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[发明专利]具有自对准交迭光电二极管的图像传感器及其制造方法-CN200510081001.4有效
发明人：朴永薰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像感测器件包括形成于衬底上的栅极介质层和形成于栅极介质层上的转移栅极。在所述转移栅极上形成掩模层，该掩模层的宽度小于所述转移栅极的宽度，从而所述转移栅极的一部分横向地从所述掩模层下方突出。光电二极管形成于所述衬底中，所述光电二极管与所述掩模层自对准且在所述转移栅极下方横向延伸，即，与转移栅极交迭。由于光电二极管和转移栅极之间交迭，消除了光电二极管和转移栅极之间的偏移，从而消除了图像延迟现象。
具有对准光电二极管图像传感器及其制造方法

[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备-CN201410443553.4有效
发明人：河村隆宏 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态成像装置包括像素，该像素包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极，观点转换元件响应于入射光而产生电荷，第一转移栅极将来自光电转换元件的电荷转移至电荷保持部，第二转移栅极将来自电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部第一转移栅极包括沟槽栅极结构，其具有至少两个埋设在半导体衬底的深度方向上的沟槽栅极部，并且电荷保持部包括位于相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域。
固态成像装置制造方法电子设备

[发明专利]飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构-CN202010716450.6在审
发明人：崔雲;真锅宗平 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构。像素电路包含在半导体材料中的光电二极管，以响应于入射光而累积图像电荷。三栅极电荷转移块被耦合包含所述半导体材料的单个共享沟道区。转移栅极、快门栅极和开关栅极被设置为接近所述单个共享沟道区。所述转移栅极响应于转移信号将所述光电二极管中累积的图像电荷转移到所述单个共享沟道区。所述快门栅极响应于快门信号将所述单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到所述半导体材料中的浮动扩散部。所述开关栅极被配置成响应于开关信号将所述单个共享沟道区耦合到所述半导体材料中的电荷存储结构。
飞行时间像素中的栅极电荷转移结构

[发明专利]亚阈值电流减少电路晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备-CN202111049330.6有效
发明人：赤松宏;何源;石川透 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：公开亚阈值电流减少电路SCRC晶体管的栅极端子之间的电荷转移及相关设备。一种设备包含上拉SCRC晶体管、下拉SCRC晶体管和电荷转移电路。所述上拉SCRC晶体管包含上拉栅极端子。所述下拉SCRC晶体管包含下拉栅极端子。所述电荷转移电路电连接于所述上拉栅极端子和所述下拉栅极端子之间。所述电荷转移电路被配置成在所述上拉栅极端子和所述下拉栅极端子之间转移电荷。
阈值电流减少电路晶体管栅极端子之间电荷转移相关设备

[发明专利]图像传感器-CN201810823677.3有效
发明人：朴圣根;文惠嫄 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器，该图像传感器包括：第一转移栅极，其形成在基板上方，并且包括第一突起；第二转移栅极，其形成在基板上方，与第一转移栅极邻近，并且包括第二突起；以及浮置扩散区域，其形成在基板中，并且与第一转移栅极和第二转移栅极部分地交叠
图像传感器

[发明专利]线性图像传感器-CN200510064985.5无效
发明人：都筑孝夫 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-04-13 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：一种线性图像传感器，包括：第一和第二栅极/快门阵列，其中交替放置了多个读取栅极和多个快门结构部件；光接收元件阵列，其置于第一和第二栅极/快门阵列之间，并且其中多个光接收元件成直线排列；第一电荷转移部件，用于转移由第一栅极/快门阵列的读取栅极读出的信号电荷；以及第二电荷转移部件，用于转移由第二栅极/快门阵列的读取栅极读出的信号电荷。
线性图像传感器

[发明专利]图像感测装置-CN202110393330.1在审
发明人：张在亨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本公开涉及一种图像感测装置，其包括：像素阵列，像素阵列包括多个像素，多个像素中的每一个包括用于转移在第一时段中产生的光电荷的第一转移栅极和用于转移在第二时段中产生的光电荷的第二转移栅极；以及传输驱动器，传输驱动器被配置为提供待输入到第一转移栅极的第一传输信号和待输入到第二转移栅极的第二传输信号。第一像素的第一转移栅极在结构上不同于第二像素的第一转移栅极。第一像素的第二转移栅极在结构上不同于第二像素的第二转移栅极。
图像装置

[发明专利]CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法-CN202010831333.4在审
发明人：田志;李娟娟;邵华;陈昊瑜 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01B7/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器转移管垂直栅极深度检测方法，通过同样版图面积的平面型和垂直型栅极的结合，通过平面型测试得到参照CMOS图像传感器转移管的平面型栅极多晶硅有效电学厚度EOT，通过垂直型测试得到待测CMOS图像传感器转移管的垂直栅极结构的电容Cox(VTG)，然后据此计算出待测CMOS图像传感器转移管垂直栅极的等效深度，有效监测垂直栅极深度，可以实现在不破坏硅片的情况下进行在线监测所有CMOS图像传感器的转移管栅极深度，便于及时发现转移管栅极深度异常，有效监测CMOS图像传感器的产品质量。
cmos 图像传感器转移垂直栅极深度检测方法

[发明专利]具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法-CN201310724251.X有效
发明人：陈刚;毛杜立;戴森·H·戴 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及具有拥有栅极之间的窄间隔的全局快门的图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法。一种像素单元包含安置在半导体衬底中的光电二极管、存储晶体管、转移晶体管和输出晶体管。所述转移晶体管选择性地将累积在所述光电二极管中的图像电荷从所述光电二极管转移到所述存储晶体管。所述输出晶体管选择性地将所述图像电荷从所述存储晶体管转移到读出节点。第一隔离围栏安置在所述半导体衬底上方，将所述转移晶体管的转移栅极与所述存储晶体管的存储栅极分离。第二隔离围栏安置在所述半导体衬底上方，将所述存储栅极与所述输出晶体管的输出栅极分离。所述第一和第二隔离围栏的厚度分别大体等于所述转移栅极与所述存储栅极之间以及所述存储栅极与所述输出栅极之间的间隔距离。
具有拥有栅极之间间隔全局快门图像传感器像素单元以及成像系统及其制造方法

[发明专利]具有多个存储节点的图像传感器像素-CN201510747290.0有效
发明人：伊贤敏 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器像素包含光电二极管、第一存储节点、第二存储节点、第一转移存储栅极、第二转移存储栅极、浮动扩散及输出栅极。所述光电二极管用于响应于图像光而产生图像电荷。所述第一转移存储栅极经耦合以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述第一存储节点。所述第一转移存储栅极安置在所述第一存储节点的较大部分上方。所述第二转移存储栅极经耦合以将所述图像电荷从所述第一存储节点转移到所述第二存储节点。所述第二转移存储栅极安置在所述第二存储节点的较大部分上方。所述输出栅极将所述图像电荷从所述第二存储节点转移到所述浮动扩散。
具有存储节点图像传感器像素

[发明专利]固态成像设备及其制造方法-CN202180078588.0在审
发明人：久保典弘;竹田育美 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：方案：本固态成像设备包括：光电转换单元，设置在半导体基板内部，所述光电转换单元被配置为生成对应于接收到的光量的电荷；多个垂直转移栅极，所述多个垂直转移栅极在半导体基板的深度方向上布置在光电转换单元与半导体基板的一个主表面之间并且在沿着半导体基板的基板表面的方向上彼此间隔开，所述多个垂直转移栅极控制由光电转换单元生成的电荷的转移；以及电荷存储单元，电荷存储单元部署在垂直转移栅极之间，并且电荷存储单元存储通过垂直转移栅极转移的电荷。
固态成像设备及其制造方法

[发明专利]一种图像传感器及其制造方法-CN202310524893.9在审
发明人：李岩;范春晖;夏小峰;赵庆贺;刘正 -专利权人：合肥海图微电子有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括衬底，所述衬底上设置有多个晶体管，所述晶体管包括传输管和转移管；存储节点，位于所述传输管的部分栅极和所述转移管的部分栅极覆盖的衬底中，以及所述传输管和所述转移管之间的衬底中；挡光层，覆盖所述存储节点、所述传输管的栅极和所述转移管的栅极、所述传输管栅极的侧墙和所述转移管栅极的侧墙；以及挡光间隙，设置在所述晶体管的栅极的侧墙中。
一种图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有共享转移栅极的全局快门像素结构-CN201780079026.1有效
发明人： T·埃尔卡特比;C·S·巴姆吉 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：提出了飞行时间传感器或其他成像传感器中的像素布置，其包括：被配置成累积与入射光相关的电荷的感测元件；以及邻近该感测元件并被配置成选择性地控制像素布置中的电荷的转移的两个转移栅极。在集成阶段期间，用于全局快门的电荷存储元件基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的停用来存储从感测元件接收到的电荷的第一部分。在复位阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的停用和第二转移栅极的激活来接收从感测元件接收到的电荷的第二部分。在像素读出阶段期间，扩散节点基于第一转移栅极的激活和第二转移栅极的激活来接收从电荷存储元件接收到的电荷的第一部分。
具有共享转移栅极全局快门像素结构

[发明专利]电子倍增图像传感器-CN201210079323.5有效
发明人： P·弗雷伊;F·迈尔 -专利权人： E2V半导体公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：每个像素在半导体有源层(12)的表面处包括：光电二极管区域(PHD)；电荷存储节点(18)；以及用于对于光在所述光电二极管中生成的电荷，在电荷累积时间之后将电荷从所述光电二极管转移至所述存储节点的转移结构所述转移结构包括：与所述光电二极管相邻的第一转移栅极(TR1)；与所述存储节点相邻的第二转移栅极(TR2)；以及位于所述第一转移栅极和所述第二转移栅极之间的电子倍增放大结构(AMP)。所述放大结构包括两个分开的加速栅极(GA和GB)和位于两个加速栅极之间并处于固定表面电位的中间二极管区域(DI)。在电荷转移至存储节点之前，在转移结构中的渡越中，一连串交替的高和低电位施加至加速栅极。
电子倍增图像传感器

[发明专利]高动态图像传感器的驱动方法-CN201210292527.7有效
发明人：赵立新;蒋珂玮 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：图像传感器的每个像素单元包括光电感应区、转移栅极以及浮动扩散区，其中转移栅极用于控制电荷由光电感应区转移到浮动扩散区，该驱动方法包括下述步骤：a.感应外部光线，以在光电感应区中累积电荷；b.在转移栅极上加载撇取电压，以使得转移栅极相对于光电感应区的势垒高度降低；c.继续感应外部光线，以在光电感应区中继续累积电荷；d.在转移栅极上加载与撇取电压相同的读取电压，以生成中间读出信号；e.在转移栅极加载开启电压以使得光电感应区中的电荷全部转移至浮动扩散区
动态图像传感器驱动方法

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