“载流子迁移率”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1475840个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]溅射法生长高迁移率绒面结构IMO/ZnO复合薄膜及太阳电池应用-CN200910069202.0有效
发明人：陈新亮;耿新华;薛俊明;张建军;赵颖 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-06-10 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种磁控溅射技术生长新型高迁移率绒面结构IMO/ZnO透明导电薄膜及太阳电池应用的方法。此种技术生长IMO/ZnO薄膜分两个阶段进行。首先，利用溅射技术玻璃衬底上生长高迁移率IMO(即Mo掺杂In₂O₃)透明导电薄膜，薄膜厚度50-150nm；其次，利用溅射技术生长Al或者Ga低掺杂ZnO薄膜新型复合TCO薄膜的结构特征是glass/高迁移率IMO薄膜/绒面结构ZnO。典型薄膜电阻率～2-8×10^-4Ωcm，方块电阻～5-15Ω，载流子浓度～3-10×10²⁰Ωcm，电子迁移率～30-90cm²V迁移率绒面结构IMO/ZnO薄膜提高了近红外区域光谱透过(λ＝800-1500nm)，并增强了对入射光的散射，可应用于pin型Si基薄膜太阳电池，尤其是a-Si/μc-Si叠层薄膜太阳电池。
溅射生长迁移率结构 imo zno 复合薄膜太阳电池应用

[发明专利]利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法-CN201610970691.7在审
发明人：黄竞;刘晓平 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-11-07 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明为一种利用瞬态载流子光栅技术的信号测量方法，用于光学通信领域。该方法利用脉冲激光光源在半导体材料的表面形成明暗相间的干涉或者衍射条纹，产生瞬态载流子光栅，采集经过光栅的衍射光实现信号的测量。此外，利用载流子的迁移与复合所导致载流子光栅会不断变化直至平衡的特性，通过测量信号光受载流子光栅的影响可以计算出材料的载流子迁移率与载流子寿命。
利用瞬态载流子光栅技术信号测量方法

[发明专利]一种晶粒密堆积n型纳米金刚石薄膜及其制备方法-CN201810245815.4有效
发明人：胡晓君;徐辉;梅盈爽;陈成克;樊冬 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高电导率和高迁移率的n型纳米金刚石薄膜的制备方法：对单晶硅衬底采用手工打磨和超声振荡结合的预处理方式；采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备具有新颖微结构的纳米金刚石薄膜，薄膜具有高电导率和高n型载流子迁移率，对于实现其在半导体器件和场致发射显示器等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。
一种晶粒堆积纳米金刚石薄膜及其制备方法

[发明专利]一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置-CN202111288717.7在审
发明人：吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/165 文献下载
摘要：本申请的薄膜为包括纳米金属氧化物及纳米金属单质的混合物，其中，纳米金属单质的电阻率随温度升高而增长。纳米金属氧化物的电子迁移率随着温度升高而增大，纳米金属单质的加入，抑制温度变化对薄膜电子迁移率变化的影响程度，使薄膜在高温和低温下的电子迁移率保持接近。对于此薄膜作为电子传输层的光电器件，也能够避免光电器件在温度升高时因高电子迁移量而被破坏，使光电器件在高温下，仍然能具有与常温更为接近的载流子平衡，提高光电器件的器件稳定性。
一种薄膜及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201910639471.X在审
发明人：江怀慈;林胜豪;刘冠宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含一缓冲层、一载流子传输层、一载流子供应层、一栅极、一源极电极以及一漏极电极。缓冲层位于一基底上。载流子传输层位于缓冲层上。载流子供应层位于载流子传输层上。栅极位于载流子供应层上。源极电极以及漏极电极位于栅极的相对两侧，其中源极电极以及漏极电极都包含由下而上堆叠的一导电层以及一导电氧化层。
电子迁移率晶体管

[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法-CN201210530472.9有效
发明人：徐利燕;张春兵 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：半导体有源层采用微晶硅，可以提高载流子迁移率。本发明提供阵列基板的制备方法，激光退火时源漏金属层起到传热作用，使半导体有源层的非晶硅转化为微晶硅，使得阵列基板的载流子迁移率提高，进而降低其工作电压和功耗，进一步提高显示装置的分辨率和亮度。
一种阵列显示装置制备方法

[发明专利]发光二极管的外延片及其制备方法-CN202011609291.6有效
发明人：丁涛;龚程成;尹涌;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：AlInGaN层交替层叠形成的超晶格结构，所述AlInGaN层掺杂有Si，AlInGaN层中的Si与In形成Si‑In共掺结构，Si‑In共掺结构能够有效抑制深受主中心的形成，从而减小自补偿效应，提高载流子的迁移率，InN材料也具有很好的电子输运性能，也有利于载流子迁移率的提高，从而提升n型层的电导率，提高深紫外发光二极管的电注入效率和发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]采用石墨烯的电路结构及其制造方法-CN200910262509.2有效
发明人：欧内斯托·E·马里内罗 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2009-12-29 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：电路结构采用石墨烯作为电荷载流子传输层。该结构包括多个石墨烯层。与所述多个石墨烯层中的一个层进行电接触，从而电荷载流子仅通过该一个层迁移。通过在多个石墨烯层内部或之上构造有源石墨烯层，有源石墨烯层保持必要的平坦性和结晶完整性，从而确保有源石墨烯层的高电荷载流子迁移率不受损害。
采用石墨电路结构及其制造方法

[发明专利]一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管-CN201010219177.2有效
发明人：黄如;云全新;安霞;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。
一种沟道应力引入方法采用制备场效应晶体管

[发明专利]日盲紫外探测器、其制作方法与应用-CN201711314615.1有效
发明人：何涛;付凯;丁晓煜;史锋锋;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：所述探测器包括：阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带系半导体材料形成；高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结；以及电极，其与所述高迁移率薄膜电连接本发明的日盲紫外探测器通过采用氧化镓纳米柱阵列等与石墨烯等高迁移率薄膜配合，有效提高了器件实际受光面积，促进电子空穴光生载流子对的产生，增大光电流，从而有效提高器件响应度、降低驰豫时间，对于减小器件尺寸
紫外探测器制作方法应用

[发明专利]一种III-V族半导体MOS界面结构-CN201110138043.2无效
发明人：刘洪刚;常虎东;孙兵;卢力 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：III-V族半导体MOS界面结构，包括：单晶衬底(101)；在单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；在缓冲层(102)上形成的量子阱底部势垒层(103)；在量子阱底部势垒层(103)上形成的高迁移率量子阱沟道(104)；在高迁移率量子阱沟道(104)上形成的磷化镓界面控制层(105)；在磷化镓界面控制层(105)上形成的高K栅介质(106)；以及在该高K栅介质(106)上形成的金属栅结构(107)。本发明以磷化镓为界面控制层的MOS界面结构，同时实现了高载流子迁移率与低界面态密度，满足了高性能III-V族半导体CMOS技术的要求。
一种 iii 半导体 mos 界面结构

[实用新型]一种基于超短沟道石墨烯的光电探测器-CN202020060794.1有效
发明人：冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：实用新型提出的基于超短沟道石墨烯的光电探测器，利用聚焦氦离子束加工亚10纳米石墨烯导电沟道，可提高石墨烯载流子迁移率，实现超短的渡越时间；同时，石墨烯/半导体复合结构有效地提升载流子分离效率，增大载流子的寿命通过充分发挥石墨烯高迁移率和复合结构有效分离载流子的优势，实现高增益的光电探测器。
一种基于超短沟道石墨光电探测器

[发明专利]一种金属氧化物叠层场效应材料及其应用-CN201810695653.4有效
发明人：吕正红;张涛;王登科 -专利权人：云南大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供的金属氧化物叠层场效应材料将带隙不同的金属氧化物形成异质结，并限定带隙差(ΔE)≥1eV，异质结界面处产生能带弯曲，在带隙较大的一侧形成势垒，在带隙较小的一侧形成三角势阱，在栅极电场的诱导下，在异质结界面上产生极化电荷，并聚集大量的载流子因此，本发明提供的金属氧化物叠层场效应材料具有高的载流子迁移率，高于103cm2/V·s，克服了常规金属氧化物场效应材料载流子迁移率较低
一种金属氧化物场效应材料及其应用

[发明专利]半导体器件-CN200410068603.1无效
发明人：小野瑞城;石原贵光 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-03 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。
半导体器件

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201310585066.7在审
发明人：于书坤;韦庆松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法，通过在与NMOS器件相邻的浅沟槽隔离的内部形成空洞，增强了相应的浅沟槽隔离对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高了NMOS器件的载流子迁移率，进而提高了整个半导体器件的性能本发明的半导体器件，在与NMOS器件相邻的浅沟槽隔离的内部形成有空洞，可以增强相应的浅沟槽隔离对NMOS器件的沟道区域的张应力，提高NMOS器件的载流子迁移率，因而提高了半导体器件的性能。
一种半导体器件及其制造方法电子装置