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[发明专利]超薄晶圆的封装方法-CN201710895810.1有效
发明人：詹苏庚;王红;吴迪;刘天德;张鹏阳;唐叶新 -专利权人：深圳赛意法微电子有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄晶圆的封装方法，所述超薄晶圆为一体成型结构，包括：超薄晶圆本体和设置于所述超薄晶圆本体周向外缘的外环，所述外环的厚度大于所述超薄晶圆本体的厚度；外环的正面和超薄晶圆本体的正面平齐；外环的背面凸出于超薄晶圆本体的背面；该超薄晶圆的封装方法包括：贴膜步骤：在所述超薄晶圆的背面贴底膜，使超薄晶圆本体和外环均与底膜贴合；切割步骤：切除外环，从超薄晶圆本体的正面进行切割，以切割出若干个芯片；贴片封装步骤：将切割形成的芯片从底膜上分离
超薄封装方法

[发明专利]一种超薄晶圆的双面加工工艺-CN202211395811.7在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体的是一种超薄晶圆的双面加工工艺，其特征在于，所述双面加工工艺包括如下步骤：S1、将超薄晶圆键合在环形玻璃载盘上；S2、在超薄晶圆的上方均匀涂布聚酰亚胺，固化得到聚酰亚胺层；S3、清洗去除超薄晶圆上方的聚酰亚胺层，漏出超薄晶圆的一面；S4、利用夹辊对聚酰亚胺层和环形玻璃载盘进行夹持，固定超薄晶圆；S5、对超薄晶圆进行双面，实现双面加工的操作。本发明双面加工工艺，其中设计环形玻璃载盘对超薄晶圆进行支撑固定，通过聚酰亚胺层对超薄晶圆的边界进行包裹保护，避免夹辊直接夹持导致的超薄晶圆边界破裂，对超薄晶圆进行固定，同时不妨碍双面加工，适合应用于超薄晶圆生产加工中
一种超薄双面加工工艺

[发明专利]一种超薄晶圆置入凹槽型载盘的方法-CN202111672126.X在审
发明人：严立巍;符德荣;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄晶圆置入凹槽型载盘的方法，包括以下步骤：(1)将超薄晶圆基板置于带喷气机构的机械臂上，通过机械臂吹气使超薄晶圆基板悬浮于机械臂上方；(2)使用带夹持机构的机械臂夹持凹槽式载板，将凹槽式载板的凹面朝下，由上方与超薄晶圆基板对准，然后将超薄晶圆基板与凹槽式载板嵌合；(3)嵌合完成后，夹持机械臂和喷气机械臂整体翻转180°，完成超薄晶圆基板置入载盘，移走喷气机械臂即可。本发明利用伯努利原理由下向上吹平超薄晶圆基板并使其悬浮，然后将超薄晶圆基板嵌合入载盘的凹槽中，实现薄晶圆基板置入凹槽型载盘，同时防止了超薄晶圆基板的翘曲，以便进行后续的晶圆制程。
一种超薄置入凹槽型载盘方法

[发明专利]一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺-CN202011120973.0在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种超薄晶圆电镀、化镀整合工艺，包括以下步骤：键合玻璃载板的超薄晶圆或是缓坡状边缘的超薄晶圆，超薄晶圆与电镀槽的电源接触点接合，开始进行电镀制程，完成电镀后，环状夹具固定住超薄晶圆进入旋转喷淋腔体，完成光阻去除步骤，进行种子层刻蚀及化镀的前处理制程，环状夹具继续固定住超薄晶圆进入化镀槽，分别完成各种金属化镀制程，环状连同超薄晶圆最后完成清洗及干燥步骤，将环状夹具与超薄晶圆分离。本发明超薄晶圆电镀、化镀整合工艺设备整合工艺可以水平/垂直式配搭，旋转及浸泡式配搭以完成最佳的制程效率，超薄晶圆无间断的在不同类型的反应槽中传送、定位完成每一制程，避免中间间隔产生的自然氧化或污染。
一种超薄电镀整合工艺

[发明专利]一种碳化硅与氮化镓键合的超薄晶圆制作工艺-CN202210954935.8在审
发明人：严立巍;刘文杰;马晴;林春慧 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及超薄晶圆制作技术领域，公开一种碳化硅与氮化镓键合的超薄晶圆制作工艺，超薄晶圆制作工艺包括以下步骤：S1、制作第一复合晶圆片；S2、分别对第一复合晶圆片进行切割。S3、取两个玻璃载板键合第一复合晶圆片的上下面；S4、进行剥离操作得到键合有玻璃载板的SiC晶圆片、键合在玻璃载板上的GaN晶圆片和第二复合晶圆片；S5、对单独的SiC晶圆片和GaN晶圆片进行研磨抛光并键合，得到超薄晶圆；S6、对第二复合晶圆片进行研磨抛光处理得到超薄晶圆；S7、对超薄晶圆片进行晶圆后续制程工艺。本发明采用SiC晶圆片与GaN晶圆片永久键合后，进行激光隐形切割后，通过快速热胀冷缩或者强碱溶剂蚀刻工艺进行裂片剥离，研磨得到超薄晶圆性能高。
一种碳化硅氮化镓键合超薄制作工艺

[发明专利]一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆-CN202110234639.6在审
发明人：傅郁晓;骈文胜;闻国涛;吴庆;李志成 -专利权人：上海伟测半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆，其中所述超薄晶圆的检测方法包括以下步骤(S1)提供一可导电的硬质载体，用以承载待检测的超薄晶圆(S2)可电导通地贴合所述超薄晶圆于所述可导电的硬质载体所形成的承载面，以使所述可导电的硬质载体和所述超薄晶圆形成晶圆检测设备可直接检测的类普通晶圆，其中所述类普通晶圆的尺寸与普通晶圆的尺寸相同(S3)通过晶圆检测设备检测转送至所述晶圆检测设备的所述类普通晶圆。
一种超薄检测方法普通

[发明专利]一种超薄镀膜光学晶圆及其制备方法-CN202010514934.2在审
发明人：王林;李菲;李延凯 -专利权人：华天慧创科技(西安)有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种超薄镀膜光学晶圆及其制备方法，所述的光学晶圆包括一个超薄光学晶圆和镀制在超薄光学晶圆两个表面上的光学薄膜；通过将光学薄膜镀制在超薄光学晶圆的两个表面，形成超薄镀膜光学晶圆，能够降低对IR截止膜的透过率特性要求光学晶圆的制备方法，在超薄光学晶圆的两个表面镀制一层或若干层光学薄膜，得到超薄镀膜光学晶圆，两面的光学膜层具有不同的分光性能，不同分光性能的膜层互相补偿，相同或者相近膜层设计叠加，可以达成膜层的总体分光性能
一种超薄镀膜光学及其制备方法

[发明专利]一种超薄晶圆离子植入工艺-CN202211209411.2在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆离子植入技术领域，具体是公开一种超薄晶圆离子植入工艺，所述离子植入工艺包括以下步骤：S1、利用带有气孔的石墨载板对超薄晶圆进行暂时吸附固定；S2、对超薄晶圆与石墨载板进行键合固定，在超薄晶圆的边缘处形成碳沉积层；S3、在位于超薄晶圆边缘处的碳沉积层上开孔；S4、利用带有夹爪的托板将超薄晶圆固定在离子植入机内；S5、在持续通入惰性气体的真空环境下，完成超薄晶圆的离子植入。本发明离子植入工艺，在离子植入前，先利用碳沉积处理将超薄晶圆键合固定在石墨载板上，然后整体放入离子植入机内，利用进气道持续供入除氮气外的惰性气体，对晶圆进行加入，利用离子发生器进行离子植入，实际加工过程可靠
一种超薄离子植入工艺

[发明专利]一种高疏水性超薄晶圆清洗方法-CN202011119886.3在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开公开了一种高疏水性超薄晶圆清洗方法，属于晶圆生产技术领域，包括以下步骤：S1：将超薄晶圆采用重直式固定于治具内，将治具置入清洗槽中定位，腔体上盖密封；S2：使用去离子水在清洗槽中溢流；S3：使用高环度臭氧作用于晶圆表面，移除不纯物有机物及金属污染；S4：晶圆表面形成氧化层，使疏水性超薄晶圆表面转为亲水性超薄晶圆表面；S5：缓慢排出清洗槽内去离子水；S6：密封水槽上盖，利用抽气泵快速抽出水槽内气体形成真空状态，超薄晶圆表面水滴干燥气化形成疏水性表面；S7：将清洗干燥后的超薄晶圆连同治具提出清洗槽；本方案解决了现有技术中超薄晶圆表面清洗以及干燥产生水痕的问题。
一种疏水超薄清洗方法

[发明专利]一种超薄晶圆的划切方法-CN202110369726.2在审
发明人：张迪;邵俊永;王战;闫贺亮;陈月涛 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：一种超薄晶圆的划切方法，利用跳步划切的方式，首先将晶圆划切为较大芯片颗粒，将晶圆内应力进行释放，然后再将较大芯片颗粒划切为更小颗粒，直至划切为目标尺寸，该方法适用于30～200μm厚度晶圆的划切，完美解决了超薄晶圆容易发生裂片、崩边的问题，降低划切过程中飞晶发生概率，降低超薄晶圆划切正面、背面崩边不良率，提高超薄晶圆划切效率。
一种超薄方法

[实用新型]一种晶圆加工的离子植入设备-CN202222626123.9有效
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本实用新型涉及离子植入机技术领域，具体是一种晶圆加工的离子植入设备，离子植入设备包括壳体，所述离子植入设备还包括：晶圆片，待加工的晶圆片固定在真空的壳体内，用于离子植入加工；固定组件，固定组件设置在调节座上，用于调节设置在固定组件上的晶圆片；气道，所述气道设置在固定组件的一侧，通过进气管与固定组件连接。本实用新型离子植入设备，对超薄晶圆进行固定，然后调节超薄晶圆的角度，使超薄晶圆对准离子发生器，保证超薄晶圆的安全后，利用石墨载板的吸附孔供入高温惰性气体A，对超薄晶圆进行加热，结构简单，适用于晶圆加工，切换不同的固定方式可对不同厚度的晶圆进行固定，便于选择合适的固定方式，进行晶圆的离子植入操作。
一种加工离子植入设备

[发明专利]一种超薄晶圆转运装置-CN202010472464.8有效
发明人：秦飞;张理想;赵帅;陈沛;安彤;代岩伟;公颜鹏 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄晶圆转运装置，涉及半导体制造设备技术领域。该晶圆转运装置包括负压转运托盘和负压发生装置两部分。其特征在于：所述负压转运托盘和负压发生装置通过气压阀和压力枪活动接触方式连接，可分离。利用本发明提供的超薄晶圆转运装置和方法，可以实现超薄晶圆的加工、转运和晶圆级封装过程，对提高超薄晶圆的可制造性、降低晶圆加工损伤有重要意义。本发明具有如下特点：晶圆与转运托盘结合与分离采用真空吸附设计，实施方便，可重复利用，节约成本。负压转运托盘厚度较小，可应用于晶圆加工、转运和晶圆级封装过程，可有效提高超薄晶圆的可制造性。
一种超薄转运装置

[发明专利]一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺-CN202110339399.6在审
发明人：严立巍;符德荣;李景贤;文锺;陈政勋 -专利权人：绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种利用强化玻璃的超薄晶减薄切割工艺，包括以下步骤：S1、完成晶圆正面制程；S2、将晶圆正面暂时键合玻璃载板；S3、通过研磨蚀刻的方式对晶圆背面减薄，然后完成晶圆背面制程；S4、将晶圆背面键合超薄玻璃载板；S5、解键合除去晶圆正面的玻璃载板，清洗除去黏着层，然后完成对晶圆切割。本发明采用两次键合及解键合的技术晶圆超薄晶圆加工，第二次键合用强化过的超薄玻璃载板取代传统的切割模框以确保晶粒可在有强度及柔性的玻璃载板上进行封装的加工制程，可确保超薄晶圆或晶粒不会产生碎裂的现象。
一种利用强化玻璃超薄晶减薄切割工艺

[实用新型]超薄晶圆移动装置-CN201020686252.1无效
发明人：刘家宽 -专利权人：大河科技有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种超薄晶圆移动装置，其至少包含一晶圆盒置放单元用以将晶圆盒垂直上下移动，一夹取单元以水平状态夹取一个白铁环圈固超薄晶圆至导轨上水平移动，及一夹固移送单元以水平状态夹固前述超薄晶圆，并以垂直及水平位移方式将至薄晶圆移送并定位置放至后续的制程设备内通过水平夹取与夹固的移动方式，增加超薄晶圆搬运流程的流畅度。
超薄移动装置

[发明专利]一种超薄封装基板的封装方法-CN202210559917.X在审
发明人：俞佳伟 -专利权人：江苏海矽美电子科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明涉及封装基板技术领域，尤其涉及一种超薄封装基板的封装方法，包括如下步骤：步骤一、锡膏印刷：在对超薄封装基板进行前处理之后，通过普通印刷钢网进行锡膏印刷；步骤二、固晶：将切割好的晶圆芯片粘贴在超薄封装基板上，然后放入到固化箱中进行固化；步骤三、芯片点锡：点锡针下降至晶圆芯片待点锡位置，根据预设参考位置的坐标参数，对晶圆芯片执行点锡操作；步骤四、装跳线：将晶圆芯片上的键合压点用超细的金属导线连接到超薄封装基板的引脚上本发明可将晶圆芯片封装在超薄封装基板上，并进行塑封固化处理，可防止晶圆芯片免受周围环境的影响，同时，能增强超薄封装基板的结构强度，避免超薄封装基板出现隐裂的情况。
一种超薄封装方法

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