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[发明专利]系列含氟碱土硼硅酸盐化合物及含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体及制法和用途-CN202310770420.7在审
发明人：俞洪伟;杨鸣;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及系列含氟碱土硼硅酸盐化合物及系列含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2RESiBO6F2，其中A＝Ca,Sr,Ba；RE＝Sc,Y,La，分子量为298.01‑586.46，该系列晶体属于正交晶系，空间群Pmn21，晶胞参数为a＝3.22352‑5.6055(4),#imgabs0##imgabs1#Z＝2。该系列含氟碱土硼硅酸盐化合物采用固相反应法合成，该系列含氟碱土硼硅酸盐非线性光学晶体采用高温熔液法生长。该系列材料可用于制备非线性光学器件。
系列碱土硅酸盐化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]一种LGS压电晶体及其生长方法-CN202310122802.9在审
发明人：罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 -专利权人：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种LGS压电晶体及其生长方法，属于晶体生长技术领域，包括以下步骤：将包覆Ga2O3、La2O3、SiO2配料，压块，烧结，得到晶体生长原料；将晶体生长原料置于铱金坩埚中，转移至提拉炉的炉腔中，充入保护气体，加热至1470‑1500℃使坩埚内部原料熔化，升温至1520‑1550℃，保温5‑10h使熔体稳定，然后降温至1500℃将已固定在籽晶杆上的LGS籽晶引入至熔体液面，实现接种，并开始以20‑30rpm速度旋转，1‑1.5mm/h提拉速度生长，经过缩颈、扩肩、等径、收尾和原位退火，得到内部组分均一、无包裹体、无开裂等缺陷且直径大于80mm的LGS压电晶体。
一种 lgs 压电晶体及其生长方法

[发明专利]一种晶体制备方法-CN202211742351.0在审
发明人：王宇;官伟明 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种晶体制备方法。该晶体制备方法包括：将原料置于腔体内；通过激光加热组件加热原料，使原料部分熔化为原料熔体；基于原料熔体，执行晶体生长过程，在晶体生长过程中，实时调节激光加热组件的加热参数。
一种晶体制备方法

[发明专利]以铁尾矿同时制备硅酸盐晶须和氧化铁红的方法-CN202211330709.9在审
发明人：林岩;郭客;董海楠;王庆楠;陈洪彬;牛文杰;苑庆波;宁辰禹 -专利权人：鞍钢集团矿业有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于为铁尾矿回收利用提供新途径，提供一种以铁尾矿同时制备硅酸盐晶须和氧化铁红的方法，利用铁尾矿中的有价组分硅制备硅酸盐晶须，再利用剩余有价组分铁制备氧化铁红。本发明方法包括以下步骤：1）将铁尾矿与碱化剂1混合，并加入表面活性剂1，水热反应，反应结束获得固体Ⅰ；将固体Ⅰ水洗、干燥后与盐酸溶液混合，然后置于耐酸反应容器中，搅拌酸浸，反应结束获得固体Ⅱ硅酸盐晶须和含铁溶液；2）向含铁溶液中加入氧化剂、表面活性剂2和分散剂，用碱化剂2调节溶液pH，反应获得絮状沉淀，将沉淀煅烧获得氧化铁红。本发明的方法实现了铁尾矿的无害化处置和资源化利用，对铁尾矿中有价组分硅和铁的回收利用提供了新途径。
尾矿同时制备硅酸盐氧化铁红方法

[发明专利]一种含铕、铽的氧基磷灰石稀土硅酸盐磁光晶体及其制备方法-CN202210022927.X有效
发明人：郭飞云;兰晴颖;赵国栋;王雅娜;陈建中 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铕、铽的氧基磷灰石稀土硅酸盐磁光晶体及其制备方法。本发明中的磁光晶体分子式为Eu2Tb8(SiO4)6O2，为同成分熔融化合物，可采用中频感应提拉法生长，还原方法方便快捷，生长周期较短、工艺简单，原料成本较低，能够实现批量生产。本发明Eu2Tb8(SiO4)6O2磁光晶体在1064 nm波长处的费尔德常数（Verdet constant）为76‑78 rad/T·m，约是此波段下商品化的TGG晶体的1.9倍。
一种磷灰石稀土硅酸盐晶体及其制备方法

[发明专利]一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法-CN202111317739.1有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下高铬和高含水的钴橄榄石单晶的制备方法，以固态的六水合硝酸钴(II)、液态的铬酸叔丁酯、液态的正硅酸乙酯、固态的天然滑石粉末、固态的氢氧化钴粉末和无水乙醇作为起始原料先制备出钴橄榄石圆柱样品，以滑石和氢氧化钴作为水源制备出两水源片，将两水源片分别放置在圆柱样品两端，将样品和水源片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应得到高铬和高含水的钴橄榄石单晶；解决了现有技术制备得到的纯钴橄榄石均是不含水的，并且产物纯钴橄榄石的颗粒粒度比较小，不能满足各式高温高压实验室模拟的科学研究需求，尤其是高压下单晶矿物晶格优选方位和晶轴各向异性研究等技术问题。
一种高温压下含水橄榄石制备方法

[发明专利]调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器-CN202111044485.0有效
发明人：于法鹏;姜超;李妍璐;孙丽;赵显 -专利权人：山东本源晶体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控硅酸钛钡晶体相变温度和压电性能的方法及剪切式振动传感器。方法包括如下步骤：硅酸钛锶钡的通式为Ba2‑xSrxTiSi2O8，其中，0.1x1.0，按该通式中的化学计量比配料，制备多晶料；将多晶料融化，加入籽晶生长晶体，所述籽晶为硅酸钛钡籽晶，籽晶方向应为Z方向，将生长得到的晶体退火，获得硅酸钛锶钡晶体。制备得到的锶掺杂硅酸钛钡晶体的介电和压电性能及其温度稳定性相较于未掺杂的硅酸钛钡晶体有了较大提升，利用硅酸钛锶钡晶体制备的剪切式振动传感器，压电灵敏度在室温至600℃范围内具有优异的温度稳定性。
调控硅酸晶体相变温度压电性能方法剪切振动传感器

[发明专利]一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法-CN202111391809.8有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶的制备方法，所述制备方法是：按照顽火辉石化学计量学，以固态的六水合硝酸镁粉末、固态的四水合硝酸钙粉末、固态的四水合硝酸锰(II)粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出混合物圆柱体样品；以固态的天然蛇纹石粉末、固态的天然片水锰矿粉末和固态的天然熟石灰粉末作为原料制备出水源圆片；将水源圆片放置在混合物圆柱体样品两端后；混合物圆柱体样品和水源圆片放入金钯合金样品管内进行高温高压反应制备出高钙、高锰和高含水的顽火辉石单晶；解决了高钙、高锰和高含水顽火辉石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含钙、高含锰和高含水的顽火辉石单晶实验样品。
一种含水辉石制备方法

[发明专利]高温高压下高镍、高锌和高含水的透辉石单晶的制备方法-CN202111408039.3有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下高镍、高锌和高含水的透辉石单晶的制备方法，以固态的四水合硝酸钙粉末、固态的六水合硝酸镁粉末、固态的六水合硝酸镍(II)粉末、固态的六水合硝酸锌粉末、液态的正硅酸乙酯和无水乙醇浓度作为起始原料制备出透辉石圆柱体样品，以固态的天然滑石粉末、固态的氢氧化镍粉末和固态的氢氧化锌粉末作为起始原料制备出水源圆片，将水源圆片放置在透辉石圆柱体样品并一起放入金钯合金样品管内；在高温高压条件下制备出高镍、高锌和高含水的透辉石单晶；解决了目前的高镍的、高锌的和高含水的透辉石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高镍的、高锌的和高含水的透辉石单晶实验样品。
高温压下含水辉石制备方法

[发明专利]一种高钛、高钒和高含水的紫苏辉石单晶的制备方法-CN202111401199.5有效
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高钛、高钒和高含水的紫苏辉石单晶的制备方法，所述制备方法为：按照紫苏辉石化学计量学，以固态的六水合硝酸镁粉末、固态的九水合硝酸铁(III)粉末、固态的三乙酰丙酮钒粉末、液态的正硅酸乙酯、液态的钛酸四丁酯和无水乙醇作为起始原料制备出紫苏辉石混合物圆柱体样品；以固态的天然蛇纹石粉末、固态的天然水镁石粉末和固态的α相针铁矿粉末为原料制备出水源片；将两片水圆片放到紫苏辉石混合物圆柱体样品两端后一起放入金钯合金管内，经过高温高压反应得到紫苏辉石单晶；彻底解决了目前的高钛的、高钒的和高含水的紫苏辉石单晶的制备技术空白，以获取大颗粒的高含钛的、高含钒的和高含水的紫苏辉石单晶实验样品。
一种含水紫苏辉石制备方法

[发明专利]工业硅铝胶废弃物低温制得的莫来石单晶材料及其制备方法-CN202210791697.3有效
发明人：顾晓华;陈沛全;王超会;樊安宇;刘思雯;张国强;赵玉彬;孙劲松 -专利权人：淄博众晓新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业硅铝胶废弃物低温制得的莫来石单晶材料及其制备方法，属于莫来石单晶材料技术领域。本发明所述的工业硅铝胶废弃物低温制备莫来石单晶材料的方法，包括以下步骤：以工业硅铝胶废弃物、氟化盐、助熔剂和铝源补充剂为原料，加入水进行球磨干燥，然后在600℃‑800℃下进行煅烧，得到所述的莫来石单晶材料。本发明所述的莫来石单晶材料纯度高，合成温度低；同时本发明提供了一种简单易行的制备方法，有效利用工业废渣，节能环保，具有显著的经济效益。
工业硅铝胶废弃物低温莫来石单晶材料及其制备方法

[发明专利]一种人工合成黑云母晶体的结晶方法-CN202111052423.4有效
发明人：李祈霖 -专利权人：广东三宝新材料科技股份有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工合成黑云母晶体的结晶方法，属于化工技术领域，本方案实现炉体内的保温层能够减少热量的外泄，起到保温隔热的作用，而部分外泄的能量流动到连接套框内后，使其内部的膨胀粉末受热膨胀，挤压支撑加固块，实现对炉体进行支撑加固，加固炉体的支撑强度，同时热量反射板配合隔热球的隔热层实现以远红外电磁波的形式向外辐射热量，将热量反射回去，使热量重新进入到炉体内，进一步减少热量外泄，而热量外泄到到吹气框内带动耐高温伸缩气囊内空气受热膨胀，带动耐高温伸缩气囊延伸，推动挤压板相向运动，使其挤压吹气框内的空气经过吹气管向炉体方向吹动，减少热量的外泄，起到隔热保温的作用。
一种人工合成黑云母晶体结晶方法

[发明专利]一种高纯单相Bi12-CN202011019543.X有效
发明人：李丹;彭引平;刘仲军;冯勃 -专利权人：彩虹集团（邵阳）特种玻璃有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯单相Bi12SiO20多晶的制备方法，包括如下步骤：(1)将Bi2O3和SiO2研磨混合，得到混合粉体；其中，Bi2O3和SiO2的摩尔比为(6～6.2)；(2)将混合粉体在1285℃保温1～2h，得到试样；(3)将试样于740～883℃保温2～6h，得到高纯单相Bi12SiO20多晶。本发明通过熔融冷却法成功制备单相Bi12SiO20晶体，熔融冷却法不需要昂贵的生产设备，对实现高纯单相Bi12SiO20多晶工业化量产具有重要意义。
一种高纯单相 bi base sub 12

[发明专利]一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和应用-CN202110646627.4有效
发明人：李东升;尚华宝;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属杂质原子掺杂的硅酸铒及其制备方法和在薄膜光波导放大器中的应用。制备方法包括步骤：将有机铒化合物、金属杂质原子的前驱体均匀分散于流动性硅烷树脂中，所得溶胶旋涂于单晶硅片表面，经热处理得到金属杂质原子掺杂的硅酸铒；金属杂质原子掺杂的硅酸铒中，掺杂的金属离子的价态与Er3+不相同，且所述金属离子的半径比Er3+的半径小30％以上。金属杂质原子掺杂的硅酸铒镶嵌于结晶氧化硅基质中，晶型为β‑Er2Si2O7，发光强度相比不掺杂可提高近一百倍，LDP可达1.3×1019cm‑3·s，制备方法与集成工艺兼容，有望用于高增益的薄膜光波导放大器。
一种金属杂质原子掺杂硅酸及其制备方法应用

[发明专利]一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法-CN202111640665.5在审
发明人：徐家跃;田甜;张炎;潘芸芳;李志超;张彦;申慧;马云峰;陈媛芝 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/34 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长技术领域，公开了一种铀掺杂硅酸铋闪烁晶体及其制备方法。特征是：(1)所述硅酸铋闪烁晶体为闪烁材料，铀离子以UO2形式掺入，可显著提高晶体的光输出，掺杂量为0.01～1mol％，所述的硅酸铋晶体的分子式为Bi4Si3O12；(2)选用高纯SiO2、Bi2O3原料，根据化学计量比配料，采用固相烧结法制备Bi4Si3O12多晶料，然后按所述掺杂量向Bi4Si3O12多晶料中加入UO2，混合均匀并烧结，得到铀掺杂的Bi4Si3O12多晶料；(3)选择硅酸铋籽晶，将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，将掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入陶瓷管中，置于区熔炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到铀掺杂的高光输出硅酸铋闪烁晶体。
一种掺杂硅酸闪烁晶体及其制备方法

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