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[实用新型]一种浸入式铁水双取样取样器-CN201821240596.2有效
发明人：王培秀 -专利权人：沧州麒润探测仪器有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01N1/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浸入式铁水双取样取样器，包括砂体、前管和尾管，砂体压入前纸管内，前纸管与尾管通过固定胶固定粘接，砂体内设有第一取样盒和第二取样盒，第一取样盒的进水口设有第一石英管，第一石英管上设有第一纸帽，第二取样盒的进水口设有第二石英管，第二石英管上设有第二纸帽。砂体采用覆膜砂，覆膜砂内有机成分吸热融化，此时覆膜砂变得透气性好、散热快，取样后，样剂可快速散热冷却成型，形成白口铁，且可同时取出两种不同形状的铁样供光谱仪分析其成分，由于铁水快速降温成型，制得样剂的检测结果能够更加精确反映钢水的实际情况，且可同时对两种形状的铁样进行对比分析，使检验的结构更加精确，提高工作效率。
取样盒石英管铁水覆膜砂取样砂体进水口浸入式取样器铁样尾管纸管纸帽吸热本实用新型光谱仪分析对比分析工作效率固定粘接检测结果快速降温快速散热冷却成型透气性好钢水白口铁固定胶散热前管压入成型融化取出体内检验

[发明专利]一种基于铁电单晶薄膜的β辐射伏特效应的电池转能器件及其制备方法-CN202111375850.6在审
发明人：宋志雄;杨帆;陈恒;江正明;王凯先 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G21H1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种基于铁电单晶薄膜的β辐射伏特效应的电池转能器件及其制备方法，所述电池转能器件包括上电极层、铁电单晶薄膜层和基片层；其中，所述上电极层、铁电单晶薄膜层和基片层依次相连设置。本发明首次将铁电单晶薄膜应用到β辐射伏特效应电池中，铁电材料由于自发极化会在内部形成电场，电场强度比传统的p‑n结内建电场高一个数量级，电压输出较p‑n结型转能器件高几个数量级。采用铁电单晶薄膜结构，能够在很大程度上提升电流输出。
一种基于铁电单晶薄膜辐射伏特效应电池器件及其制备方法

[发明专利]利用沉积法制备铁电单晶膜结构的方法-CN03825647.9有效
发明人：殷宰焕;李相救;金炯俊;金珉灿 -专利权人：伊布勒光子学公司
申请日： 2003-07-14 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：通过在可选地抛光成具有离轴晶体结构的由硅或铁电单晶制成的衬底上形成具有钙钛矿晶体结构的电极层，并且通过脉冲激光沉积(PLD)或金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)在其上外延生长铁电单晶层制备了一种铁电单晶的膜结构，在高性能电动和电子部件和器件的制造中可以有利地使用所述铁电单晶的膜结构。
利用沉积法制备铁电单晶膜结构方法

[发明专利]一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法-CN202010817201.6有效
发明人：马淑龙;马飞;王治峰;康剑;周伟;丛江波;孙艳粉;孔祥魁;张积礼;倪高金 -专利权人：北京金隅通达耐火技术有限公司;巩义通达中原耐火技术有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法。主要包括以下原料：单晶相莫石均质料70‑90％，蓝晶石粉5‑27％，活性ρ‑Al2O3粉3‑7％；外加占上述原料总重量本发明创新性的将单晶莫来石与蓝晶石细粉及活性ρ‑Al2O3相结合，制备得到单晶相莫来石。该单晶相莫来石无刚玉相和石英相的存在，其铝含量接近焦宝石的铝含量，但是结构更加致密，并且无石英相存在，具有耐火度高、膨胀系数低、耐磨损、抗热震稳定性优良，在水泥窑中使用，能够大大延长水泥窑的使用寿命。
一种水泥窑用单晶相莫来石砖及其制备方法

[发明专利]多铁性Fe3-CN202211109927.X在审
发明人：唐平;欧阳辉;曹明;余健;华琼新;段兴凯 -专利权人：九江学院
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：一种多铁性Fe3O4@BiFeO3纳米颗粒膜及制备方法和应用，该多铁性Fe3O4@BiFeO3纳米颗粒膜通过旋涂法成型于单晶硅衬底的表面上，由下至上依序包括base:Sub>3缓冲层、Fe3O4@BiFeO3颗粒膜层和本发明中，通过采用单晶硅为衬底，以及旋涂法，从而提高效率和降低成本低，且通过旋涂法能够方便地调控磁性纳米颗粒的粒径、含量、形貌以及BiFeO3薄膜的厚度等结构因素
多铁性 fe base sub

[发明专利]蓝晶石精矿低温制备高纯莫来石单晶的方法-CN201310039805.2有效
发明人：郭爱红;牛福生;白丽梅;田力男 -专利权人：河北联合大学
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种莫来石单晶的制备方法，具体涉及一种利用蓝晶石精矿为原料低温制备高纯莫来石单晶的方法。旨在提供一种节能降耗、高产率、高纯度、低温环保莫来石单晶生产方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)将相同粒径蓝晶石精矿和工业Al2O3在球磨机内混合，混合样中Al2O3和SiO2的质量分数符合莫来石化学结构；(2)混合样外置催化剂AlF3，在密闭的耐高温容器内，分两步进行热处理，第一步为常温到900℃，完成莫来石成核；第二步为900-1100℃，完成莫来石晶化，随炉冷却至室温将其取出，即得高纯莫来石单晶。
晶石精矿低温制备高纯莫来石单晶方法

[发明专利]基于铁电单晶基底的敏化太阳能电池及其阳极-CN201510400103.1有效
发明人：刘晓燕;邢安;北村健二;曹国忠 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电单晶基底的敏化太阳能电池及其阳极，所述阳极包括铁电单晶基底，制作在铁电单晶基底上的导电层，以及制作在导电层上的光电极薄膜。所述敏化太阳能电池采用上述的阳极。敏化太阳能电池及其阳极采用铁电单晶作为基底，结构简单，成本低廉，通过铁电单晶基底的自发极化在敏化太阳能电池中引入一个有效电场，可有效分离光生电子‑空穴对形成稳态光电流，降低界面电荷复合效应，提高敏化太阳能电池的光电转换效率
敏化太阳能电池铁电单晶基底阳极导电层光电转换效率空穴稳态光电流复合效应光生电子界面电荷有效电场有效分离自发极化光电极薄膜制作引入

[发明专利]一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法-CN201810149707.7有效
发明人：谢辉;赵有文;董志远;刘京明 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法，包括以下步骤：对高铁浓度半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与高铁浓度半绝缘磷化铟单晶尺寸匹配的石英管，并清洗待用；将高铁浓度半绝缘磷化铟单晶和高纯铁粉放入所述石英管内；对所述石英管抽真空并封口；将所述石英管放入高温炉内进行铁扩散掺杂。本发明提供的这种Fe高温热扩散的方法，使得进入铁浓度较高的半绝缘InP晶体的Fe以替位方式占据In位，具有极高的激活效率，避免了杂质分布产生的结构缺陷，并抑制了位错与掺入的Fe原子的相互作用，降低了半绝缘InP单晶片中Fe的浓度，解决了半绝缘InP单晶中掺Fe浓度过高的问题，获得了电学性能较好的半绝缘单晶材料。
一种降低绝缘磷化铟单晶掺铁浓度方法

[发明专利]等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置-CN200910118358.3有效
发明人：宇田秀一郎;平山祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法以及等离子体蚀刻装置，能够抑制底切现象的发生并且与现有技术相比能够高速地对单晶硅进行蚀刻。该等离子体蚀刻方法利用处理气体的等离子体，通过形成于单晶硅层(101)的上部的、被图案化为规定图案的光致抗蚀剂层(102)，对该单晶硅层(101)进行蚀刻，在进行单晶硅层(101)的蚀刻的等离子体蚀刻工序之前，使用含有碳的气体例如CF类气体的等离子体，进行在光致抗蚀剂层(102)的侧壁部形成保护膜(103)的保护膜形成工序。
等离子体蚀刻方法装置

[发明专利]方向性电磁钢板及其制造方法-CN201180038847.3有效
发明人：大村健;井上博贵;山口广;冈部诚司 -专利权人：杰富意钢铁株式会社
申请日： 2011-08-05 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C22C38/00 文献下载
摘要：根据本发明，使形成在钢板表面的槽的底部的镁橄榄石被膜厚度为0.3μm以上、在槽正下方具有相对于高斯取向具有10°以上的取向差且粒径为5μm以上的晶粒的槽的存在比率即槽出现率为20%以下，并且使由镁橄榄石被膜和该张力涂层赋予钢板的合计张力在轧制方向上为10.0MPa以上且在与轧制方向成直角的方向上为5.0MPa以上，且这些合计张力满足下式的关系，由此，能够得到使形成有磁畴细化用槽的原材料的铁损进一步降低并且在组装到实际变压器中时具有优良的低铁损特性的方向性电磁钢板，1.0≤A/B≤5.0A：轧制方向的由镁橄榄石被膜和张力涂层赋予的合计张力，B：与轧制方向成直角的方向的由镁橄榄石被膜和张力涂层赋予的合计张力。
方向性电磁钢板及其制造方法

[发明专利]一种面内各向异性Bi代石榴石磁光单晶薄膜的制备方法-CN201510182491.0在审
发明人：杨青慧;田晓洁;张怀武;饶毅恒;文岐业;贾利军;范仁钰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜的制备方法，用于TE-TM光模式转换调制器的应用。本发明采用液相外延工艺，实现了Bi离子和Lu离子共掺杂的单晶石榴石(BiLuIG)在钆镓石榴石(GGG)衬底基片(取向为〈111〉)上生长，经过配料、升温-保温-三次降温方法使熔体达到薄膜的生长温度、控制薄膜生长过程、最终制备得到了具有面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜。本发明制备得具有面内各向异性的Bi代石榴石磁光单晶薄膜，制备工艺简单，稳定性高。
一种各向异性 bi 石榴石磁光单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种控制铁电单晶电致形变取向的方法-CN201510799427.7在审
发明人：罗震林;赵江涛;何浩;杨远俊;高琛 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种控制铁电单晶电致形变取向的方法，将三方铁电单晶(001)面进行斜切，得到斜切后的单晶；将所述斜切后的单晶在外加电场下进行初始极化，然后在外加反向电场下进行极化，得到反向极化后的单晶。本申请采用斜切方式对三方相铁电单晶(001)面进行处理，使单晶表面不再是严格(001)取向；这样在上下翻转电场时，109°极化翻转的比例会增大。本发明通过对(001)取向三方铁电单晶施行简单的斜切工艺，使得表面法向与晶轴不重合，破坏自发极化方向围绕表面法线的对称性，提高109度极化翻转的出现几率，从而对电致形变取向实现了控制。本发明优选加温辅助极化，可实现单一109度畴转路径，利于磁性薄膜/压电单晶异质结等应变调控应用。
一种控制铁电单晶电致形变取向方法

[发明专利]一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法-CN202210703687.X在审
发明人：沙彦文;董长海;郝燕玲;麦长彪;温洋;周小渊;苏波;王思远 -专利权人：宁夏中晶半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于P型轻掺(掺硼)单晶硅片电阻率测试前的预处理方法包括以下步骤：当P型轻掺(掺硼)单晶硅晶体高温退火急速冷却后，单晶硅片的表面会形成铁硼金属复合层，对单晶硅片表面的铁硼金属复合层进行打磨，来去除单晶硅片表面的铁硼金属复合层；将单晶硅片表面的铁硼金属复合层磨掉后，将单晶硅片放置在恒温箱内，并对单晶硅片恒温4‑8h进行恒温处理。本发明具备检测稳定的优点，解决了目前电阻率测试前预处理工艺，在对P型轻掺(掺硼)单晶硅测试时波动大且测试不稳定，测试波动大于5％，无法测试出准确电阻率的问题。
一种用于型轻掺掺硼单晶硅电阻率测试预处理方法

[发明专利]一种生物钝化含硫化矿废石源头治理酸性矿山废水的方法-CN202310412625.8在审
发明人：王军;洪茂鑫;杨宝军;刘洋;李来顺;廖甤;于世超;孙欣;李漪;王炜;邱冠周 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B09B3/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种生物钝化含硫化矿废石源头治理酸性矿山废水的方法，属于矿山环境治理领域，方法包括利用嗜酸微生物诱导外加铁源在含硫化矿废石表面形成钝化膜，从而隔绝氧气、水和微生物对含硫化矿废石的氧化作用减少酸性矿山废水的产生外加铁源来源广泛，整个过程操作简单，成本低廉。本发明方法能够抑制含硫化矿废石的生物/化学溶解，从源头减少酸性矿山废水的产生，对于煤矿和有色金属矿山的酸性矿山废水源头治理具有重要意义。
一种生物钝化硫化矿废石源头治理酸性矿山废水方法

[发明专利]一种含铷矿中提取铷的新方法-CN201710433411.3在审
发明人：范艳青;蒋训雄;张登高;冯林永 -专利权人：北京矿冶研究总院
申请日： 2017-06-09 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C22B26/10 文献下载
摘要：将低品位云母、铯榴石、长石等含铷矿石磨细或选矿产出的铷精矿与适量浓硫酸混合均匀、熟化后，与还原剂在一定温度下进行高温快速还原焙烧脱硫，含硫烟气通过制酸实现硫酸再生循环利用。本发明利用浓硫酸强化含铷矿中铝硅酸盐的分解和还原气氛下熟化料中硫酸盐的分解，实现硫酸的循环利用，形成了从低品位云母、铯榴石、长石等含铷矿石或铷精矿中经济回收铷、锂、钾、铯资源的新方法。
一种含铷矿中提取新方法