专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种辐射探测芯片的封装结构及其制作方法-CN202310614212.8在审
  • 郭凤丽;张玲玲;韩留军;何资星 - 无锡华普微电子有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-18 - H01L23/04
  • 本发明涉及集成电路芯片封装技术领域,尤其涉及一种辐射探测芯片的封装结构,包括:封装外壳,所述封装外壳的背面设置有至少两个转接孔,所述封装外壳的正面设置安装槽,所述安装槽内设置绝缘件,所述绝缘件的上表面设置芯片托板,辐射探测芯片的背面电极与芯片托板的上表面连接;每个所述转接孔内均设置引线柱,所述引线柱连接转接孔与安装槽,所述辐射探测芯片的正面电极通过键合引线与其中一根引线柱连接,所述芯片托板通过键合引线与另一根引线柱连接本发明通过在封装外壳上增加转接孔设计,不采用PCB再布线连接,减少结构复杂性,简化了制作工艺流程,减少了中间复杂布线,改善探测器性能,提高探测器的能量分辨率。
  • 一种辐射探测芯片封装结构及其制作方法
  • [发明专利]国产红外探测器模拟输出自适应调整装置及其调整方法-CN201710202160.8有效
  • 刘志杰 - 智来光电科技(苏州)有限公司
  • 2017-03-30 - 2019-06-18 - G01J5/10
  • 本发明公开了一种国产红外探测器模拟输出自适应调整装置及其调整方法,其特征是,包括国产红外探测器、温度传感器芯片、FPGA和A/D芯片,FPGA分别与红外探测器、温度传感器芯片和A/D连接,A/D与红外探测器连接,FPGA产生时钟、驱动等信号驱动红外探测器、温度传感器芯片和A/D工作,红外探测器产生模拟图像信号后经A/D采样量化后转为数字图像信号,温度传感器芯片感应红外探测器的温度并转换为数字信号由FPGA解码本发明所达到的有益效果:无论工作环境温度是否与标定时的环境温度相同、观察场景的温度是否超出两点标定时黑体的温度范围,都可以将红外探测器的模拟输出调整至两点参数标定范围内,使红外探测器各像元的响应能够得到正确修正
  • 国产红外探测器模拟输出自适应调整装置及其方法
  • [实用新型]一种同轴带制冷的APD光探测-CN202121354725.2有效
  • 李鸿邑 - 四川宇邑光电科技有限公司
  • 2021-06-18 - 2021-12-14 - H01L31/024
  • 本实用新型公开了一种同轴带制冷的APD光探测器,主要解决现有APD光探测器随着器件自身及环境温度升高影响,APD暗电流会不断增大、接收信号噪声增大,灵敏度下降的问题。该APD光探测器包括基座,设置于基座上端中心处的TEC热电制冷器,设置于TEC热电制冷器上的APD探测芯片,设置于TEC热电制冷器上并位于APD探测芯片一侧的NTC热敏电阻,固定于基座上用于气密性封装保护器件内部结构的管帽,以及设置于管帽上用于将接收的光信号聚焦到APD探测芯片的透镜。通过上述设计,本实用新型能够对APD探测芯片的温度进行监测,并通过外部电路控制TEC热电制冷器制冷或加热从而控制APD探测芯片温度,提高APD探测器在高温环境下的接收性能。因此,适宜推广应用。
  • 一种同轴制冷apd探测器
  • [实用新型]一种光接收器件结构-CN201721081989.9有效
  • 王志刚 - 武汉电信器件有限公司
  • 2017-08-25 - 2018-05-15 - G02B6/42
  • 结构中包括芯片底座31、探测芯片32、放大器芯片33、热沉34和封帽35,具体的:所述热沉34位于所述底座上,热沉34靠近芯片底座31中心的一侧固定所述探测芯片32,其中,所述探测芯片32的收光面与封帽35上的窗口在一直线上;所述放大器芯片33固定在所述底座上,所述放大器芯片33、芯片底座31上的管脚以及探测芯片32之间通过金丝焊接连接。
  • 一种接收器件结构
  • [发明专利]一种光模块-CN201710407249.8有效
  • 刘旭霞;钟岩;邵乾 - 青岛海信宽带多媒体技术有限公司
  • 2017-06-02 - 2019-05-31 - G02B6/42
  • 所述光模块包括:电路板、透镜组件、激光芯片、光探测芯片,所述激光芯片与所述光探测芯片分别贴装在所述电路板的表面;所述透镜组件罩设在所述激光芯片与所述光探测芯片的上方;所述透镜组件具有发射透镜、接收透镜、反射面、第一光纤透镜及第二光纤透镜;所述发射透镜与所述接收透镜具有不同的焦距;所述第一光纤透镜与所述第二光纤透镜具有相同的焦距;所述发射透镜将所述激光芯片发出的光通过所述反射面射向第一光纤透镜;来自所述第二光纤透镜的光经过所述反射面后通过所述接收透镜射向所述光探测芯片
  • 一种模块
  • [实用新型]一种多用途SFP光模块-CN201921855491.2有效
  • 侯平胜 - 武汉永信丰科技有限公司
  • 2019-10-31 - 2020-07-03 - H04B10/40
  • 本实用新型涉及一种多用途SFP光模块,包括主芯片、激光器、APD光电探测器、前置放大器、升压电路以及电接口电路,主芯片是一块三合一芯片,其内部集成了发射驱动、接收LA和MCU三个芯片,主芯片、激光器、APD光电探测器均与电接口电路电连接,主芯片分别与激光器和前置放大器电连接,前置放大器与光电探测器电连接,升压电路给光电探测器提供更高的工作电压,以达到更远距离的传输需求。本实用新型采用三合一芯片作为电路的主芯片,集成度高且成本低,具有很大的商用价值。
  • 一种多用途sfp模块
  • [实用新型]组合型线列硅光探测-CN01277169.4无效
  • 江美玲;梁平治;丁爱娣;张学敏;陈世军 - 中国科学院上海技术物理研究所
  • 2001-12-29 - 2002-10-23 - G01J3/12
  • 一种用于成像光谱仪的组合型线列硅光探测器,包括线列芯片、底板和带窗口的框架。线列芯片置在二边带电极引线图的底板中间,线列芯片上置有带窗口的框架,框架固定在底板上。该实用新型利用了光谱检测时不同光敏元测试不同波长光的特点,把线列芯片分为几个子线列芯片,每一子线列芯片在工艺中对其探测波段的响应率进行增强,然后把这几个子线列芯片拼接成一个完整的线列芯片探测器采用了PIN光电二极管的工艺,通过选择不同厚度的SiO2增透膜,使相应探测波段的响应率得到增强。
  • 组合型线列硅光探测器
  • [发明专利]成像探测-CN200910129197.8有效
  • K·贝思克 - 帕纳科有限公司
  • 2009-02-05 - 2009-09-02 - H01L31/115
  • 本发明公开了一种成像探测器。其中,混合型成像探测器用于探测电离辐射,诸如X射线或电子辐射或其它电离辐射。所述探测器具有在读出芯片(20)上的传感器(10)。该读出芯片为光子计数型读出芯片,当探测到高于阈值的脉冲时,所述读出芯片记录一个单次计数。
  • 成像探测器
  • [发明专利]一种带车位照明的车位探测装置-CN202011641692.X在审
  • 刘金刚;刘峰;郑伟耀 - 上海镭芯微电子股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-04-23 - G08G1/14
  • 本发明提供一种带车位照明的车位探测装置,涉及车位探测技术领域,包括:底板,底板上设有一电路板;电路板上集成有一第一控制芯片、一第二控制芯片、一电源和至少一车位状态指示元件;第一控制芯片分别连接第二控制芯片、电源和各车位状态指示元件;电路板上还集成有一第三控制芯片、至少一移动感应器、至少一超声探测器和至少一车位照明元件;第三控制芯片分别连接各移动感应器、车位照明元件和第二控制芯片;超声探测器连接第一控制芯片有益效果是将车位状态显示元件、超声探测器与车位照明部件集成于一个装置内,有效利用装置内部空间,大幅度降低安装难度和成本;同时调整车位照明元件的功率,降低损耗,提升寿命。
  • 一种车位照明探测装置
  • [发明专利]探测芯片及其制备方法-CN202010256504.5有效
  • 黄立;陈晓静;张传杰;张冰洁;姚柏文 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2020-04-02 - 2022-07-22 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种探测芯片,包括碲镉汞薄膜和芯片结构,芯片结构包括pn结、读出电路和铟柱,pn结形成于碲镉汞薄膜的背面上,读出电路位于碲镉汞薄膜的背面侧并且通过铟柱与pn结连接。另外还涉及探测芯片的制备方法,包括:将碲镉汞薄膜固定于载体上,其中,碲镉汞薄膜的正面朝向载体;去除碲镉汞薄膜背面的衬底;在碲镉汞薄膜背面上形成pn结,该pn结通过铟柱连接读出电路;去除载体。本发明提供的探测芯片及其制备方法,通过在碲镉汞薄膜背面成结,该pn结即形成于碲镉汞薄膜的背面高组分材料区(也即外延界面处),可以防止芯片反型,降低探测芯片的漏电流,增强芯片响应信号,从而显著地提高探测器的工作性能
  • 探测器芯片及其制备方法

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