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[发明专利]太阳能电池面板的接线盒-CN201210014740.1无效
发明人：永井刚;石田淳 -专利权人：欧南芭株式会社
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明的特征在于，在用于晶体硅太阳能电池面板的接线盒中，肖特基势垒二极管被用作旁路二极管。优选地，肖特基势垒二极管的正向电压降在特定的结温度下为特定的值或更低。优选地，使用作为表面安装型或非绝缘型的封装二极管作为肖特基势垒二极管。
太阳能电池面板接线

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03142742.1无效
发明人：岡田哲也;吉村充弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-06-12 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：以往，肖特基势垒二极管的VF、IR特性具有折衷关系，为了实现低VF化存在着不可避免地增大漏电流的问题，解决方法是在肖特基结区，设置多个正六角形的P+型半导体区，由于相互的间隔距离相等，因此在加入反向电压时耗尽层从P+型半导体区扩展，完全埋入到外延层中，即，能够遮断在肖特基结界面发生的漏电流漏泄到阴极一侧，由于即使发生很高的漏电流也能够通过耗尽层遮断，因此其结果不存在VF与IR的折衷关系，能够不考虑IR而实现低VF
半导体器件及其制造方法

[发明专利]太阳能电池面板的接线盒-CN200680001325.5无效
发明人：永井刚;石田淳 -专利权人：欧南芭株式会社
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明的特征在于，在用于晶体硅太阳能电池面板的接线盒中，肖特基势垒二极管被用作旁路二极管。优选地，肖特基势垒二极管的正向电压降在特定的结温度下为特定的值或更低。优选地，使用作为表面安装型或非绝缘型的封装二极管作为肖特基势垒二极管。
太阳能电池面板接线

[发明专利]碳化硅肖特基结型核电池-CN201310516945.4无效
发明人：梅欣 -专利权人：溧阳市浙大产学研服务中心有限公司
申请日： 2013-10-26 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基结型核电池，其自下而上依次包括n型欧姆接触电极8、n型SiC衬底7、n型SiC外延层6、SiO₂钝化层5、肖特基金属接触层4、肖特基接触电极3、键合层2和放射性同位素源层1，其中，n型SiC衬底7的掺杂浓度为1×10¹⁸～7×10¹⁸cm^-3，n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV
碳化硅肖特基结型核电

[发明专利]一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN201610819460.6有效
发明人：汤益丹;邓小川;白云;郭飞;宋凌云;杨成樾 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种碳化硅结势垒肖特基二极管，包括：碳化硅N型衬底；碳化硅N型漂移区、碳化硅P型层，依次层叠于所述碳化硅N型衬底的上表面上；在所述碳化硅P型层顶部垂直向下开设有多个凹槽，所述凹槽的深度d满足d₂＜d＜d₁+d₂，其中d₁为所述碳化硅N型漂移区的厚度，d₂为所述碳化硅P型层的厚度；P+注入层，设置于所述多个凹槽底部；以及阳极电极，至少形成于所述多个凹槽的侧壁上，该碳化硅结势垒肖特基二极管利用侧壁的面积优势增大电流导通面积，增大导通的电流，节省芯片面积，且加强了耗尽夹断的能力，降低了反偏时的泄漏电流，提高了反偏时的器件可靠性
一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种太阳能转换多结极联光电池-CN03111742.2无效
发明人：李国昌 -专利权人：河北科技大学
申请日： 2003-01-14 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：其方案中包括顶电池、中间电池和底电池，改进后的底电池是Ge的一个或多个PN结电池，中间电池是GaAs的一个或多个PN结电池，顶电池是ZnSe的肖特基结MIS。另外，本发明通过电流匹配、提高开路电压以提高输出功率，采用Au/n－ZnSe肖特基结，避开了P型掺杂的困难，上电极的引出工艺也更为简单。
一种太阳能转换多结极联光电池

[实用新型]一种碳化硅二极管器件-CN201820254563.7有效
发明人：陈彤 -专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
申请日： 2018-02-12 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碳化硅二极管器件，其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配，解决结势垒肖特基二极管中，由于pn结区域的存在，导通状态下器件有效导通面积较小，导致导通电阻较高的问题。
碳化硅二极管阳极金属接触槽突起部结势垒肖特基二极管本实用新型导通电阻导通状态阴极金属有效导通元胞结构衬底匹配

[发明专利]具有分级掺杂区的垂直结型场效应晶体管和二极管及其制造方法-CN201080036567.4有效
发明人：成林;M·马佐拉 -专利权人： SSSCIP有限公司
申请日： 2010-06-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：该器件可以是面结型场效应晶体管(JFET)或者结型肖特基势垒(JBS)二极管或者PiN二极管。该器件具有通过外延生长而形成的分级p型半导体层和/或区。该方法不需要离子注入。
具有分级掺杂垂直场效应晶体管二极管及其制造方法

[发明专利]碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法-CN202010668498.4在审
发明人：陈道坤;林苡任;史波;曾丹 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法。碳化硅结势垒肖特基半导体器件包括层叠设置的衬底和外延层，所述外延层上表面设置有源区和位于所述有源区周围的终端区，所述有源区包括若干间隔设置的结势垒区，其中，沿所述有源区的中部至边缘的方向，所述结势垒区的间距逐渐增加有源区中心的电流密度比有源区边缘区域的电流密度稍低，使得碳化硅结势垒肖特基半导体器件在正向工作时的热分布更均匀，以此达到优化器件热分布的目的，避免热量局部积累导致碳化硅器件性能的退化或可靠性问题。
碳化硅结势垒肖特基半导体器件及其制造方法

[发明专利]基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法-CN202110792656.1在审
发明人：叶建东;胡天澄;巩贺贺;郁鑫鑫;徐阳;张贻俊;任芳芳;顾书林;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。
基于组装 ni 纳米 jbs 功率二极管及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201180008847.9有效
发明人：菅原良孝 -专利权人：菅原良孝;富士电机株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在宽禁带半导体复合二极管中，在n-漂移层(2)上外延生长p+阳极层(3a、3b)，呈台面状加工而设置一个以上的pn结。在台面底部与pn主结(5a、5b)隔开地设置肖特基结(7a、7b)。由此，能够降低形成时在两结所产生的缺陷、因引线键合的应力而在肖特基结(7a、7b)产生的缺陷及其影响。在两结间，按照与两结接触的方式设置比p+阳极层(3a、3b)浓度的低的p综合电场缓和层(13)。另外，在两结的最外周部，配置肖特基结(7a、7b)，通过与其连结而设置p综合电场缓和层(13)，在不有损于高耐压的基础上，高效地排出pn结(5a、5b)下残存的累积载流子，进而降低反向恢复时间、反向恢复电流
半导体装置

[发明专利]一种SiC肖特基二极管及其制作方法-CN201210483401.8无效
发明人：白云;刘可安;申华军;汤益丹;王弋宇;韩林超;刘新宇;李诚瞻;史晶晶 -专利权人：中国科学院微电子研究所;株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。
一种 sic 肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法-CN201310381187.X有效
发明人：郑晨炎;陈采;龚大卫 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法，包括：N型重掺杂的基片；结合于所述N型重掺杂基片表面的N型轻掺杂的硅外延层；形成于所述硅外延层中的至少两个沟槽，且所述沟槽表面形成有氧化层；填充于所述沟槽内的导电材料层本发明由金属硅化物和低掺杂N型硅形成肖特基结，并采用沟槽MOS结构作为单元肖特基结构的漏电保护环，实现低漏电的肖特基功率二极管器件；对正面电极结构的改进大幅降低了器件的正向导通压降,并提高器件对浪涌冲击的耐受力和抗静电能力
一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法-CN202080007346.8在审
发明人：大瀬直之;小岛贵仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：使构成JBS结构的p型区域(13)在层间绝缘膜(17)的开口部(17a’)露出，在层间绝缘膜(17)的开口部(17a’)以与p型区域(13)接触的方式形成成为材料膜的金属层叠膜(52)，金属层叠膜(52并且，通过热处理使铝膜中的铝原子热扩散而在p型区域(13)的表面区域以自对准的方式形成p+型接触区(14)。其后，在除去金属层叠膜(52)后，在形成于层间绝缘膜(17)的接触孔中形成与n‑型漂移区(12)肖特基接合，并与p+型接触区由此，在混合有肖特基结和pn结的JBS结构的碳化硅二极管中，能够维持基于SBD结构的低的正向电压，并且提高浪涌电流耐量。
碳化硅半导体装置以及制造方法

[发明专利]一种垂直高压JBS二极管及其制作方法-CN202210579748.6在审
发明人：刘国梁;樊永辉;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直高压JBS二极管及其制作方法，其中，该垂直高压JBS二极管的制作方法，包括以下步骤：提供衬底：衬底具有正面和背面；制作n型轻掺杂外延层：在衬底的正面上生长n型轻掺杂外延层；制作p型重掺杂区：在n型轻掺杂外延层的表面制作多个间隔布置的p型重掺杂区；制作正面金属电极：在n型轻掺杂外延层的表面上制作正面金属电极，正面金属电极与p型重掺杂区形成欧姆接触，正面金属电极还与n型轻掺杂外延层上p型重掺杂区以外的区域形成肖特基接触肖特基接触结构具有正向低开启电压的特点，正向电压增加后，PN结开启，提高了工作电压范围；而受到反向电压时，p型重掺杂区反向时候势垒耗尽，防止肖特基接触结构击穿。
一种垂直高压 jbs 二极管及其制作方法