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[发明专利]一种胶边转移结构及制备方法-CN202310719395.X在审
发明人： 谭启广;陈书真;刘佳星;杨茂生 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种胶边转移结构及制备方法，用于消除旋涂光刻胶过程中碲镉汞基材边缘产生的光刻胶边对光刻的影响，所述胶边转移结构包括设置在碲镉汞基材边缘的基础结构，所述基础结构包括基于碲镉汞基材边缘设置的胶边引流区和胶边存储区，其中所述胶边引流区用以在旋涂光刻胶过程中将光刻胶引入所述胶边存储区。本申请实施例提出了一种适用于方形碲锌镉基碲镉汞外延片，能够消除光刻胶边对曝光的影响的结构及方法，该工艺方法对基材的污染及损伤小，对不同光刻胶膜层通用性强，提高了碲镉汞探测器的成品率，且后续多步光刻套刻中不需要重复去胶边工艺，提高了工艺效率。
一种转移结构制备方法

[发明专利]光电探测芯片的封装方法和封装结构-CN202110065307.X有效
发明人：韩德俊;谭启广;程文譞;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电探测芯片的封装方法和封装结构，该封装方法包括：将光电探测芯片贴装在封装基板上，封装基板的背面具有第一电极和第二电极，正面具有第一导电焊盘和第二导电焊盘，第一导电焊盘和第一电极之间通过第一导电通孔连接，第二导电焊盘和第二电极之间通过第二导电通孔连接；光电探测芯片的背面电极与第一导电焊盘电连接；利用光刻技术在第一封装基体上形成图案化的封装绝缘体，使得所述封装绝缘体至少部分覆盖光电探测芯片的侧壁以及光电探测芯片正面的非有源区；沿封装绝缘体的至少部分表面形成第二导电连接体来将光电探测芯片的正面电极和第二导电焊盘相连接；在得到的封装基体上涂覆保护层，得到光电探测芯片的封装结构。
光电探测芯片封装方法结构

[发明专利]InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器-CN202210532126.8在审
发明人： 谭启广;张轶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种InSb焦平面探测器的制作方法和InSb焦平面探测器，所述方法包括：将InSb探测器芯片的背面减薄至预设透镜设计厚度，对所述InSb探测器芯片的背面进行表面处理；蚀刻所述InSb探测器芯片的背面形成凹透镜和凸透镜；在所述凹透镜和凸透镜远离所述InSb探测器芯片的一侧设置反射膜形成微透镜阵列，制作效率高，与探测器材料耦合应力小，耦合精度高，且同时设置有凹透镜和凸透镜，使得微透镜阵列整体填充率较高。
insb 平面探测器制作方法

[发明专利]一种提高硅光电倍增器几何填充因子的凹凸复合微透镜-CN202110330395.1在审
发明人：韩德俊;谭启广;杨茹 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高硅光电倍增器几何填充因子的凹凸复合微透镜。所述凹凸复合微透镜阵列包括呈阵列布置的基础结构；基础结构的上部设有向外的凸透镜，相邻所述基础结构之间设有向内凹陷的凹透镜；基础结构、凸透镜和凹透镜均由光刻胶制成。本发明复合凸凹透镜材料的折射率为1.57～1.65，能够将入射到SiPM APD微单元上的光汇聚到所述微单元的中心，使入射到APD微单元之间的光折射、发散进入到APD微单元，从而提高SiPM的几何填充因子和探测效率。本发明制作凹凸复合微透镜阵列的材料兼具钝化保护SiPM的作用；并且，本发明制作凹凸复合微透镜阵列的方法与SiPM封装工艺兼容，使得凹凸复合微透镜阵列的制备可以在封装SiPM的过程中一次性完成。
一种提高光电倍增器几何填充因子凹凸复合透镜

[发明专利]用于电池负极的NiS@C纳米复合材料及其制备方法-CN201710650566.2有效
发明人：王强;谭启广;陈鹏程;刘赓;邢丽丽;薛欣宇 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电池负极的NiS@C纳米复合材料及其制备方法，以六水合氯化镍、硫脲作为反应原料，通过溶剂热法生成NiS，再利用水热法在NiS表面包覆碳，高温退火得到NiS@C纳米复合材料。本发明在金属硫化物的表面包覆碳，可以有效弥补硫化物循环性和稳定性较差的缺点，提高材料的循环性和稳定性，同时可以提高材料的导电性。作为锂离子电池的负极材料，本发明制备的NiS@C纳米复合材料具有较好的锂电性能、较高的比容量和较好的循环性能。
用于电池负极 nis 纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]用于电池负极的Cu9-CN201710650564.3有效
发明人：王强;陈鹏程;谭启广;刘赓;薛欣宇;邢丽丽 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电池负极的Cu9S5@C纳米复合材料及制备方法，以硫粉、乙酸铜、氨水为反应原料，通过水热法生成硫化铜，退火得到Cu9S5，再利用水热法在Cu9S5表面包覆葡萄糖，高温退火得到Cu9S5@C纳米复合材料。本发明在金属硫化物的表面包覆碳，既可有效弥补硫化物循环性和稳定性较差的缺点，提高材料的循环性和稳定性，又可提高材料的导电性，作为锂离子电池的负极材料可以有效实现较高容量以及较好的循环稳定性，有效提高电池性能。以本发明制备的Cu9S5@C纳米复合材料作负极的锂离子电池经测试，具有较好的锂电性能，拥有较稳定的比容量和较好的循环性能，并且具有多次循环后容量快速上升的特性，90个循环后比容量升至初比始容量的2倍。
用于电池负极 cu base sub