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[实用新型]带光功率探测的可调光学衰减器-CN201520006639.0有效
发明人：吕倩倩;黄曙亮;蔡培;丁龙;李连城;华一敏 -专利权人：昂纳信息技术(深圳)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带光功率探测的可调光学衰减器，包括双光纤尾纤、挡光式MEMS VOA芯片、自聚焦透镜和光电探测芯片，所述挡光式MEMS VOA芯片设置在双光纤尾纤和自聚焦透镜之间，光电探测芯片位于自聚焦透镜后；自聚焦透镜与光电探测芯片相对的面上设置有Tap膜，该器件体积小，结构紧凑；集成度高，成本低。
功率探测可调光学衰减器

[发明专利]一种激光加工芯片的方法-CN201811607267.1有效
发明人：侯煜;张喆;李曼;李纪东;王然;张紫辰 -专利权人：北京中科镭特电子有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光加工芯片的方法，包括：由激光器、整形元件、振镜、平场透镜搭建激光加工系统；获取制冷型红外探测芯片信息、以及在制冷型红外探测芯片上待加工沟槽的槽形信息；根据制冷型红外探测芯片信息、槽形信息确定激光加工系统中激光加工光束的激光光斑；通过调整整形元件将激光加工光束整形为对应激光光斑，并由激光光斑照射至制冷型红外探测芯片表面，以使在制冷型红外探测芯片上的像元层与边缘之间形成一闭合环形沟槽。本发明通过在激光加工系统中加入整形元件，并同时加上大功率激光加工从而实现较小夹角、较深沟槽的制冷型红外探测芯片表面开槽效果。
一种激光加工芯片方法

[发明专利]一种探测器电路板与光波导芯片的集成对准封装结构-CN201910062120.7有效
发明人：仝飞;刘敬伟;姜磊 -专利权人：国科光芯（海宁）科技股份有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种探测器电路板与光波导芯片的集成对准封装结构，包括：探测器电路板(1)，倒装在光波导芯片(2)上；光波导芯片(2)，朝向所述探测器电路板(1)的表面覆盖有一支撑体(3)，所述支撑体(3)上预成型有焊点，所述焊点具有将所述探测器电路板(1)和所述光波导芯片(2)自动修正对准的熔融状态和在固化后将所述探测器电路板(1)和所述光波导芯片(2)连接的固定状态。本发明提供了一种对准精度及可靠性高、操作方便快捷的探测器电路板与光波导芯片的集成对准封装结构。
一种探测器电路板波导芯片集成对准封装结构

[发明专利]一种四叉树结构阵列的场效应晶体管太赫兹探测器芯片-CN202211494526.0在审
发明人：孟庆之;林启敬;景蔚萱;王杨涛;王泽林;赵娜;姚坤;张福政;蒋庄德 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种四叉树结构阵列的场效应晶体管太赫兹探测器芯片，包括芯片基底和场效应晶体管太赫兹探测器阵列；场效应晶体管太赫兹探测器阵列采用半导体工艺制备在芯片基底表面，并且在芯片基底上以四叉树结构阵列进行排布；场效应晶体管太赫兹探测器由场效应晶体管和太赫兹天线组成，越靠近场效应晶体管太赫兹探测器阵列中心位置的太赫兹天线特征尺寸越小，中心频率越高；本发明将不同太赫兹频段的场效应晶体管太赫兹探测器集成在一个芯片上，能够实现宽频谱太赫兹波的探测，解决目前场效应晶体管太赫兹探测器探测频谱窄的问题，并且四叉树结构的阵列排布方式可以有效减小芯片的面积，从而降低芯片成本。
一种四叉树结构阵列场效应晶体管赫兹探测器芯片

[实用新型]一种光电探测器-CN201220552678.7有效
发明人：刘银;刘铁权 -专利权人：北京世维通科技发展有限公司
申请日： 2012-10-25 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光电探测器，其包括管壳、输入端口、输出端口，所述管壳内集成有分光器件、两个探测器芯片、放大器模块及光纤，所述两个探测器芯片是相同的芯片，两个探测器芯片串联在一起且中间连接的一端接地，而两个探测器芯片的另一端分别用于加载大小相等、极性相反的直流偏置电压；在所述输入端口和所述分光器件之间，以及在所述分光器件和所述两个探测器芯片之间均由光纤连接，所述放大器模块是具有两个输入端的差分放大电路，所述两个输入端分别连接至所述两个探测器芯片的用于加载直流偏置电压的一端本实用新型的光电探测器具有较高的共模抑制比，可以带来较高的探测灵敏度和较高的信噪比。
一种光电探测器

[发明专利]一种利用探测器进行压力管道漏点定位的方法-CN201910140695.6有效
发明人：陈波 -专利权人：湖南普奇水环境研究院有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： F16L55/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用探测器进行压力管道漏点定位的方法，压力管道内设置有定位器，定位器能够沿压力管道的径向压缩以进入压力管道内部，并能在压力管道内的压力调节作用下移动以封堵压力管道的漏点；定位器内交叉连接有若干个定位芯片，且定位芯片与探测器无线通讯连接。所述利用探测器进行压力管道漏点定位的方法，包括如下步骤：通过所述探测器探测所述定位芯片；当所述探测器探测到所述定位芯片时，控制所述探测器发出报警信号。交叉分布设置的多个定位芯片可以改善单个定位芯片端部感应信号不强的缺点。
一种利用探测器进行压力管道定位方法

[实用新型]一种小型化的铌酸锂光器件-CN202120511006.0有效
发明人：张洪涛;郑名扬;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化的铌酸锂光器件，其包括激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块、探测器芯片模块以及封装外壳。其中，激光器芯片模块用于产生和输出激光信号；铌酸锂薄膜调制器芯片模块用于对激光信号进行调制；探测器芯片模块设于激光器芯片模块后方，用于接收和探测激光器芯片模块的后向出射光；并且，激光器芯片模块、铌酸锂薄膜调制器芯片模块和探测器芯片模块集成封装于封装外壳内
一种小型化铌酸锂光器件

[发明专利]光电探测器芯片结构-CN202310822497.4在审
发明人：王文亭;田震;付孟博;陶冶;刘杰涛;祝宁华 -专利权人：雄安创新研究院
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器芯片结构，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底上，用于降低层间的界面自由能；其中，缓冲层包括下缓冲层和上缓冲层；第一光波导层，形成于下缓冲层与上缓冲层之间；用于传输激光信号并进行激光信号的耦合；光电探测器层，形成于上缓冲层上；其中，光电探测器层由多个光电探测器构成，多个光电探测器周期性间隔排列于上缓冲层的表面。本发明提供的光电探测器芯片结构，通过设置周期性间隔排列的多个光电探测器，有效增大光电探测器芯片中有源区的面积，且这种级联结构可以避免因电容随有源区面积增加而导致的带宽下降问题，有效提高光电探测器芯片的响应度，进而提高光电探测器芯片的性能。
光电探测器芯片结构

[发明专利]CT系统及其探测装置-CN201711195122.0有效
发明人：叶婷 -专利权人：上海联影医疗科技股份有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种探测装置，包括：壳体组件，具有容置腔室，及与所述容置腔室连通的入射窗；探测芯片，设置于所述容置腔室中，用于探测通过所述入射窗的射线并输出电信号；信号处理板，设置于所述容置腔室中，所述信号处理板与所述探测芯片电连接，用于接收并处理所述探测芯片输出的电信号；及分隔部件，设置于所述壳体组件上，且所述信号处理板与所述探测芯分别位于所述分隔部件的两侧。分隔部件能够将探测芯片产生的热量与信号处理板产生的热量在壳体组件上相互隔开，降低热源之间的耦合，进而保证探测芯片与信号处理板温度不会升高，保证探测装置能够正常响应，进而保证探测装置的修正稳定性，提高图像成像质量
ct 系统及其探测装置

[发明专利]一种集成前置放大电路的深硅探测器模块-CN202110056836.3有效
发明人：刘鹏 -专利权人：核芯光电科技（山东）有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种集成前置放大电路的深硅探测器模块，包括至少两片探测器芯片；各探测器芯片层叠设置，且相邻探测器芯片呈角度设置；探测器芯片包括灵敏区、集成区、键合区及开孔区单元；灵敏区单元包括若干光电单元组成的硅微条；集成区单元包括ASIC芯片，ASIC芯片包括输入输出管脚；键合区包括输入、输出引线焊盘以及键合铝丝；输入引线焊盘与、光电单元以及输入管脚连接；输出引线焊盘与同层的ASIC芯片输出管脚连接，或者相邻层的ASIC芯片输出引线管脚连接；开孔区，用于避让ASIC芯片输出管脚与相邻层的输出引线焊盘的层间走线，同时避让相邻层的ASIC芯片以及焊盘与ASIC芯片管脚间的键合铝丝。
一种集成前置放大电路探测器模块

[发明专利]一种防红外探测芯片布局结构-CN202310341249.8在审
发明人：童元满;戴葵 -专利权人：北京安信智芯科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种防红外探测芯片布局结构，包括：芯片、若干金属块、防红外探测薄膜层和若干导电纳米线，其特征在于：在芯片顶层分布若干金属块和随机生长或分布若干导电纳米线，且每根导电纳米线通过一金属块与芯片内部信号相连，芯片实时监测所有导电纳米线的连接状态；防红外探测薄膜层包裹所有导电纳米线，并进一步覆盖整个芯片。当外部侵入式攻击试图去除防红外探测薄膜层时，必将引起导电纳米线的破坏，并将其转变为芯片内部敏感信号的变化，最终反映至芯片密钥的变化，以真正同时实现红外探测攻击防护和侵入式攻击防护。
一种红外探测芯片布局结构

[实用新型]一种MEMS可调法珀腔芯片阵列、光谱传感器及光谱仪-CN202321099021.4有效
发明人：刘浩;陈宫傣;张国宏;闫晓剑;李光尧 -专利权人：四川启睿克科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01J3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS可调法珀腔芯片阵列、光谱传感器及光谱仪，其中MEMS可调法珀腔芯片阵列包括阵列MEMS可调法珀腔芯片、开关控制器、阵列光电探测器；阵列MEMS可调法珀腔芯片中包括至少两颗子MEMS可调法珀腔芯片，各子MEMS可调法珀腔芯片的正极和/或负极相互独立；阵列光电探测器中包括至少两颗子光电探测器，各子光电探测器的正极和/或负极相互独立；空间上阵列光电探测器位于阵列MEMS可调法珀腔芯片的出关侧；子光电探测器与子MEMS可调法珀腔芯片数量相同且一一对应；开关控制器控制各子MEMS可调法珀腔芯片和子光电探测器的通断。
一种 mems 可调法珀腔芯片阵列光谱传感器光谱仪

[实用新型]一种半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件-CN201822092759.3有效
发明人：周东;陆海;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件，包括半导体紫外探测器芯片、紫外LED芯片和芯片支架，其中，半导体紫外探测器芯片和紫外LED芯片集成在同一芯片支架中。本实用新型半导体紫外探测器和紫外LED集成的光电器件，解决了紫外LED光源与紫外探测器独立封装，紫外LED应用系统监测光路复杂，外界环境影响多的缺点，将紫外LED芯片和紫外探测器芯片封装集成，并且保持两者独立的功能
半导体紫外探测器紫外LED 紫外LED芯片光电器件监测系统紫外LED光源本实用新型紫外探测器芯片支架芯片长期稳定性独立封装光路系统监测光路外界环境芯片封装应用系统差异性

[发明专利]探测器互连结构的制备方法和探测器-CN202110390396.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京智创芯源科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种探测器互连结构的制备方法和探测器，方法包括：根据探测芯片上每个探测元电极的高度，确定与每个探测元电极对应的探测器互联结构的高度；根据每个探测器互联结构的高度和读取芯片上每个探测器互联结构对应的读取电极的尺寸，确定与每个探测元电极对应的曝光参数，在涂敷光刻胶的信号读取芯片上形成与每个曝光参数相对应的曝光区，沉积探测器互连结构对应的互连材料，得到探测器互连结构膜，并回流成形，得到探测器互连结构，实现了针对不同高度的探测元电极制作不同高度的探测器互联结构，消除了探测芯片不同高度的探测元电极之间的高度差，无需再设置爬坡电极和延长电极，提高了探测器可靠性、探测器的工艺成品率。
探测器互连结构制备方法

[实用新型]一种具有探测功能的血管压迫器-CN202022830646.6有效
发明人：蔡毅;承欧梅;刘庆林 -专利权人：重庆市渝北区人民医院
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： A61B17/132 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有探测功能的血管压迫器，其可以通过心率监测芯片探测血管跳动次数，从而相对准确、客观地反馈被压迫血管的跳动次数，以提高手术效果；包括探测模块、压迫头，所述探测模块包括探测壳、心率监测芯片，所述探测壳顶部安装有绑带块，绑带块上设置有贯穿的绑带通槽，绑带通槽用于和定位带一端装配，定位带另一端与电气盒装配，电气盒套装在下压螺杆上；所述下压螺杆上安装有压迫头，压迫头用于压迫血管；所述探测壳内部为中空的探测腔，探测腔与探测滑块卡合、可滑动装配，所述探测滑块安装在探测活动板上，所述探测活动板上镶嵌安装有心率监测芯片；压迫头用于压迫血管，所述心率监测芯片用于探测被压后血管的跳动。
一种具有探测功能血管压迫