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[发明专利]一种通过光伏测量提取肖特基势垒高度的方法-CN201310577467.8有效
发明人：崔昊杨;许永鹏;杨俊杰;唐忠;曾俊冬;高巍;刘璨;王超群;王佳林 -专利权人：上海电力学院
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过光伏测量提取肖特基势垒高度的方法，该方法通过测量pn结光伏型光电二极管的光伏提取出肖特基势垒高度，具体包括以下步骤：1)在开路条件下，用背景光源照射pn结光伏型光电二极管，测量光电二极管的稳态光伏不断增强背景光源的光照强度直至光电二极管的稳态光伏不再增大；2)当稳态光伏值不再增大后，采用超快脉冲激光照射光电二极管，不断增强入射激光光强，使测量到的光电二极管瞬态光伏达到饱和，获得瞬态光伏极小值V₁；3)通过公式计算得到pn结光伏型光电二极管电极界面肖特基势垒高度
一种通过测量提取肖特基势垒高度方法

[发明专利]PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN201910858210.7在审
发明人：胡斐;孙剑;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，具体为一种PN结增强的黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法。本发明红外探测器其结构自上而下依次为前表面电极、前表面钝化层、前表面黑硅层、PN结、硅衬底、背表面黑硅层、肖特基结、背表面电极；该探测器利用黑硅的宽带（紫外‑近红外波段）、高效减反作用来提高红外光吸收率，利用黑硅和金属或金属硅化物间形成的三维肖特基结提高内光电子发射效率，利用PN结提高光生电荷的传输效率，从而提高红外光电响应。
肖特基结黑硅红外探测器背表面黑硅层前表面红外光吸收率光电子发射效率光电探测器金属硅化物近红外波段前表面电极传输效率光生电荷红外光电钝化层硅衬底电极探测器宽带制备三维金属响应

[发明专利]包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池-CN201310513588.6无效
发明人：梅欣 -专利权人：溧阳市浙大产学研服务中心有限公司
申请日： 2013-10-26 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括铌掺杂n型外延层的碳化硅肖特基结型核电池，其自下而上依次包括n型欧姆接触电极8、n型SiC衬底7、n型SiC外延层6、SiO2钝化层5、肖特基金属接触层4、肖特基接触电极3、键合层2和放射性同位素源层1，其中，n型SiC外延层6是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的铌离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3。
包括掺杂外延碳化硅肖特基结型核电

[发明专利]碳化硅肖特基二极管及其制备方法-CN201910423350.1在审
发明人：郎金荣;刘奇斌;程小强 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括：制作SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底层，SiC衬底层上表面设有SiC外延层；在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环；在所述SiC外延层的内部上表面形成P型保护环；在所述SiC外延层的上表面形成肖特基接触区；在所述肖特基接触区设置阳极电极；在所述SiC衬底层的下表面形成欧姆接触区；在所述欧姆接触区设置阴极电极。本发明采用浮空的P型环形成PN结，来屏蔽电场，达到提高反向击穿电压、减小反向漏电流的目的。
碳化硅肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管及其制备方法-CN201911231383.2在审
发明人：王元刚;吕元杰;冯志红;刘红宇;梁士雄;宋旭波;周幸叶;谭鑫;郭红雨 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管及其制备方法。该肖特基二极管包括：衬底；n型氧化镓层，形成在所述衬底上，其中，所述n型氧化镓层中包括：至少一个第一热氧化区和两个第二热氧化区；阳极金属层，形成在所述n型氧化镓层上；第一热氧化区位于阳极金属层下方，第二热氧化区部分位于阳极金属层下方上述肖特基二极管相对于现有的肖特基二极管阳极结处电场更优，耐高压特性和导通特性更好。
肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种肖特基结可靠性评估方法及装置-CN202110440890.8有效
发明人：杨天应 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基结可靠性评估方法及装置，该方法包括：通过对待测器件进行栅漏间电压测试，提取待测器件的多个测试电压；采用中位秩估计法计算多个测试电压的累积分布函数；将累积分布函数进行线性拟合得到累积分布函数拟合图；根据累积分布函数拟合图中偏离线性区域的缺陷点数，计算待测器件的缺陷栅极密度，并根据缺陷栅极密度评估待测器件肖特基结的可靠性。本发明实施例在对测试电压进行线性拟合得到对应的累积分布函数拟合图后，根据累积分布函数拟合图来计算待测器件的缺陷密度，从而根据该缺陷密度评估待测器件肖特基结的可靠性，能够准确对待测器件的肖特基结的缺陷进行评估，进而能够有效提高肖特基结可靠性评估的准确性。
一种肖特基结可靠性评估方法装置

[发明专利]集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法-CN201710997850.7在审
发明人：徐承福;朱阳军 -专利权人：贵州芯长征科技有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成肖特基结的超结MOSFET结构及其制备方法，其利用第二导电类型第一柱、第二导电类型第二柱与第一导电类型漂移层能形成所需的超结结构，源极金属通过第一欧姆接触孔与第二导电类型第一体区以及位于所述第二导电类型第一体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过第二欧姆接触孔与第二导电类型第二体区以及位于所述第二导电类型第二体区内的第一导电类型体区欧姆接触，源极金属通过肖特基接触孔与第一导电类型漂移层形成肖特基结，从而实现在超结MOSFET结构内实现肖特基结的集成，在降低导通的同时，能进一步提高超结MOSFET器件的开关速度以及反向恢复速度。
集成肖特基结 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]一种Ti3-CN202110865349.1在审
发明人：侯慧林;杨雯翔;王霖;杨为佑 -专利权人：宁波工程学院
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J21/06 文献下载
摘要：base:Sub>3C2MXene@TiO2/CuInS2肖特基/S型集成异质结光催化材料及其制备方法和应用。base:Sub>3C2MXene@TiO2/CuInS2肖特基/S型集成异质结光催化材料具有手风琴状/纳米片/纳米颗粒结构，可有效地应用在光催化分解水产氢中，具有高效性和稳定性。
一种 ti base sub

[发明专利]4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201410333652.7在审
发明人：曹琳 -专利权人：西安永电电气有限责任公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管包括：4H-SiC衬底；位于衬底上的第一4H-SiC外延层，第一4H-SiC外延层上方形成有浮结层；位于第一4H-SiC外延层和浮结层上的第二4H-SiC外延层；位于第二4H-SiC外延层上的结势垒区、结终端扩展及场限环；位于结终端扩展和场限环上方的SiO₂层、以及位于部分SiO₂层上的场板，场板中间形成肖特基接触窗口；位于衬底背面的欧姆接触的阴极、以及位于肖特基接触窗口内肖特基接触的阳极。本发明改善了4H-SiC浮结肖特基势垒二极管反向漏电流大的问题，同时，将传统高温离子注入工艺形成浮结结构的方法改变为刻蚀外延工艺，解决了离子注入产生晶格损伤导致器件性能下降的问题，有效提升了器件性能。
sic 浮结结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]具有周边电容阱结的肖特基势垒二极管-CN201180035318.8有效
发明人： F·G·安德森;J·E·拉里;R·M·拉塞尔;M·E·施帝哈姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管包括第一类型衬底（100）；第二类型阱隔离区（102），其在所述第一类型衬底上；以及第一类型阱区（110），其在所述第二类型阱隔离区上。对于在此的实施例，称为周边电容阱结环（106）的特征在所述第二类型阱隔离区上。第二类型阱区（104）在所述第二类型阱隔离区上。所述周边电容阱结环为位于所述第一类型阱区和所述第二类型阱区之间并将其分离。第二类型接触区（108）在所述第二类型阱区上，且第一类型接触区（112）接触所述第一类型阱区的内部部分。所述第一类型阱区的内部部分位于所述第一类型接触区的中心内。此外，第一欧姆金属层（124）为在所述第一类型接触区上，且第二欧姆金属层（126）在所述第一类型阱区上。所述第一欧姆金属层在构成所述肖特基势垒二极管的肖特基势垒的结处接触所述第二欧姆金属层。
具有周边电容肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件及制备方法-CN202310227240.4在审
发明人：王新中;李轩;娄谦;杨正羽;梁军;岳德武;王卓;张波 -专利权人：深圳信息职业技术学院
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基结辅助耗尽镇流电阻的碳化硅MOSFET器件，通过在N+源区与反型沟道之间引入镇流电阻区及肖特基接触，实现镇流电阻区耗尽自调节：阻断状态时，镇流电阻区上方的肖特基/碳化硅接触界面电场较小，实现低泄漏电流及高击穿电压；正向导通时，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触部分耗尽，电子从N+源区通过未耗尽的中性区输运到反型沟道；短路状态时，镇流电阻区的电位随着电子电流增加而增加，镇流电阻区被下方P型基区及上方肖特基接触耗尽程度显著提升，镇流电阻区内中性区面积迅速缩小，电子电流显著降低。
肖特基结辅助耗尽流电碳化硅 mosfet 器件制备方法

[发明专利]一种集成SBD的超结MOSFET-CN202010831004.X有效
发明人：罗小蓉;黄俊岳;宋旭;郗路凡;魏杰;戴恺纬;张森 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。
一种集成 sbd mosfet

[发明专利]反向阻断高迁移率晶体管-CN202111518536.9有效
发明人：刘丹 -专利权人：晶通半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种反向阻断高迁移率晶体管，包括自下而上依次为衬底层、以及设置在所述衬底层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层之间设置有若干P型半导体层，所述肖特基接触层与所述异质结结构层环绕所述P型半导体层之间形成肖特基接触，漏电极制备在所述P型半导体层与所述肖特基接触层的接触面。漏电极的图案化P型半导体区域形成结势垒，以分配高阻断电压和低泄漏电流的电场，从而在单一器件实现晶体管的反向电压阻断能力。
反向阻断迁移率晶体管

[发明专利]热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统-CN202111622924.1在审
发明人：李渊;刘然;刘盛洪;李少华;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了热载流子注入型单像素光电探测器件、制备方法及系统。所述方法包括：在衬底表面沉积金属，并退火形成金属纳米颗粒；采用化学气相沉积法在金属纳米颗粒表面形成二维半导体层，形成陡峭且具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结；在所述半导体层上制备栅极、栅介质层、源级和漏极，得到所述热载流子注入型单像素光电探测器件。本发明中形成了具有清洁界面的金属‑半导体肖特基异质结，在光照下，金属纳米颗粒的局域表面等离激元发生非辐射衰减产生热载流子，越过金属‑半导体之间的肖特基势垒注入半导体，实现热载流子皮秒级别的超快传输和对入射光的超快响应
载流子注入像素光电探测器件制备方法系统

[发明专利]一种功率MOSFET器件及其制造方法-CN201010246614.X有效
发明人：李亦衡;丁永平;陈军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及的功率MOSFET器件，能在同一个接触沟道中不同部位选择性沉积不同功函数的导电材料，从而形成不同部位各自优化的金属-半导体接触特性：在接触沟道的侧壁和底部角沉积导电材料与P-型重掺杂的体区接触形成欧姆结；在接触沟道的底部中间区域沉积另一导电材料与轻掺杂的N-型外延层接触形成肖特基结，以分别保证发挥器件性能所要求的欧姆结电阻小和良好肖特基结整流特性。同时，使P-型重掺杂的硅包围导接触沟道的底部角落，形成N-P-M结构因而有效降低接触沟道角落处的聚集漏电流。
一种功率 mosfet 器件及其制造方法