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[实用新型]可用于非侵血糖检测的集成芯片及穿戴设备-CN202220144472.4有效
发明人：袁俊 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/173 文献下载
摘要：本申请公开了一种可用于非侵血糖检测的集成芯片及穿戴设备，本申请技术方案将光传输组件、多个发光波段的不同的光源芯片以及多个用于探测不同波段的探测器集成在同一芯片中，形成一种单片混合集成芯片。本申请技术方案，通过多个发光波段的不同的光源芯片以及多个用于探测不同波段的探测器，可以实现宽光谱的血糖参数检测，提高了分辨率以及测试准确度；通过布局芯片内传输组件，实现芯片内传输光路设计；而且可以基于同一SOI实现光传输组件、光源组件以及光探测组件的混合集成工艺实现单芯片集成，便于设备小型化，能够降低设备体积和功耗，适用于穿戴设备小型化以及低功耗的设计需求。
用于血糖检测集成芯片穿戴设备

[实用新型]MEMS传感器-CN201621443379.4有效
发明人：王凯;陈虎;刘国俊 -专利权人：瑞声声学科技（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： G01K11/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MEMS传感器，所述MEMS传感器包括设有收容空间的封装结构以及设置于所述收容空间中用于探测传感器信号的MEMS芯片和具有若干电路模块的ASIC芯片，所述ASIC芯片上的电路模块包括与MEMS芯片相连的信号处理模块，所述信号处理模块处理所述MEMS芯片探测到的传感器信号并输出经过处理的传感器信号，所述ASIC芯片上的电路模块还包括用于探测温度信号并输出该温度信号的温度探测模块，本实用新型可实时检测工作环境温度
mems 传感器

[发明专利]光电探测芯片的封装方法和封装结构-CN202110065307.X有效
发明人：韩德俊;谭启广;程文譞;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测芯片的封装方法和封装结构，该封装方法包括：将光电探测芯片贴装在封装基板上，封装基板的背面具有第一电极和第二电极，正面具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘和第一电极之间通过第一导电通孔连接，第二导电焊盘和第二电极之间通过第二导电通孔连接；光电探测芯片的背面电极与第一导电焊盘电连接；利用光刻技术在第一封装基体上形成图案化的封装绝缘体，使得所述封装绝缘体至少部分覆盖光电探测芯片的侧壁以及光电探测芯片正面的非有源区；沿封装绝缘体的至少部分表面形成第二导电连接体来将光电探测芯片的正面电极和第二导电焊盘相连接；在得到的封装基体上涂覆保护层，得到光电探测芯片的封装结构。
光电探测芯片封装方法结构

[实用新型]一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块-CN202121684840.6有效
发明人：张兴;高传顺;景媛媛;黄建;冉建;黄烈云;黄绍春;向勇军 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明属于光电探测领域，具体涉及一种近红外响应增强型硅雪崩探测器模块，该模块包括硅雪崩探测器芯片和前置放大电路，硅雪崩探测器芯片与前置放大电路连接；所述硅雪崩探测器芯片自上向下依次包括正面钝化层、N电极、增透层以及P电极，在P+光敏区内设置有P+截止环和N+保护环；所述硅雪崩探测器芯片用于将脉冲光信号转换为脉冲电流信号，所述前置放大电路用于将脉冲电流信号进行放大输出；本发明创造性地提出了在探测器芯片背面集成微结构以提高近红外响应度，优化高能注入工艺以降低芯片的偏压温度系数，同时突破性地提出了双保护环结构以提高芯片的可靠性
一种红外响应增强雪崩探测器模块

[发明专利]一种激光加工芯片的方法-CN201811607513.3有效
发明人：李纪东;侯煜;张紫辰 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工芯片的方法，包括：由激光器、光学元件搭建激光加工系统；获取制冷型红外探测芯片放置工作台的位置信息；根据位置信息设置激光加工系统的加工参数，并由激光加工系统根据加工参数产生激光加工光束；改变激光加工光束与制冷型红外探测芯片的相对位置，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽。本发明能够均匀的减少像元层四周所溢出的填充胶在温度循环过时对制冷型红外探测芯片的拉扯牵引，进而能够高效均匀地消除热应力对制冷型红外探测芯片的感光层与环氧树脂层之间的位置偏移影响。
一种激光加工芯片方法

[发明专利]一种用于高速长距传输的光芯片倒装的400G COB光模块-CN202111358511.7在审
发明人：田军;代晓光;刘小芸;高南京;石旨博 -专利权人：武汉永鼎光通科技有限公司
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S5/02345 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高速长距传输的光芯片倒装的400G COB光模块，包括激光器芯片、探测器芯片、DSP芯片、PCB和光模块热沉，所述PCB和光模块热沉相互平行设置，所述DSP芯片的顶面贴装在光模块热沉上、其底面焊接在PCB上，所述激光器芯片的散热面和探测器芯片的散热面分别贴装在光模块热沉上，所述PCB上固定设置有多个金球，所述激光器芯片的引脚和探测器芯片的引脚分别与多个金球一一对应焊接，所述金球通过PCB与DSP芯片通信连接。本发明的COB光模块中激光器芯片和探测器芯片散热性能、信号完整性、可靠性俱佳，提升了产品良率，降低了产品生产成本。
一种用于高速传输芯片倒装 400 cob 模块

[发明专利]一种红外探测器及红外气体传感器-CN201910875339.9在审
发明人：李铁;刘延祥;王翊;周宏;王跃林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： G01N21/3504 文献下载
摘要：本发明涉及红外探测领域，特别涉及一种红外探测器及红外气体传感器。红外探测器包括：所述红外探测器包括：n个检测单元和m个补偿单元，其中n≥1，m≥1；每个所述检测单元包括1个探测芯片和1种第一类超材料滤波结构；每个补偿单元包括1个探测芯片和1种第二类超材料结构。本申请实施例所述的红外探测器，把多个超材料滤波结构集成设置在一个红外探测器上，超材料滤波结构替代传统滤光片的功能，一种超材料滤波结构通过一种待测气体对应的红外光，多种气体对应多种超材料滤波结构与多个探测芯片，实现了红外探测器芯片级的集成，提高了传感器的集成度。
红外探测器滤波结构超材料探测芯片补偿单元红外光红外气体传感器红外探测器芯片超材料结构传统滤光待测气体红外探测集成设置集成度传感器检测替代申请

[发明专利]PbSe光敏薄膜红外光电探测芯片及其制备方法、红外光电探测器-CN201911326527.2有效
发明人：丁玎;何峰;张浩;王栋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种PbSe光敏薄膜红外光电探测芯片及其制备方法、红外光电探测器，该芯片的制备方法包括以下步骤：在芯片衬底上制备缓冲层；在缓冲层上制备PbSe薄膜；对PbSe薄膜进行敏化处理，得到PbSe光敏薄膜红外光电探测芯片本发明制备方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，且制得的芯片具有小尺寸、大阵列大规模、快速响应、高响应度、高灵敏度等优点，对于扩大红外光电探测器的应用范围具有十分重要的意义。本发明红外光电探测器中以上述制得的芯片为探测器的核心元件，可满足响应时间短、灵敏度高等要求，无需考虑薄膜后续封装以及信号引出的问题；同时，通过设置参考探测器，可以提高检测灵敏度和检测可靠性。
pbse 光敏薄膜红外光电探测芯片及其制备方法探测器

[发明专利]一种模块化非制冷红外探测器封装方法-CN201811456954.8有效
发明人：周黄鹤;王春水;王洪兵;方明 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种模块化非制冷红外探测器封装方法，包括如下步骤：S1.制作固定模块，所述固定模块上开设有由上表面向内凹陷形成的凹槽；S2.将基板或探测器半成品安装在所述固定模块上，所述基板或探测器半成品上需要安装芯片的地方位于所述凹槽内；S3.在基板或探测器半成品上完成芯片粘贴；S4.将粘贴好芯片的的固定模块整体进行烘烤；S5.对烘烤后的芯片进行引线键合；S6.对键合后的所述芯片进行封盖；S7.抽出封盖完成后的基板或探测器成品。本发明提供的模块化非制冷红外探测器封装方法通过模块化的封装方式，采用夹具安装，同时进行多个非制冷红外探测器的工艺流程。避免人工直接接触探测器半成品，减小芯片损坏风险，提高生产效率。
一种模块化制冷红外探测器封装方法

[实用新型]一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器-CN201921170763.5有效
发明人：刘炎;刘建宏;相耀 -专利权人：山东国迅量子芯科技有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，包括APD芯片、制冷器和雪崩信号处理芯片，所述APD芯片输出端与雪崩信号处理芯片的信号输入端电连接，雪崩信号处理芯片的输出端输出经处理后的雪崩信号，所述APD芯片与制冷器的冷端面近距离贴合，APD芯片、制冷器以及雪崩信号处理芯片整体封装于一个壳体中。本实用新型的优点在于：集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器尺寸和质量小，电路结构精简，功耗低以及探测效率稳定。
一种集成滤波放大芯片雪崩光电探测器

[发明专利]倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法-CN02133928.7无效
发明人：朱华海 -专利权人：重庆科业光电有限公司
申请日： 2002-10-21 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒扣封装背照式的长波InGaAs/InP光电探测器芯片的制作方法，其特征在于：光电探测器芯片的衬底电极不在芯片外延层的表面，而是通过光刻工艺，腐蚀掉外延层后与芯片衬底连接，形成低接触电阻的欧姆接触与现有的光电探测器相比，既减小了器件的结电容和内引线的分布电容，又降低了光电探测的串联电阻，从而提高了光电探测器的频率响应特性，使之特别适合于高速应用。
倒扣封装背照式光电探测器芯片制作方法

[发明专利]一种红外探测器芯片及其制备方法和应用-CN202310077613.4在审
发明人：李超;李明阳;高宇庭;崔恒;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器芯片及其制备方法和应用，其中，红外探测器芯片包括依次叠加设置的InP衬底、外延层、SiNx钝化层和SiO2探测器芯片，通过结构的设计，能够实现对可见光的响应，提升红外探测器芯片的响应宽度，且保持甚至提升了红外探测器芯片的响应速度和响应度。本发明还公开了上述红外探测器芯片的制备方法和应用。
一种红外探测器芯片及其制备方法应用

[发明专利]光电探测器及其制作方法-CN202211327506.4在审
发明人：黄宏娟;赵德胜;张宝顺;陆书龙;曾中明 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：提供了一种光电探测器，其包括：芯片部和基板部，所述芯片部和所述基板部键合组装在一起，以使所述芯片部的组件一侧面对所述基板部的组件一侧，所述芯片部的背向所述基板部的一侧为入光侧，所述芯片部的芯片电极位于所述芯片部的吸收层和所述基板部之间还提供了一种该光电探测器的制作方法。本发明的光电探测器及其制作方法，将芯片部作为光入射一侧，从而入射的光直接照射到吸收层上，增大了吸收层的吸光面积，进而提高了光电探测器的响应度。
光电探测器及其制作方法

[发明专利]一种热稳定的探测驱动器及应用该驱动器的红外探测器-CN202111168505.5有效
发明人：王如君;多英全;王媛媛;李兴华;于立见;陈秀梅;郭乐乐;张圣柱 -专利权人：中国安全生产科学研究院;北京伟瑞迪科技有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01J5/061 文献下载
摘要：本申请涉及一种热稳定的探测驱动器及应用该驱动器的红外探测器，涉及探测设备技术的领域，包括至少一块PCB板，其中一块PCB板上安装有红外探测芯片，设置有所述红外探测芯片的PCB板上背离红外探测芯片的一面依次设置有导热膜和制冷片，驱动器还包括处理器，还包括用于检测设置有所述红外探测芯片的PCB板温度高低的温度传感器，温度传感器与处理器连接，位于PCB板一侧设置有抽风机，所述抽风机与处理器连接。本申请具有及时降低PCB电路板的温度，提高红外线探测器的热稳定性的效果。
一种稳定探测驱动器应用红外探测器

[实用新型]光探测阵列模块-CN201220233704.X有效
发明人：张钟铁;张海泉 -专利权人：深圳市易飞扬通信技术有限公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光探测阵列模块，其包括具有多个光输入端和多个光输出端的光纤阵列、与所述光纤阵列的光输出端对应设置的平面光波导及与所述平面光波导对应设置的光电探测芯片阵列，所述平面光波导包括与所述光电探测芯片阵列相对的端面及设置于所述端面的光学膜使用光纤阵列、平面光波导对应光电探测芯片阵列形成多通道的光探测阵列模块，较传统光探测模块的多个准直器、多个滤波器及多个光电二极管探测芯片分别具有体积小及成本低的优点，因此整合后的光探测阵列模块体积小且成本低
探测阵列模块