专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体加工装置-CN202310326127.1在审
  • 孙德铉;申载源;金炯俊 - 细美事有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-10-17 - H01J37/32
  • 根据本发明构思的一个方面,提供了一种等离子体加工装置,其包括:壳体,该壳体包括容纳晶片的空间;气体供应构件,其被配置为将气体供应到壳体中;等离子体源,其从供应到壳体中的气体生成等离子体;以及磁场生成构件,其设置在壳体上并且被配置为在壳体内部生成磁场,其中磁场生成构件包括设置在壳体上的第一磁体单元以及设置在第一磁体单元上的第二磁体单元,其中,第二磁体单元是可旋转的,以改变第二磁体单元的上部和下部的磁极。
  • 等离子体加工装置
  • [发明专利]传送单元及包括该传送单元的基板处理装置-CN201910414145.9有效
  • 金炯俊 - 细美事有限公司
  • 2019-05-17 - 2023-07-04 - H01L21/677
  • 基板处理装置包括处理单元和将基板传送到处理单元中的传送单元。传送单元包括在处理腔室中支承基板的支承单元。支承单元包括:支承件,基板放置在所述支承件上;和边缘环,其围绕放置在支承件上的基板,且与支承件是可分离的。传送单元包括:手,其具有顶侧,基板放置在顶侧;和固定构件,其设置在手中,并使用静电力将所述边缘环固定至所述手的底侧。固定构件包括第一电极和第二电极,并且传送单元还包括电压施加设备,其将不同极性的电压施加到第一电极和第二电极。
  • 传送单元包括处理装置
  • [发明专利]发光器件和包括其的电子设备-CN202211734080.4在审
  • 郭丞燕;姜炳俊;金炯俊;沈明善;李锦喜;李晟熏;李龙柱;崔炳基;洪英基 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-22 - 2023-06-27 - H10K50/13
  • 公开发光器件和包括其的电子设备。所述发光器件包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;以及布置在所述第一电极和所述第二电极之间的中间层,其中所述中间层包括第一发射层和第二发射层,所述第一发射层包括发射具有第一光谱的第一种光的第一化合物,所述第二发射层包括发射具有第二光谱的第二种光的第二化合物,所述第一化合物包括第一过渡金属,所述第二化合物包括第二过渡金属,所述第一过渡金属和所述第二过渡金属彼此不同,|HOMO(1)‑HOMO(2)|为约0.05eV至约0.4eV,并且|λmax(1)‑λmax(2)|为约0nm‑约30nm,其中HOMO(1)、HOMO(2)、λmax(1)、和λmax(2)如本文中所描述的。
  • 发光器件包括电子设备
  • [发明专利]用于处理基板的装置和用于处理基板的方法-CN202211364255.7在审
  • 金志勋;金炯俊 - 细美事有限公司
  • 2022-11-02 - 2023-05-05 - H01J37/32
  • 本发明提供了用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。具体地,该基板处理装置包括:壳体,该壳体具有用于处理基板的处理空间;支承单元,该支承单元配置为在处理空间处支承基板;等离子体源,该等离子体源用于从供应至处理空间的工艺气体产生等离子体;排出管线,该排出管线连接至壳体、并排出处理空间的气氛;以及压力调节单元,该压力调节单元定位在支承单元与排出管线之间、且配置为调节从排出管线排出的排出压力,并且其中压力调节单元包括:用于开启和关闭排出管线的开启/关闭构件;用于在上/下方向上移动开启/关闭构件的提升/降低构件;以及用于向提升/降低构件提供回复力的弹性构件。
  • 用于处理装置方法
  • [发明专利]支承单元、用支承单元处理基板的装置和方法-CN202210898583.9在审
  • 朴允锡;金炯俊 - 细美事有限公司
  • 2022-07-28 - 2023-02-03 - H01L21/3065
  • 本发明涉及支承单元、用支承单元处理基板的装置和方法。本发明构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括:壳体,该壳体具有处理基板的处理空间;支承单元,该支承单元在处理空间处支承基板;气体供应单元,该气体供应单元将工艺气体供应到处理空间中;和等离子体源,该等离子体源由工艺气体产生等离子体,其中支承单元包括:介电板,基板被放置在该介电板的顶表面上;顶环,该顶环围绕被放置在介电板上的基板的周边;温度传感器,该温度传感器测量顶环的温度;第一升降构件,该第一升降构件使顶环升降;和控制器;其中控制器根据基于由温度传感器测量的顶环的温度而计算出的顶环的蚀刻量,控制第一升降构件改变顶环的高度。
  • 支承单元处理装置方法

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