[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。通过抑制隔离物的侧面的蚀刻来抑制存储器单元中的数据劣化。半导体装置具备存储器单元，所述存储器单元包含：浮栅，经由第一绝缘膜设置在半导体基板上，在一端侧具有尖锐部；隔离物，设置在浮栅上；第二绝缘膜，设置在浮栅与隔离物之间，并且覆盖隔离物的一端侧的侧面；以及控制栅，经由第三绝缘膜与浮栅的一端侧的侧面相接，并且经由第二绝缘膜和第三绝缘膜与隔离物的一端侧的侧面相接。

主权项

1.一种半导体装置，其中，具备存储器单元，所述存储器单元包含：浮栅，经由第一绝缘膜设置在半导体基板上，在一端侧具有顶端尖的尖锐部；隔离物，设置在所述浮栅上；第二绝缘膜，设置在所述浮栅与所述隔离物之间，并且覆盖所述隔离物的所述一端侧的侧面；以及控制栅，经由第三绝缘膜与所述浮栅的所述一端侧的侧面相接，并且经由所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜与所述隔离物的所述一端侧的侧面相接。