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[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN201410427369.0有效
发明人：肖天金;康俊龙 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括依次进行：在半导体衬底中形成沟槽、在沟槽中形成线形氧化层、在沟槽内填充隔离介质层和高温退火，其中，形成线形氧化层的方法包括：在沟槽的内表面沉积氮化层；氧化氮化层，在沟槽的内表面形成氮氧化层。沉积了氮化层之后再进行氧化，可以圆滑沟槽表面和缓解沟槽内的应力，还可以避免直接对沟槽侧壁进行氧化对沟槽侧壁材料的严重损耗，进而增加了后续退火过程中含氧基团或形成的H₂O向半导体衬底中的扩散的难度；氮氧化层可以作为后续沟槽填充的过渡性材料，还可以有效阻止后续退火过程中含氧基团或形成的H₂O的扩散到沟槽侧壁的衬底，避免对有源区边界的氧化，从而减少有源区临界尺寸的缩小。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]沟槽隔离结构的形成方法-CN202211440394.3在审
发明人：杨继业;王健鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包含硅；在将要形成沟槽隔离结构的区域内，刻蚀衬底形成多个间隔的沟槽，沟槽之间利用硅柱隔开，硅柱为硅，硅柱的宽度和沟槽的宽度的比例大于或等于0.45:0.55；对硅柱进行热氧化处理，使得硅柱形成为二氧化硅柱，二氧化硅柱在热氧化时，二氧化硅进行膨胀，以使得二氧化硅填充满沟槽。本发明在较宽的沟槽隔离结构中，沟槽隔离结构的表面保持了平整，并且沟槽隔离结构的表面和衬底的表面齐平。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]一种人字形结构的仿生减阻表面-CN201510031183.8在审
发明人：李欣 -专利权人：北京超微上达科技有限公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： F15D1/12 文献下载
摘要：一种人字形结构的仿生减阻表面其由人字形沟槽单元组成，人字形沟槽单元包括两列V形沟槽组，每列V形沟槽组由若干条相互平行的V形沟槽构成，两列V形沟槽沟槽延伸方向呈左右对称分布，且每对对称V形沟槽水平截面相交线形成一定的夹角该表面增加了粘性底层的厚度，降低了表面湍流状态，同时该表面形成宏观尺度的大涡，不断地把产生湍流的流体运出粘性底层，延迟完全湍流状态的发生，减少了能量的消耗。同时沟槽表面会形成“二次涡群”，使壁面猝发湍流强度变弱，降低了壁面摩擦阻力。
一种字形结构仿生表面

[实用新型]半导体结构-CN201821600940.4有效
发明人：刘梅花 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；沟槽，形成于半导体衬底内；掺杂介质层，形成于沟槽的底部及侧壁；第一介质层，形成于沟槽内，第一介质层的上表面低于半导体衬底的上表面；衬底延伸层，形成于沟槽未被第一介质层覆盖的侧壁上，并延伸覆盖第一介质层的部分表面；第二介质层，形成于第一介质层及衬底延伸层的表面，并至少填满沟槽。本实用新型所得浅沟槽隔离结构通过形成衬底延伸层以覆盖保护沟槽边缘处的介质层侧壁，避免了边缘缺口缺陷的形成，也增大了有源区面积，降低了窄沟道效应；采用离子注入得到了沟槽底部较宽的浅沟槽隔离结构，改善了隔离效果
半导体结构

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811570286.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底；形成位于衬底上的栅极结构和位于栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖栅极结构和源漏掺杂层；在介质层内形成位于源漏掺杂层上的第一沟槽，所述第一沟槽底部表面低于栅极结构顶部表面；在所述第一沟槽侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙的介电常数高于介质层；形成第一侧墙后，在所述第一沟槽底部介质层内形成第二沟槽，且所述第一沟槽和第二沟槽贯通，所述第二沟槽暴露出源漏掺杂层；在所述第一沟槽和第二沟槽内形成插塞。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201210342100.3在审
发明人：曾绍海;左青云;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种应变硅浅沟槽隔离结构的形成方法，其包括如下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层；采用刻蚀工艺在衬垫氧化层、氮化硅层和半导体衬底所形成层叠结构中形成浅沟槽；其中，浅沟槽的底部位于所述半导体衬底中；在浅沟槽侧壁、底部以及氮化硅层表面形成保护层；在表面形成有保护层的浅沟槽内沉积应变掺碳氧化硅层以形成隔离介质层；去除浅沟槽隔离外的掺碳氧化硅以及氮化硅层表面形成的保护层以形成应变硅浅沟槽隔离结构本发明的应变硅浅沟槽隔离的形成方法能够提高硅的载流子迁移率，从而减小电阻与能耗并增大驱动电流和频率响应，最终提高器件的性能。
一种应变沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基势垒二极管-CN200680002150.X无效
发明人： D·基奥拉 -专利权人：国际整流器公司
申请日： 2006-01-10 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于沟槽内的具有不同的氧化物厚度的沟槽肖特基二极管的制造工艺，包括：在衬底表面上形成第一氮化物层，并且随后在衬底中形成多个沟槽，可能包括端部沟槽。在牺牲氧化物层形成和除去之后，所述沟槽的侧壁和底表面被氧化。第二氮化物层随后被施加于所述衬底并被刻蚀，从而使所述第二氮化物层覆盖沟槽侧壁上的氧化物层，但露出沟槽底表面上的氧化物层。然后，所述沟槽底表面被再氧化，剩余的第二氮化物层接着被从侧壁除去，导致在每个沟槽的侧壁和底表面上形成具有不同厚度的氧化物层。然后，所述沟槽被用P型多晶硅填充，第一氮化物层被除去，并且肖特基势垒金属被施加于所述衬底表面。
具有不同氧化物厚度沟槽肖特基势垒二极管

[发明专利]处理被处理体的方法-CN202211541768.0在审
发明人：田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
处理方法

[发明专利]处理被处理体的方法-CN201810971368.0有效
发明人：田端雅弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种处理被处理体的方法，其在被处理体上的图案形成中抑制高精度的最小线宽的偏差。利用与ALD法同样的方法反复执行第一步骤的膜形成处理中形成的膜的膜厚根据形成该膜的面的温度而不同，基于上述情况，为了降低晶片的表面中沟槽的偏差，在按晶片的表面的每一区域调节温度之后进行膜形成处理，能够降低晶片的表面中的沟槽的偏差，并且能够在沟槽的内表面按每一原子层高精细地形成含硅氧化物的膜。当形成有膜的沟槽的沟槽宽度比基准宽度窄时，为了扩展沟槽宽度，利用与ALE法同样的方法进行反复执行第2流程的蚀刻处理，各向同性地均匀地蚀刻设置在沟槽的内表面的膜。
处理方法

[发明专利]屏蔽栅功率器件及其制备方法-CN202211505618.4在审
发明人：高学;柴展;罗杰馨;栗终盛 -专利权人：上海功成半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：屏蔽栅功率器件的制备方法包括：提供半导体层；于半导体层内形成沟槽；于沟槽内形成屏蔽栅介质层；刻蚀屏蔽栅介质层，以于屏蔽栅介质层内形成屏蔽栅沟槽；于屏蔽栅沟槽内形成屏蔽栅极，屏蔽栅极的上表面不低于屏蔽栅介质层的上表面；至少于屏蔽栅极裸露的表面和沟槽裸露的侧壁形成栅极介质层；于沟槽内形成栅极，栅极位于屏蔽栅极上。本发明可以通过刻蚀工艺控制沟槽底部的屏蔽栅介质层的厚度，可以使得沟槽底部的屏蔽栅介质层的厚度比沟槽侧壁的屏蔽栅介质层的厚度要厚，并且可以消除屏蔽栅极底部的尖端，从而可以降低电场强度，提高耐压，确保器件不会轻易在沟槽的底部被击穿
屏蔽功率器件及其制备方法

[发明专利]一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法-CN202310088978.7在审
发明人：三重野文健;周永昌 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和第二表面，所述半导体衬底的第一表面形成有外延层，所述外延层中形成有沟槽栅极，所述沟槽栅极两侧的外延层中形成有源区；隔离结构，位于所述半导体衬底的第二表面且位于所述沟槽栅极两侧的半导体衬底中；漏极金属，位于所述半导体衬底的第二表面，所述源区、沟槽栅极和漏极金属构成所述半导体器件的MOSFET结构。本申请提供一种具有沟槽栅极的半导体器件及其形成方法，可以防止相邻沟槽栅极之间的漏电流，控制电场以及电子路径，提高器件可靠性。
一种具有沟槽栅极半导体器件及其形成方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN200910259034.1有效
发明人：田岛一久 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：制造本发明的半导体器件的方法包括下述步骤：在衬底上形成第一沟槽和与第一沟槽相交的第二沟槽；在衬底的整个表面的上方形成膜以使得填充第一沟槽和第二沟槽；以及移除位于衬底的顶表面的上方的膜的部分，以使得将膜留在第一沟槽和第二沟槽中；其中在形成第一沟槽和第二沟槽的步骤中，在第一沟槽和第二沟槽的交叉的部分中形成凸起，以使得在平视图中从交叉的部分的一个角朝着其中心延伸。
制造半导体器件方法

[发明专利]立体角原始模具的制造方法-CN97199339.4无效
发明人： K·L·史密斯 -专利权人：美国3M公司
申请日： 1997-01-28 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： B29C33/38 文献下载
摘要：该原始模具包括由两个相交沟槽组(116，130)所形成的一个立体角元件(140)的阵列。在适当的基块的加工面内形成包含多条平行沟槽的第一沟槽组(116)。该第一沟槽组(116)中的各条沟槽形成第一光学表面(142)和第一非光学表面(150)。然后在基块内形成包含多条平行沟槽的第二沟槽组(130)。该第二沟槽组中的各条沟槽形成第二光学表面(144)和第二非光学表面(152)。第二沟槽组(130)的形成产生处多个结构(140)，各个结构包括两个相互垂直的光学表面(142，144)、一顶面(146)以及两个非光学表面(150，152)。从各结构的顶面形成第三光学表面(146)，以使该第三光学表面(146)在第一光学表面(142)和第二光学表面(144)之间限定一垂直二面角，从而形成一立体角元件(140)。#!
立体角原始模具制造方法

[发明专利]沟槽式栅介电层的形成方法-CN200510065598.3有效
发明人：黄明山;许汉杰;赖亮全 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种沟槽式栅介电层的形成方法，此方法先提供一基底，且基底中已形成有沟槽，然后进行一原位蒸汽产生氧化工艺，以于沟槽表面形成牺牲氧化层。接着，移除牺牲氧化层。之后，进行低压化学气相沉积工艺，以于沟槽表面形成栅介电层。
沟槽式栅介电层形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法-CN201710867399.7在审
发明人：周颖;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法，所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤1）提供半导体衬底；2）于所述半导体衬底内形成沟槽；3）于所述沟槽内形成覆盖所述沟槽侧壁及底部的浅沟槽隔离衬垫，所述浅沟槽隔离衬垫包括覆盖所述沟槽侧壁及底部的第一氧化硅层及覆盖所述第一氧化硅层表面的氮掺杂氧化硅层；4）于所述浅沟槽隔离衬垫表面填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述沟槽。本发明通过形成包括氮掺杂氧化硅层的浅沟槽隔离衬垫，相较于现有技术，在形成相同厚度的浅沟槽隔离衬垫的前提下，对有源区的消耗比较小，从而减小对器件性能的不良影响。
沟槽隔离结构半导体及其制备方法