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[发明专利]氮化合物系半导体装置及其制造方法-CN200580005185.4无效
发明人：岛本敏孝;川口靖利;长谷川义晃;石桥明彦;木户口勋;横川俊哉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
氮化合物系半导体装置及其制造方法

[发明专利]U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管-CN201911357262.2在审
发明人：杨鑫;关永莉;米洪龙;吴小强;杨杰;申江涛;陕志芳;樊明明 -专利权人：山西飞虹微纳米光电科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种U型GaN层的生长方法、U型GaN层和半导体晶体管，属于半导体生产领域。包括：S1，采用GaN材料在衬底上纵向生长，得到初始U型GaN层；S2，在初始U型GaN层上由3D纵向生长向2D横向生长过渡，得到U型GaN过渡层；S3，在U型GaN过渡层上横向生长；S4，在S3得到的U型GaN层上继续横向生长，使生长得到的U型GaN层的表面平整。本发明通过在纵向生长与横向生长之间增加由3D纵向生长向2D横向生长过渡的阶段，使得由纵向生长到横向生长是慢慢过渡的，并通过调整生长过程中MOCVD设备的各项参数，提高了晶体质量、位错密度及内量子效率，使得生长得到的
gan 生长方法半导体晶体管

[发明专利]一种用于造林绿化的树木固定保护装置-CN202310571685.4在审
发明人：高宪瑞;宋军;邹永;李凡鹏;李萍 -专利权人：高宪瑞
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： A01G17/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于造林绿化的树木固定保护装置，涉及树木固定保护技术领域，包括，底板、限位杆和外壳，底板的上表面与限位杆的下表面相固定连接，限位杆的侧面通过贯穿外壳下表面的通孔与外壳相滑动连接，还包括抵爪，用于抵住树干，固定机构、横向生长机构和纵向生长机构，固定机构通过固定住树干，然后随着树木的横向生长而带动横向生长机构运动，横向生长机构运动带动纵向生长机构运转，提示机构，用于提示工作人员树木的生长情况，调节机构，调节机构铰接在外壳的下表面上，用于调节纵向生长机构纵向调节的速率，保护机构，用于保护树干，解决了现如今固定装置无法自适应树苗的横向生长和纵向生长的问题。
一种用于造林绿化树木固定保护装置

[发明专利]一种半导体器件薄膜结构及制备方法-CN202211225080.1有效
发明人：洪学天;王尧林;林和;牛崇实;陈宏 -专利权人：弘大芯源（深圳）半导体有限公司;晋芯电子制造（山西）有限公司;晋芯先进技术研究院（山西）有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件薄膜结构及制备方法，包括：砷化镓衬底层：在半导体器件薄膜结构的最底层，通过飞秒激光纵向微加工形成纵向凹槽区，并通过横向切割形成横向分割区，获得砷化镓衬底层；氮化镓生长层：在砷化镓衬底层表面，通过异质分子束外延法生长氮化镓生长层；纵向P型沟道及N型栅极层：在氮化镓生长层上的纵向凹槽内进行P型氮化镓沟道生长，并在纵向P型氮化镓沟道面两侧各沉积一个纵向N型氮化镓凸台，最终形成纵向P型沟道及N型栅极层；金属电极薄膜层：在纵向P型沟道及N型栅极层上，通过真空环境蒸发淀积与电镀工艺形成鉻‑铜‑金多层导电层，获得金属电极薄膜层；并最终形成鉻‑铜‑金多层薄膜金属化半导体器件薄膜结构。
一种半导体器件薄膜结构制备方法

[发明专利]多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法-CN201510659806.6在审
发明人：卢纪军;包文东;李苏滨;惠峰;李雪峰;柳廷龙;李武芳;周一;杨海超;候振海;朱大清;董汝昆;何永彬;田东;马会宇;肖祥江;杨小瑞;祝永成 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，涉及砷化镓多晶，尤其是一种通过磁场诱导漩涡控制砷化镓单晶生长，提高砷化镓单晶生长效率的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，该生长方法利用多室砷化镓单晶生长炉进行合成，多室砷化镓单晶生长炉包括四个独立的炉室和与炉室配套的纵向磁场装置，炉室嵌套在纵向磁场装置中，四个炉室的纵向磁场装置通过导线连成一体，砷化镓多晶在生长过程中，通过磁场装置产生诱导漩涡，利用诱导漩涡控制单晶生长。本发明的多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法，实现多炉室同步的单晶生长，提高了单晶生长效率；使新长晶体遗传了晶种的完美结构，提高晶体质量。
多室砷化镓单晶生长及其方法

[发明专利]一种大棚垄栽草莓生长状态监测装置及方法-CN202310629491.5在审
发明人：梁正龙;林亚萍;李娜;牛力群;王燕;安宗文 -专利权人：兰州理工大学;苏州市康绿农产品发展有限公司;平凉职业技术学院（平凉体育运动学校）
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大棚垄栽草莓生长状态监测装置及方法，包括立柱、横向导轨和纵向导轨；所述立柱用来支撑横向导轨；所述纵向导轨的两端安装在横向导轨上，所述纵向导轨能够沿横向导轨横向移动；所述纵向导轨上设置有相机模块；所述相机模块能够沿纵向导轨纵向移动；所述相机模块用来拍摄大棚内植物生长状态的照片。本发明装置利用电机控制单目像机对大棚垄栽草莓进行拍照，本发明方法利用训练好的深度神经网络对草莓的生长状态进行判定，根据电机的运行数据对发生病害的草莓位置进行准确定位。
一种大棚草莓生长状态监测装置方法

[发明专利]一种HEMT外延结构及其制备方法-CN201910035233.8有效
发明人：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：纳米镍层的材料活性较高，可在衬底上良好生长，并且AlN层也可在纳米镍层上良好生长，在衬底上直接生长的纳米镍层可起到良好的连接衬底与AlN层的作用，有利于提高在纳米镍层上生长的AlN层的质量。而由于多个岛状结构的存在，岛状结构上存在一定的坡度，AlN层在衬底上逐渐向远离衬底的第一表面的方向纵向生长时，AlN层会同时朝向平行第一表面的方向横向生长。AlN层在纵向生长与横向生长时，会在AlN层内产生不同方向的位错缺陷，AlN层纵向生长时产生的部分位错缺陷会与AlN层横向生长时产生的部分位错缺陷相抵消，缺陷的减少可提高AlN层的晶体质量，提高最终得到的
一种 hemt 外延结构及其制备方法

[发明专利]用于促进纵向骨骼生长的包含L-精氨酸和无梗五加提取物的组合物-CN201580026746.2有效
发明人：金护哲;金智暎;朴珠妍;权容凡;宋美庚;李东宪 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： A61K31/198 文献下载
摘要：本公开提供了一种用于促进纵向骨骼生长的组合物，其含有L‑精氨酸无梗五加提取物作为活性成分。本公开的组合物显示促进纵向骨骼生长的效果。
用于促进纵向骨骼生长包含精氨酸五加提取物组合

[发明专利]CoolMOS的纵向区的制造方法-CN200910057736.1有效
发明人：刘远良;张帅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种CoolMOS的纵向区的制造方法，将CoolMOS的纵向区分为两部分，先采用一次或多次外延生长+离子注入工艺制造一部分高度的纵向区，再采用外延生长+沟槽刻蚀+外延淀积填充工艺制造剩余部分高度的纵向区，最终形成完整高度的纵向区。本发明具有较高的工艺效率，且纵向区中不会存在空洞。
coolmos 纵向制造方法

[发明专利]促进木本植物茎生长基因TcSG及其编码蛋白和用途-CN201510054641.X有效
发明人：邱德有;李艳艳;杨艳芳;邵芬娟 -专利权人：中国林业科学研究院林业研究所
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C07K14/415 文献下载
摘要：本发明提供了一种促进木本植物茎生长(纵向和横向生长)基因TcSG及其编码蛋白，本发明还公开了这种促进木本植物茎生长(纵向和横向生长)基因的用途，尤其在木本植物改良中用于增加木本植物植株的高度、节间的长度和茎的粗度
促进木本植物生长基因 tcsg 及其编码蛋白用途

[发明专利]植生带和使用该植生带制作的植生网-CN201610489096.1在审
发明人：秦立顺 -专利权人：安阳市三水科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本发明之目的就是提供一种植生带，目的在于解决传统的植生带所粘附草籽容易脱落且对于草籽生长不利环境的地段发芽率较低，无法形成生态保护的问题，包括设有空腔的生长带，生长带上均匀设置与空腔连通的孔眼，所述的孔眼用于草籽的根系和枝叶伸出生长带外；还已提供一种植生网包括纵向和横向的多个生长带，各横向生长带和各纵向生长带交织成网状结构，本发明可以实现对草籽有力保留，且草籽的生长不受生长带的影响，并可在空腔内填装植生土，以保证草籽即使在恶劣环境也能生长
植生带使用制作植生网

[实用新型]植生带和使用该植生带制作的植生网-CN201620660589.2有效
发明人：秦立顺 -专利权人：安阳市三水科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： A01G9/02 文献下载
摘要：本实用新型之目的就是提供一种植生带和使用该植生带制作的植生网，目的在于解决传统的植生带所粘附草籽容易脱落且对于草籽生长不利环境的地段发芽率较低，无法形成生态保护的问题，包括设有空腔的生长带，生长带上均匀设置与空腔连通的孔眼，所述的孔眼用于草籽的根系和枝叶伸出生长带外；还已提供一种植生网包括纵向和横向的多个生长带，各横向生长带和各纵向生长带交织成网状结构，本实用新型可以实现对草籽有力保留，且草籽的生长不受生长带的影响，并可在空腔内填装植生土，以保证草籽即使在恶劣环境也能生长，增强了植生带的适用性。
植生带使用制作植生网

[实用新型]一种园林景观管控装置-CN202021241318.6有效
发明人：孔德金;阎兵 -专利权人：南京锦江园林景观有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H05B47/19 文献下载
摘要：本实用新型涉及园林景观领域，公开了一种园林景观管控装置，其技术方案要点是包括底座、纵向支撑杆、横向支撑杆、生长灯、湿度感应器；所述纵向支撑杆的底端与所述底座固定连接，所述纵向支撑杆的顶端与所述横向支撑杆连接，所述横向支撑杆的一端配置有所述生长灯，所述底座、所述生长灯、所述横向支撑杆至少一部件上配置有无线通信模块，所述生长灯和所述湿度感应器均与所述无线通信模块连接，所述湿度感应器埋于管控区域的土壤中，所述无线通信模块与远程控制中心无线通信连接，能够远程接收到土壤湿度情况，方便及时对植被进行处理，还能远程控制生长灯开启，辅助植物生长。
一种园林景观装置

[发明专利]一种氮化物外延生长过程中薄膜纵向温度场的测量装置及方法-CN201810061935.9有效
发明人：王超;段英;姜晶;胡俊;张泽展;杨洋;苟学科;吴从均 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明针设计了一种针对氮化物外延生长过程中薄膜纵向温度的测量方案，属于半导体测量技术领域。外延生长技术是现在制备氮化物材料最有效的方法之一，其在生长过程中的温度制约着器件的性能，且由于复杂严格的薄膜生长反应环境，直接用热电偶测量难度较大。一般采用非接触式测温法测量基底石墨盘温度，但是由于基底温度很高，导致薄膜梯度生长过程中纵向温度梯度较大，从而无法对外延薄膜生长情况进行精确控制。本发明分别采用紫外与红外辐射测温方法测量了外延层表面的温度和衬底底面石墨盘的温度，采用有限元仿真的方法对衬底底面到外延层表面进行了热场分析，得到了从衬底到外延层的纵向温度场，为氮化物生长过程中温度的调控提供了有利依据
生长过程氮化物外延外延层表面薄膜生长薄膜纵向衬底底面石墨盘温度场半导体测量技术非接触式测温外延生长技术纵向温度梯度热电偶测量制备氮化物测量装置反应环境方法测量红外辐射热场分析温度制约测量基氮化物外延层测温衬底基底薄膜测量调控

[实用新型]一种简易生态甲鱼塘蔬菜水培装置-CN201621092669.9有效
发明人：黄昊洋;唐醒;吴传平;徐汉 -专利权人：长沙隆平有机农业有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A01G31/06 文献下载
摘要：一种简易生态甲鱼塘蔬菜水培装置，包括育苗管、横向支撑杆、纵向支撑杆和卡扣，育苗管由数根管状物构成，横向支撑杆和纵向支撑杆由数根柱状物或条状板块构成，横向支撑杆和纵向支撑杆栅栏式固定连接，育苗管和纵向支撑杆通过卡扣固定连接本实用新型结构简单，节约成本，用材环保，能支撑水培蔬菜的生长，防止水体污染，又能保持甲鱼健康生长。
一种简易生态甲鱼蔬菜水培装置

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