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- [发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法-CN201410356831.2无效
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鲍宇
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上海华力微电子有限公司
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2014-07-25
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2014-10-01
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H01L21/762
- 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：提供一半导体衬底，且在所述衬底上形成硬质掩膜层，所述硬质掩膜层内形成暴露出所述衬底的开口；采用刻蚀工艺在所述衬底中形成隔离沟槽；对所述硬质掩膜层进行回刻，并在所述隔离沟槽侧壁、底部表面形成内衬层；沉积隔离介质层充满所述隔离沟槽并覆盖所述硬质掩膜层的表面，并对所述隔离介质层进行平坦化；对所述隔离介质层进行回刻；在所述隔离介质层表面形成氧化硅侧墙；采用刻蚀工艺去除所述硬质掩膜层，以形成浅沟槽隔离结构。本发明可避免在浅沟槽隔离结构与半导体衬底接缝处出现凹槽，提高所形成浅沟槽隔离结构的形貌，进而提高包含所形成浅沟槽隔离结构的半导体器件的电学性能。
- 沟槽隔离结构制造方法
- [发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202010733747.3在审
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张魁;应战
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长鑫存储技术有限公司
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2020-07-27
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2022-01-28
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H01L21/762
- 该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括浅沟槽及所述浅沟槽隔离出的有源区；在所述浅沟槽及所述有源区暴露的外表面形成含氧层；在表面包括所述含氧层的所述浅沟槽内填充设定高度的第一牺牲层，所述设定高度低于所述有源区的高度；在所述第一牺牲层的上表面形成刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层下方的所述第一牺牲层，以形成空气间隔；在所述浅沟槽中所述刻蚀停止层之上填充隔离层，以形成包含所述空气间隔的浅沟槽隔离结构；刻蚀所述有源区和所述浅沟槽隔离结构，以形成字线沟槽，其中所述浅沟槽隔离结构内的字线沟槽的底部高于所述设定高度。
- 半导体器件制备方法
- [发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构-CN202110291828.7在审
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张炜超
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长鑫存储技术有限公司
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2021-03-18
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2022-09-27
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H01L21/8242
- 本发明提出一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括有源区和隔离区，隔离区包括第一沟槽和形成于第一沟槽的隔离层；去除部分隔离层，以形成第一凹槽；形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖有源区的上表面并填充满第一凹槽；平坦化第一掩膜层，使位于有源区上方的第一掩膜层的上表面与位于隔离区上方的第一掩膜层的上表面齐平；去除部分第一掩膜层、部分隔离层和部分衬底，以形成第二沟槽和第三沟槽；其中，第二沟槽位于隔离区内，第三沟槽位于有源区内，第三沟槽的宽度大于第二沟槽的宽度；于第二沟槽和第三沟槽内形成字线结构。
- 半导体结构制作方法
- [发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202210647954.6在审
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董立群;肖海波;林率兵
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豪威集成电路（成都）有限公司
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2022-06-08
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2022-08-19
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H01L27/146
- 本发明提供一种图像传感器及其制造方法，包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；执行干法刻蚀，形成前段沟槽；执行湿法刻蚀，将前段沟槽向第二表面一侧(下)以及侧向刻蚀形成后段沟槽；前段沟槽和后段沟槽构成栅极沟槽；形成栅极，栅极纵向部填充在栅极沟槽中。本发明的栅极结构，一方面和同样开口尺寸的垂直栅极结构相比，后段沟槽的截面宽度从第一表面一侧到第二表面一侧逐渐变大，即将栅极沟槽的底部尺寸做大从而增大电子底部传输表面积，以提高底部电子传输效率，增加满井容量；另一方面和仅采用干法刻蚀形成的同样深度的垂直栅结构相比，采用先干法后湿法刻蚀可减少干法刻蚀带来的等离子损伤，减少白像素，提高像素质量。
- 图像传感器及其制造方法
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