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[发明专利]双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率的方法-CN200510097828.4有效
发明人：杜雷塞蒂·齐达姆巴劳;格里高里·G·弗里曼;马尔汉·H·克哈特尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：一种增加双极型器件内的电荷载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在该器件中产生压缩应变，以增加该器件的固有基极中的空穴迁移率；在该器件中产生拉伸应变，以增加该器件的固有基极中的电子迁移率。
双极型器件以及增加其中电荷载流子迁移率方法

[发明专利]一种局部化混合晶向应变硅CMOS结构及其制备方法-CN201110099311.4无效
发明人：黄晓橹;谢欣云;毛刚;陈玉文;邱慈云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-04-20 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：，通过将局部化混合晶向技术和双应力应变技术有机结合，对PMOS管设置压缩应力层和采用（110）晶面P-Si衬底，而对NMOS管设置拉伸应力层和采用（100）晶面P-Si衬底，能有效提高PMOS管的空穴迁移率和NMOS管的电子迁移率，使两种器件的载流子迁移率相对平衡，实现完全局部化混合晶向和应变硅相结合的工艺制备流程设计，进一步改善CMOS性能。
一种局部混合应变 cmos 结构及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管的电性特征测试方法及装置-CN201710135521.1在审
发明人：苏国玮 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该方案中，由于有源层中载流子迁移率不同，对微波信号的反射情况不同，而载流子迁移率反映了薄膜晶体管的电性特性，因而，本方案中，利用激光照射有源层，激发产生载流子后，通过获取有源层对微波信号的反射情况，就可以分析出薄膜晶体管的电性特征，与现有技术中完成源漏极的工艺后再进行测试相比，可以在形成有源层后就测试薄膜晶体管的电性特征，实现了提前预测薄膜晶体管的电性特征，及早发现异常，降低了废弃率。
一种薄膜晶体管特征测试方法装置

[发明专利]一种硅基电光调制器及其slab区掺杂浓度的设置方法-CN202210407641.3在审
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：P区的主要载流子为空穴，空穴总量为PT。N区的主要载流子为电子，电子总量为NT。P区的主要载流子的单位时间的迁移量Pt为空穴的迁移率和P型slab轻掺杂区的掺杂浓度之积。N区的主要载流子的单位时间的迁移量Nt为电子的迁移率和N型slab轻掺杂区的掺杂浓度之积。按照P区的主要载流子的迁移总时间PT/Pt和N区的主要载流子的迁移总时间NT/Nt相等来设置P型slab轻掺杂区和N型slab轻掺杂区的掺杂浓度，能提高N区和P区载流子浓度的匹配度，增大带宽，减小光场的模式失真。
一种电光调制器及其 slab 掺杂浓度设置方法

[发明专利]一种载流子迁移率高的二维光电半导体材料及其应用-CN202211481651.8在审
发明人：王晓;杨晓新;李江宇 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种载流子迁移率高的二维光电半导体材料及其应用。每个所述碳原子以平面方式与三个铍原子和两个硼原子结合；其中，所述Be3B2C3的晶格常数为#imgabs0#该载流子迁移率高的二维光电半导体材料是一种新的二维半导体材料Be3B2C3，具有高鲁棒性、合适的带隙以及极高的载流子迁移率。此外，它在室温下的载流子迁移率达到了破纪录的8×105cm2V‑1s
一种载流子迁移率二维光电半导体材料及其应用

[发明专利]一种P型SnS单晶材料及其制备方法-CN201810679654.X在审
发明人：赵立东;何文科 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型SnS单晶材料的制备方法，采用垂直温度梯度单温区凝固法制备P型SnS单晶材料，有效地消除了晶界的存在对其迁移率的影响，合理地利用其层间高的载流子迁移率，显著地提升其电输运性能，加上Na作为有效的P型掺杂剂优化其电性能，本发明制备的P型SnS单晶材料的载流子迁移率高达156cm²·V^‑1·s^‑1，平均ZT值高达0.57，
单晶材料制备载流子迁移率热电材料垂直温度梯度热电转化效率电输运性能转化效率电性能迁移率有效地层间多晶晶界温区凝固应用优化生产

[发明专利]利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法-CN201110078448.1无效
发明人：俞柳江;邓建宁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明一般涉及一种改进晶体管载流子迁移率的半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用栅多晶硅提高晶体管载流子迁移率的方法。器件栅极中任意一层多晶硅层的多晶硅晶粒大小比位于该任意一层多晶硅层下方的一层多晶硅层的多晶硅晶粒大小要小一些，由多层多晶硅层构成的栅极的内部的张应力传递至PMOS器件的沟道区，从而形成了PMOS器件沟道区沿沟道方向的压应力，该压应力有助于提高PMOS器件沟道区空穴的迁移率
利用多晶提高晶体管载流子迁移率方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201511017177.3在审
发明人：王冬江;刘格致 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明通过在第一区域形成具有厚度梯度的掩膜层，离子注入后形成的沟道区也具有厚度梯度，靠近源区的沟道厚度比靠近漏区的沟道厚度厚，由于靠近源区的沟道厚度对载流子迁移率的影响较大，而靠近漏区的沟道厚度对载流子迁移率的影响较小，从而能够在减小对载流子迁移率影响的同时降低了靠近漏区的沟道厚度，进而有效地抑制了DIBL效应，提高了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器-CN201911089437.6在审
发明人：徐建龙;张景越;陈彤;王穗东;高旭 -专利权人：苏州大学
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性，将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围，同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率，克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈
碳纳米管钙钛矿体异质结载流子迁移率宽谱钙钛矿薄膜光电探测器薄膜半导体性碳纳米管溶液法制备电荷分离关键应用光响应度界面修饰吸收光谱吸收特性依次层叠栅介质层电极层封装层衬底多晶瓶颈吸收

[发明专利]感光电路结构和光学器件-CN202111603737.9在审
发明人：任庆荣;邢汝博;李俊峰;王刚;崔霜;张豪峰;郭瑞;孙丹丹 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：输出端与放大晶体管的控制端电连接，控制端与复位信号端电连接；放大晶体管的输入端与供电端电连接，输出端与控制晶体管的输入端电连接，控制端与控制信号端电连接；复位晶体管和控制晶体管的漏电流均小于放大晶体管的漏电流；复位晶体管的载流子迁移率小于放大晶体管的载流子迁移率和控制晶体管的载流子迁移率
感光电路结构光学器件

[发明专利]驱动基板及其制作方法、显示面板-CN202210798552.6在审
发明人：陈远鹏;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：其中，第一半导体层的载流子迁移率大于第二半导体层的载流子迁移率。由于第一半导体层具有较大的载流子迁移率，第一薄膜晶体管结构的第一有源层可以满足栅极驱动电路的驱动要求，因此可以减小第一薄膜晶体管结构的尺寸，以使实现窄边框设计。
驱动及其制作方法显示面板

[发明专利]场效应管及其制备方法-CN201811445475.6有效
发明人：郑小平;叶振强;孙振源;欧湛;李志杰;刘佳明;李佳 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：六方氮化硼层可以有效降低石墨烯层与衬底的接触不佳对载流子迁移率的负面影响，有利于增加石墨烯层的载流子迁移率，从而增加截止频率。同时，石墨烯层通过氢化区与栅介质层接触可以进一步减少栅介质层因为接触不佳对载流子迁移率的负面影响。
场效应及其制备方法

[发明专利]一种液体电介质载流子迁移率的测试装置及方法-CN201910663172.X有效
发明人：成立;程之栋;杨丽君;廖瑞金;王琳 -专利权人：重庆大学
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种液体电介质载流子迁移率的测试装置及方法，该测试装置，包括：直流电源、测试单元、电流计和处理单元；测试单元包括腔体、第一电极、第二电极、紫外光发射器；第一电极和第二电极相对设置于腔体内发射的紫外光照射至第一电极；紫外光发射器与处理单元连接；第一电极通过电流计与直流电源的负极连接；第二电极与直流电源的正极连接，电流计与处理单元连接；处理单元用于控制紫外光的发射；根据电流计的电流信号计算液体电介质的载流子迁移率本发明实施例提出的测试装置及其方法，能够实现在高电场强度下测试液体电介质载流子迁移率，更真实反映液体电介质实际工作状态下的电气性能参数。
一种液体电介质载流子迁移率测试装置方法

[发明专利]一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法-CN201310084508.X无效
发明人：张冬明;刘巍 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种提高CMOS器件载流子迁移率的方法，包括：步骤S1：进行阱注入形成N/P阱；步骤S2：在氘氛围中进行N/P阱退火；步骤S3：生长栅极绝缘氧化层；步骤S4：淀积多晶硅栅极；步骤S5：刻蚀多晶硅栅极形成栅极本发明所述提高CMOS器件载流子迁移率的方法通过在N/P阱形成之后，在栅极绝缘氧化层生成之前对所述半导体衬底进行氘氛围下退火，不仅使得所述半导体衬底表面平滑，且所述半导体衬底表面氧化反应进行稳定；同时，在所述退火过程中也激活所述N/P阱中的注入离子，进而提高CMOS载流子迁移率。
一种提高 cmos 器件载流子迁移率方法

[发明专利]一种有机电致发光二极管和有机电致发光装置-CN201810714145.6有效
发明人：逄辉;李梦真;李维维;田景文;李田田;周小康 -专利权人：云谷（固安）科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光二极管，包括依次层叠的第一电极、第一载流子功能层、至少两层蓝光发光层、第二载流子功能层和第二电极；蓝光发光层包括靠近第一载流子功能层的磷光发光层和靠近第二载流子功能层的荧光发光层；第一载流子功能层与磷光发光层的能级势垒小于第二载流子功能层与荧光发光层的能级势垒，磷光发光层的载流子迁移率小于荧光发光层的载流子迁移率。
一种有机电致发光二极管装置