电致发光器件显示装置

[发明专利]一种锗基CMOS的制备方法-CN201510657587.8在审
发明人：黎明;林猛;黄如;安霞;张冰馨;赵阳;郝培霖;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0<x≤2)钝化层，而NMOSFETs中使用有利于电子迁移率提高的氮钝化，同时实现两种载流子迁移率的提高。
一种 cmos 制备方法

[发明专利]一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法-CN201110222150.3有效
发明人：谢欣云;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-04 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法。本发明公开了一种改善PMOS器件载流子迁移率的方法，通过在栅氧制备过程中，根据最后所需栅氧电性厚度目标，通过优化硅基氧化物的氧化时间来控制氧化层厚度，再通过调节去耦等离子氮化工艺的时间或功率，以及精确优化快速氮化退火工艺的时间，使得在基底氧化物层中的氮远离其与硅衬底接触面，以提高空穴的迁移率，从而改善PMOS晶体管的性能。
一种改善 pmos 器件载流子迁移率方法

[发明专利]自旋电子器件、磁存储器以及电子设备-CN201980057546.1在审
发明人：能崎幸雄 -专利权人：学校法人庆应义塾
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：自旋电子器件(1)具有导电层(2)、载流子迁移率或电导率比导电层(2)低的导电层(3)、以及导电层(2、3)之间的边界区域(4)。边界区域(4)具有载流子迁移率或电导率的梯度，通过由该梯度产生的电子的速度场的旋转来生成自旋流。
自旋电子器件磁存储器以及电子设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置-CN201410585136.3在审
发明人：闫梁臣 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有源层的图形和源漏极的图形，其中，在所述基板上形成有源层的图形包括：在所述基板上形成第一有源层的图形和第二有源层的图形，所述第二有源层的图形位于所述第一有源层的图形与所述源漏极的图形之间，且所述第二有源层的载流子迁移率小于所述第一有源层的载流子迁移率本发明通过将有源层分为第一有源层和第二有源层，并使靠近源漏极的第二有源层的载流子迁移率小于第一有源层，从而能够有效抑制由于制作有源层的材料具有过大的迁移率对TFT关态电流和阈值电压的影响。
薄膜晶体管及其制作方法阵列显示装置

[发明专利]改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构-CN200410101891.6有效
发明人：王晓亮;王翠梅;胡国新;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：一种改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构，包括：一蓝宝石衬底或碳化硅衬底或硅衬底；一高阻氮化镓缓冲层，该高阻氮化镓缓冲层制作在衬底上；一薄层非故意掺杂铝镓氮插入层，该非故意掺杂铝镓氮插入层制作在高阻氮化镓缓冲层上；一高迁移率氮化镓沟道层，该高迁移率氮化镓沟道层制作在非故意掺杂铝镓氮插入层上；一非故意掺杂铝镓氮空间隔离层，该非故意掺杂铝镓氮空间隔离层制作在高迁移率氮化镓沟道层上；一n型掺杂铝镓氮载流子供给层，该n型掺杂铝镓氮载流子供给层制作在非故意掺杂铝镓氮空间隔离层上；一非故意掺杂铝镓氮盖帽层，该非故意掺杂铝镓氮盖帽层制作在n型掺杂铝镓氮载流子供给层上。
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能结构

[发明专利]像素驱动电路、阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202110790852.5有效
发明人：黄鹏;高涛;郭远征;贵炳强 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：阵列基板及其制备方法、显示装置，该像素驱动电路中，所述第一复位模块的开关单元和所述数据写入模块的开关单元的漏电流均小于所述驱动模块的开关单元的漏电流；所述数据写入模块的开关单元和所述驱动模块的开关单元的迁移率均大于所述第一复位模块的开关单元的迁移率另外，数据写入模块的载流子迁移率大于第一复位模块的载流子迁移率，所以在实现低频驱动的同时又可以兼顾高频的数据写入，实现高频驱动，同时还可以实现低功耗。
像素驱动电路阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种高载流子浓度高迁移率低电阻率ATO纳米粉体溶胶及纳米粉体的制备方法-CN201811160833.9有效
发明人：刘世民;郭玉;王祉诺;赵东杨;刘婷婷 -专利权人：大连交通大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高载流子浓度高迁移率低电阻率ATO纳米粉体溶胶及纳米粉体的制备方法，具体所述纳米粉体粒径尺寸在1～10nm；其具体采用醇沉酸鳌合高pH值二次沉淀法。该方法利用沉淀‑溶解‑沉淀与高碱作用制备ATO纳米粉体，该方法制备的ATO纳米粉体可同时具有高载流子浓度、高载流子迁移率和低电阻率；且不需要改变Sb掺杂浓度，具有工艺简单、成本低、制备周期短等特点。
一种载流子浓度迁移率电阻率 ato 纳米溶胶制备方法

[发明专利]一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法-CN202110519054.9在审
发明人：雷威;王昕;宋波;李青;周建明;张晓兵;朱卓娅;赵志伟;徐玉冰;潘禹竹;李雨巍 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿各向异性增强的高分辨率伽马射线成像方法。通过工艺处理的方法调控钙钛矿单晶结构，使其横向的载流子迁移率降低，载流子寿命缩短。在γ射线探测成像过程中，光生载流子在纵向电场作用下，从顶电极向底电极输运，形成探测信号。光生载流子同时会受到边沿场作用，产生横向扩散。但是因为横向扩散的光生载流子迁移率‑寿命积变小，所以参与横向扩散的光生电子和空穴复合概率增大。大量的横向扩散光生电子与空穴在到达收集电极前被复合，因此降低了邻近像素的串扰电荷信号，最终提高了γ射线的成像空间分辨率。
一种钙钛矿各向异性增强高分辨率伽马射线成像方法

[发明专利]发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置-CN202110876286.X在审
发明人：孙海雁;张晓晋 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管器件及其制备方法、发光基板、发光装置，其中，发光二极管器件，包括：层叠设置的阳极层、发光层、载流子平衡层、电子传输层和阴极层；其中，载流子平衡层的空穴迁移率大于电子迁移率，载流子平衡层的LUMO能级比电子传输层的LUMO能级浅，载流子平衡层的HOMO能级比发光层的HOMO能级浅。
发光二极管器件及其制备方法发光装置

[发明专利]为优化载流子传输而在同一晶片上利用不同晶面制造N－FET和P－FET-CN03806215.1有效
发明人：马西莫·菲谢帝;波·所罗门;宏萨姆·菲力普·王 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-03-14 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种用于电子芯片的方法(和结构)，该芯片具有至少一层材料，对于所述材料来说，第一载流子类型的载流子迁移率在第一晶面上高于在第二晶面上，且第二载流子类型的载流子迁移率在第二晶面上高于在第二晶面上，包括具有至少一个在所述材料的所述第一晶面上制造的部件，和具有至少一个在所述材料的第二晶面上制造的第二器件，其特征在于所述第一器件的所述部件的活性主要涉及第一载流子类型，所述第二器件的所述部件的活性主要涉及第二载流子类型。
优化载流子传输同一晶片利用不同制造 fet

[发明专利]调控氧化锌的电子迁移率的方法-CN202011640967.8在审
发明人：吴龙佳;张天朔;李俊杰;郭煜林;童凯 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本申请涉及功能材料技术领域，提供了一种调控氧化锌的电子迁移率的方法。所述调控氧化锌的电子迁移率的方法，包括以下步骤：制备氧化锌，且在制备所述氧化锌的过程中，通过控制所述氧化锌的表面羟基量，来调控氧化锌的电子迁移率。本申请提供的调控氧化锌的电子迁移率的方法，只需要通过调控氧化表面羟基量即可实现量子点发光二极管器件的载流子注入平衡或提高电子迁移率，无需改变器件结构(插入电子阻挡层)，也无需通过掺杂等手段对氧化锌薄膜进行改性
调控氧化锌电子迁移率方法

[发明专利]量子点、其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法-CN202210420798.X在审
发明人：汪鹏生;龚克;宋斌;孙笑 -专利权人：合肥福纳科技有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：由此，本发明采用载流子迁移率高、电化学稳定性强的苯丙烯酸配体取代传统量子点表面的配体，苯丙烯酸具有优异的载流子迁移率和较强的化学极性，与核壳结构表面金属离子形成配位后，可以大大提高QLED器件载流子的注入速率
量子制备方法发光二极管及其