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[发明专利]包括集成的标准单元结构的集成电路-CN202010940222.7在审
发明人：白尚训;姜明吉;朴在浩;李昇映 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括第一有源区和第二有源区、在第一有源区和第二有源区上的第一标准单元和第二标准单元以及在第一标准单元和第二标准单元之间并包括第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物的填充单元。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物彼此间隔开所述一个节距的尺寸。填充单元的第一绝缘隔离物设置在第一标准单元和填充单元之间的第一边界处。填充单元的第二绝缘隔离物设置在第二标准单元和填充单元之间的第二边界处。第一绝缘隔离物和第二绝缘隔离物将第一有源区的至少一部分分隔开，并将第二有源区的至少一部分分隔开。
包括集成标准单元结构集成电路

[发明专利]多晶硅电阻器结构制造方法以及多晶硅电阻器结构-CN201410097595.7有效
发明人：高超;江红;王哲献 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在绝缘层形成控制栅极层和氮化硅层，刻蚀氮化硅层以在氮化硅层中形成凹槽；进行刻蚀从而在绝缘层中形成与凹槽的位置相对应的绝缘层凹槽，并在绝缘层凹槽两侧的剩余控制栅极上形成第一隔离物侧壁；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁以及绝缘层凹槽上形成第二隔离物层；对第二隔离物层进行刻蚀，仅留下绝缘层凹槽侧壁上的第二隔离物层以形成第二隔离物侧壁；在剩余的氮化硅层、第一隔离物侧壁、第二隔离物侧壁及绝缘层凹槽上形成第一多晶硅层；刻蚀第一多晶硅层，至少去除剩余的氮化硅层表面的第一多晶硅层
多晶电阻器结构制造方法以及

[发明专利]紫外线或电子束固化的聚合物粘结的陶瓷颗粒锂二次电池隔离物及其制备方法-CN201580045130.X有效
发明人： J·阿诺德;G·E·弗尔克;J·法索罗;帕特里克·拉登 -专利权人：米尔泰克紫光国际有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01M50/446 文献下载
摘要：本发明提供了可加强并保护隔离物并且提高使用此类隔离物的电化学装置的操作安全性的多孔、电绝缘和耐电化学的表面涂层，多孔、电绝缘和耐电化学的独立式隔离物，紫外线(UV)或电子束(EB)可固化粘结剂用于将电绝缘的多孔陶瓷颗粒涂层固定在隔离物上或产生独立式隔离物的用途，以及通过对反应性液态树脂和陶瓷颗粒的浆料进行紫外线或电子束固化来制备聚合物粘结的陶瓷颗粒隔离物涂层、隔离物和电化学装置的方法。
紫外线电子束固化聚合物粘结陶瓷颗粒二次电池隔离及其制备方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201811189098.4在审
发明人：千叶亮 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：通过抑制隔离物的侧面的蚀刻来抑制存储器单元中的数据劣化。半导体装置具备存储器单元，所述存储器单元包含：浮栅，经由第一绝缘膜设置在半导体基板上，在一端侧具有尖锐部；隔离物，设置在浮栅上；第二绝缘膜，设置在浮栅与隔离物之间，并且覆盖隔离物的一端侧的侧面；以及控制栅，经由第三绝缘膜与浮栅的一端侧的侧面相接，并且经由第二绝缘膜和第三绝缘膜与隔离物的一端侧的侧面相接。
半导体装置绝缘膜隔离物浮栅存储器单元侧面蚀刻半导体基板覆盖隔离尖锐部控制栅劣化制造

[发明专利]紫外线或电子束固化的聚合物粘结的陶瓷颗粒锂二次电池隔离物及其制备方法-CN202110290836.X在审
发明人： J·阿诺德;G·E·弗尔克;J·法索罗;帕特里克·拉登 -专利权人：米尔泰克紫光国际有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01M50/446 文献下载
摘要：本申请涉及一种紫外线或电子束固化的聚合物粘结的陶瓷颗粒锂二次电池隔离物及其制备方法，提供了可加强并保护隔离物并且提高使用此类隔离物的电化学装置的操作安全性的多孔、电绝缘和耐电化学的表面涂层，多孔、电绝缘和耐电化学的独立式隔离物，紫外线(UV)或电子束(EB)可固化粘结剂用于将电绝缘的多孔陶瓷颗粒涂层固定在隔离物上或产生独立式隔离物的用途，以及通过对反应性液态树脂和陶瓷颗粒的浆料进行紫外线或电子束固化来制备聚合物粘结的陶瓷颗粒隔离物涂层、隔离物和电化学装置的方法。
紫外线电子束固化聚合物粘结陶瓷颗粒二次电池隔离及其制备方法

[发明专利]离子束辐照装置和用于该装置的绝缘隔离物-CN200510008459.7无效
发明人：伊东克己;前川和也;武内悦雄;矢岛信男;佐藤顺一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2005-02-21 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：设置在离子束辐照装置的栅格之间的绝缘隔离物的替换频率将被减小。另外，在离子束辐照装置中的多个栅格的间隔将被保持恒定。为了得到这些目的，在用于保持栅格之间绝缘的所谓绝缘隔离物中，在绝缘隔离物的侧面的中心部分上沿着其整个周围提供具有溅射材料很难附着的底部的沟槽部分。
离子束辐照装置用于绝缘隔离

[实用新型]一种三芯型氟塑料聚合物耐高温阻燃电缆-CN201420017476.1有效
发明人：杨德华;周万华;徐善清;朱汝其;于振明;董学春;朱道德;张俊 -专利权人：安徽瑞升电气科技有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01B3/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三芯型氟塑料聚合物耐高温阻燃电缆，包括三根导体，三根导体外分别包覆氟塑料聚合物绝缘层构成绝缘线芯，绝缘线芯之间设有截面为Y型的隔离垫，隔离垫中设有Y型的支撑带，绝缘线芯与隔离垫共同构成缆芯，缆芯外包覆有聚四氟乙烯车削薄膜带和尼龙带编织成网状的包覆层，包覆层外侧依次设有屏蔽层、隔离层、氟塑料聚合物护套层。本实用新型结构设计新颖，选择氟塑料聚合物绝缘层和护套层，通过隔离垫将绝缘线芯隔离开，隔离垫中设计有支撑带结构，提高了电缆的机械性能，包覆层的设计保证结构紧凑性，延长使用寿命。
一种三芯型氟塑料聚合物耐高温阻燃电缆

[发明专利]一种快闪存储器的制造方法-CN201410466643.5有效
发明人：于法波;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器的制造方法，包括在半导体衬底上刻蚀有源区和隔离区，半导体衬底由基底、牺牲层和掩模层依次层叠而成，在回刻掩模层和刻蚀牺牲层后的基底上形成衬垫层得到圆滑转角的半导体结构，在圆滑转角的半导体结构上形成绝缘层，在绝缘层上形成隔离氧化物层以填满所述隔离区，部分移除隔离氧化物层和绝缘层直到隔离氧化物层和绝缘层与掩模层平齐为止，去除位于有源区的掩模层，露出与掩模层接触的牺牲层和部分绝缘层，去除露出的牺牲层和部分绝缘层露出有源区的基底，在露出的有源区的基底上依次形成隧道氧化物层和浮栅层。本发明能够防止隔离区的隔离氧化物对隧道氧化物和衬垫层的影响，从而提高快闪存储器的数据保持特性。 1
绝缘层掩模层隔离氧化物基底源区快闪存储器隔离区牺牲层半导体结构圆滑转角衬垫层衬底去除半导体数据保持特性隧道氧化物层刻蚀牺牲层隧道氧化物依次层叠浮栅层回刻刻蚀平齐填满移除制造

[发明专利]一种快闪存储器的隔离绝缘膜及其制作方法-CN201410161669.9在审
发明人：于法波;舒清明 -专利权人：上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器的隔离绝缘膜及其制作方法，所述快闪存储器的隔离绝缘膜的制作方法包括：形成依次由衬底、栅极氧化物层、浮栅多晶硅层以及掩膜氮化物层组成的叠层结构；在所述叠层结构中形成浅沟道隔离区；在所述浅沟道隔离区的内壁上形成衬底氧化物层；通过旋涂方式在所述衬底氧化物层以及所述掩膜氮化物层上形成隔离绝缘膜；依次对所述隔离绝缘膜进行第一湿法处理和第二湿法处理。
一种闪存隔离绝缘及其制作方法

[发明专利]半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件-CN202110577656.X有效
发明人：李强;刘维;张海宇;杨彦刚;左义忠;姜明宝 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件终端结构、制造方法及半导体器件，半导体器件终端结构包括：屏蔽栅沟槽，屏蔽栅沟槽内侧覆盖有第一绝缘氧化物层并设置有第一多晶硅；隔离沟槽，隔离沟槽中设置有第二绝缘氧化物层，隔离沟槽中的第一绝缘氧化物层与屏蔽栅沟槽中的第二绝缘氧化物层连通通过在终端处相邻两个屏蔽栅沟槽之间设置填充有绝缘氧化材料的隔离沟槽，隔离沟槽将屏蔽栅沟槽界定出的外延层区隔离开，可以使靠近隔离沟槽的有源区内的外延层区和有源区深处的外延层区具有基本相同的电场分布，从而有效提高终端结构的最高耐压
半导体器件终端结构制造方法

[发明专利]隔离沟槽的填充方法、设备及隔离沟槽的填充结构-CN201710676374.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一介质旋转涂布装置；装载一表面刻蚀有隔离沟槽的晶圆于介质旋转涂布装置中；在介质旋转涂布装置中，旋涂方式形成绝缘介质前驱物于晶圆表面，以填充隔离沟槽；以及，在介质旋转涂布装置中，对旋涂后的晶圆进行烘烤退火，以将绝缘介质前驱物经氧化反应而转变成绝缘介质；其中，在前述旋涂形成过程与前述烘烤退火过程中，介质旋转涂布装置提供臭氧阻隔(O3free)环境，使得绝缘介质填满隔离沟槽且其内部无气泡产生，并且绝缘介质前驱物在隔离沟槽中的转换效率在90％以上。有效减小甚至消除隔离沟槽中的空洞，减少填充次数，降低成本。本发明还公开一种隔离沟槽的填充设备，以及一种隔离沟槽的填充结构。
隔离沟槽旋转涂布装置填充绝缘介质前驱物烘烤晶圆旋涂绝缘介质填满填充隔离沟槽退火表面刻蚀晶圆表面气泡产生填充设备退火过程氧化反应转换效率臭氧对旋减小装载阻隔空洞

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310100368.0有效
发明人：吉川俊英 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供化合物半导体及其制造方法。本发明提供一种AlGaN/GaN HEMT，其包括化合物半导体堆叠结构；在化合物半导体堆叠结构上界定元件区的元件隔离结构；形成在元件区上而不形成在元件隔离结构上的第一绝缘膜；至少形成在元件隔离结构上并且氢含量高于第一绝缘膜的氢含量的第二绝缘膜；以及通过第二绝缘膜形成在化合物半导体堆叠结构的元件区上的栅电极。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]有撕裂口的硅橡胶自粘带-CN201310284065.9有效
发明人：李彩霞;吉永红 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本发明涉及硅橡胶自粘带，具体为一种有撕裂口的硅橡胶自粘带，解决了硅橡胶自粘带绝缘包扎不方便的问题。有撕裂口的硅橡胶自粘带，包括设于带子间的薄膜隔离物，薄膜隔离物的两侧边缘间隔开有撕裂口，且两侧边缘的撕裂口一一对应，撕裂口为一字形或者锯齿形，在使用硅橡胶自粘带进行零部件的绝缘包扎处理时，可根据零部件绝缘包扎程度的需要，从薄膜隔离物一侧边缘的撕裂口撕掉合适长度的隔离物，然后用硅橡胶自粘带进行绝缘包扎，而不需要变包扎边剪断薄膜隔离物，或者直接将硅橡胶自粘带剪成条状，极大的简化的绝缘包扎的过程，提高了效率。
撕裂硅橡胶

[发明专利]一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法-CN202310255469.9有效
发明人：吴豪;王书典;尹周平;谢斌;徐洲龙 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制造技术领域，公开了一种基于气动直写工艺的晶圆浅沟道聚合物填充固化方法，步骤包括：对晶圆浅沟道通过激光扫描测定其几何特征；基于几何特征，在晶圆浅沟道的各沟道交叉处先填充一层绝缘隔离聚合物并利用点阵热源加热定形；在各沟道交叉处之间的未填充区填充绝缘隔离聚合物，直至使晶圆浅沟道内先后填充的绝缘隔离聚合物的高度保持平齐，然后利用点阵热源对先后填充的绝缘隔离聚合物全部加热固化；重复前述步骤，直至将晶圆浅沟道完全填充平整本发明能将快速高效地将绝缘隔离填充物质按照规划路径高速直写填充到晶圆浅沟道中，并且在填充过程中能精细控制填充量，节约填充成本。
一种基于气动工艺晶圆浅沟道聚合物填充固化方法

[实用新型]有撕裂口的硅橡胶自粘带-CN201320403016.8有效
发明人：李彩霞;吉永红 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C09J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅橡胶自粘带，具体为一种有撕裂口的硅橡胶自粘带，解决了硅橡胶自粘带绝缘包扎不方便的问题。有撕裂口的硅橡胶自粘带，包括设于带子间的薄膜隔离物，薄膜隔离物的两侧边缘间隔开有撕裂口，且两侧边缘的撕裂口一一对应，撕裂口为一字形或者锯齿形，在使用硅橡胶自粘带进行零部件的绝缘包扎处理时，可根据零部件绝缘包扎程度的需要，从薄膜隔离物一侧边缘的撕裂口撕掉合适长度的隔离物，然后用硅橡胶自粘带进行绝缘包扎，而不需要变包扎边剪断薄膜隔离物，或者直接将硅橡胶自粘带剪成条状，极大的简化的绝缘包扎的过程，提高了效率。
撕裂硅橡胶

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