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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]质量分析电磁铁-CN201510548657.6有效
发明人：立道润一;土肥正二郎;西村一平 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01J49/20 文献下载
摘要：本发明提供一种质量分析电磁铁，其能抑制在离子束(IB)的质量分离方向以外的位置因离子束(IB)与分析管(9)的壁面碰撞而附着、堆积的堆积物混入目标物(5)中。质量分析电磁铁(2)具备在内侧区域形成离子束(IB)通道的分析管(9)，使离子束(IB)向规定的方向偏转，利用质量的不同分离包含在离子束(IB)中的离子，在与离子束(IB)的前进方向和离子束(IB)的质量分离方向垂直的方向上，分析管(9)具有遮蔽离子束(IB)的端部的至少一个遮蔽构件(SH)。
离子束电磁铁质量分析质量分离方向垂直方向偏转遮蔽构件分析侧区域堆积物目标物壁面附着混入遮蔽堆积离子

[发明专利]一种离子束的注入角度的校正方法-CN201710448025.1在审
发明人：袁立军;赖朝荣;王智 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束的注入角度的校正方法。通过以不同的注入角度向待注入的衬底部中注入离子束，离子束的注入方向在第一平面或者平行于第一平面的平面内，以及在第二平面或者平行于第二平面的平面内，且每个衬底部中仅注入一次离子束。再以不同的离子束的注入角度和衬底部的晶格损伤度拟合得到第一二次曲线和第二二次曲线。再根据第一二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度和第二二次曲线的顶点标示的离子束的注入角度调整离子束的注入方向。实现了在相互垂直的平面中分别检测离子束的注入角度的偏差，并调整所述偏差，提高了离子束的注入角度校正的准确性，同时便于调整离子束的注入角度。
一种离子束注入角度校正方法

[发明专利]离子管及离子束的引出方法-CN200910262405.1无效
发明人：长田佑介;盐野忠久 -专利权人：株式会社昭和真空
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01J27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种离子管及离子束的引出方法，离子管排列有多个离子束引出孔，使得离子束电流密度变得均匀。该离子管具有由阴极和阳极构成的等离子体生成构件，以及从等离子体中引出离子束的栅极，栅极沿长边方向具有多个或者一连串的离子束引出孔，以多个或者一连串的离子束引出孔的中心部为原点，以长边方向为x轴方向，以离子束射出方向为z轴正方向，该离子管还具有：第一磁石，其配置于多个或者一连串的离子束引出孔的周围，并对多个或者一连串的离子束引出孔施加z轴正方向的磁场；以及第二磁石，其配置于多个或者一连串的离子束引出孔的端部，对端部附近施加
离子离子束引出方法

[发明专利]离子束检测装置及方法-CN202211519264.9在审
发明人：朱孟辉 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束检测装置及方法，通过所述激光单元发射激光，使得所述激光以垂直于所述离子束所在平面的方式照射所述离子束，同时若干所述激光单元沿垂直于所述通道的延伸方向的方向排列，使若干所述激光沿所述离子束的宽度方向排列，通过检测穿过所述离子束且未发生偏移的所述穿过光的强度，使得带状的所述离子束上多个位置处的束流状态都能够被检测，由于所述激光不会影响所述离子束注入，进而能够直接监测注入晶圆表面的所述离子束的束流状态，提升工艺质量检测的准确性
离子束检测装置方法

[发明专利]一种基于等离子束-激光复合热源的增材制造设备与方法-CN201910932688.X在审
发明人：杨永强;翁昌威;秦文韬;李阳;宋长辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B23K26/346 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离子束‑激光复合热源的增材制造设备，包括特制刀具库、成型密封腔、保护气气瓶、等离子焊接机器人、激光辅助机器人、两轴变位机、监控系统、等离子束‑激光复合热源熔融沉积系统以及集成控制系统本发明采用等离子束‑激光复合热源熔融沉积，解决了等离子束增材制造的界面结合问题，提高界面结合强度和零件性能，大大提高的零件的成型效率。
等离子束复合热源激光界面结合熔融机器人复杂空间曲面集成控制系统大尺寸零件等离子焊接两轴变位机沉积系统成型效率复杂零件激光辅助监控系统快速成型双机械臂运动载体制造设备保护气刀具库密封腔气瓶沉积成型制造修复

[发明专利]离子布植机-CN201510298722.4有效
发明人：万志民;库罗什·萨阿达特曼德;威廉·P·普拉托夫 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：离子布植机，包括离子源以及至少一个光学组件。离子源提供一道离子束，而光学组件是配置于离子束的传递路径上，用以将离子束调整为非平行离子束，借以用非平行离子束的不同部分同时对一个工件的不同区域进行离子布植。不同的光学组件分别可以用来将离子束予以发散或收敛，借以将离子源提供的离子束调整为平行度较差的非平行离子束。
离子布植机

[发明专利]离子植入系统和工艺-CN201610897868.5有效
发明人：万志民;K·沙丹特曼德;N·怀特 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：公开了离子植入系统和工艺。示范性的离子植入系统可以包括离子源、提取操纵器、磁分析仪以及电极组件。提取操纵器可以构造为通过从离子源提取离子而生成离子束。所生成的离子束的截面具有长维度以及与离子束的长维度正交的短维度。磁分析仪可构造为沿着平行于离子束的短维度的x方向聚焦离子束。电极组件可构造为加速或减速离子束。电极组件的一个或多个入口电极可限定第一开口，电极组件可相对于磁分析仪定位而使得随着离子束通过第一开口进入而使得离子束沿x方向收敛。
离子植入系统工艺

[发明专利]离子植入系统和工艺-CN201811653911.9有效
发明人：万志民;K·沙丹特曼德;N·怀特 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：公开了离子植入系统和工艺。示范性的离子植入系统可以包括离子源、提取操纵器、磁分析仪以及电极组件。提取操纵器可以构造为通过从离子源提取离子而生成离子束。所生成的离子束的截面具有长维度以及与离子束的长维度正交的短维度。磁分析仪可构造为沿着平行于离子束的短维度的x方向聚焦离子束。电极组件可构造为加速或减速离子束。电极组件的一个或多个入口电极可限定第一开口，电极组件可相对于磁分析仪定位而使得随着离子束通过第一开口进入而使得离子束沿x方向收敛。
离子植入系统工艺

[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN201210287489.6有效
发明人：约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01J37/141 文献下载
摘要：提供了在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备。一种在工件中注入离子的方法包括：产生离子束；将离子束调节到平面中的所需的平行度；测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度；以及对倾斜到注入角度的工件实施注入
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]离子植入设备及利用该设备植入离子的方法-CN200410082180.9有效
发明人：卢径奉;秦丞佑;李民镛 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：公开一种离子植入设备与使用该离子植入设备植入离子的方法。用以将离子植入晶圆的离子植入器包括：第一四极磁组件，用以聚焦自一离子束源所传输的离子束；扫描器，用以偏转在X轴与Y轴方向所传输的离子束；第二四极磁组件，用以聚集与发散在X与Y轴方向通过扫描器的离子束；束平行器，用以同步于第二四极磁组件旋转离子束，因此将离子束植入晶圆。
离子植入设备利用方法

[发明专利]一种离子注入方法及实现其的离子注入机-CN201910487944.9在审
发明人：赖朝荣;裴雷洪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子注入方法及实现上述离子注入方法的离子注入机。上述离子注入方法包括：提供注入到晶圆的点状离子束流；控制上述晶圆在第一方向上来回移动；控制上述点状离子束流在垂直于第一方向的第二方向上来回扫描；以及基于上述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整上述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度根据本发明所提供的离子注入方法通过改变离子束流的扫描宽度调整离子束流的扫描路径，从而使束流扫描区域贴合于晶圆，大大减少了离子束流的浪费，提高了有效离子束流量，在不提高实际离子束流的情况下，提高了产能。
离子束流离子点状晶圆扫描离子注入机宽度调整扫描路径扫描区域有效离子产能束流贴合垂直移动

[发明专利]离子注入设备-CN201210122200.5有效
发明人：陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子注入设备，其包括用于引出离子束的离子源系统以及一用于传输离子束的离子束传输系统，该离子束传输系统的物理边界在至少一个开放方向上单向开放或双向开放，该至少一个开放方向垂直于离子束的传输路径本发明在保证离子束传输系统高质量地对离子束进行传输的前提之下，使得该离子束传输系统适于传输的离子束的尺寸不再受到各种束流光学元件的物理边界的限制，而是可以根据加工需求灵活地进行改变，甚至还能够适用于采用多个并行排列的离子源系统的场合，由此实现了仅凭一个离子注入设备来应对各种多样的加工需求的目的，省去了购买多个针对单一加工需求而专门设计的离子注入设备的购买成本。
离子注入设备

[发明专利]低缺陷光学薄膜制备方法及其制品-CN201910370632.X有效
发明人：蒲云体;马平;彭东旭;邱服民;乔曌;卢忠文;吕亮;张明骁 -专利权人：成都精密光学工程研究中心
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：薄膜制备方法包括：热处理过程、采用离子束溅射方式镀制第一膜层的过程、采用离子束辅助电子束蒸镀方式镀制第二膜层的过程、薄膜表面平坦化处理的过程，采用电子束蒸镀方式镀涂第三膜层和第四膜层的过程，采用离子束溅射方式镀制保护膜层的过程本发明还公开了一种利用镀膜装置制备薄膜的方法，镀膜装置为顺序连接的多真空腔室，各腔室分别对元件热处理，采用离子束溅射方式镀制第一膜层和保护层，采用电子束蒸镀方式镀制第二膜层、第三膜层和第三膜层，平坦化处理本发明结合离子束溅射和电子束蒸镀的方式，设计出了可制备强附着力、高激光损伤阈值、低应力、抗激光损伤性能好的薄膜的方法。
缺陷光学薄膜制备方法及其制品

[发明专利]操作离子束的方法与装置以及离子植入机-CN201680052353.3有效
发明人：詹姆士·S·贝福;维克多·本夫尼斯特;法兰克·辛克莱 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01J37/14 文献下载
摘要：一种操作离子束的方法可包括：从离子源产生离子束，离子束具有初始传递方向；以相对于初始传递方向的初始倾斜角度偏转离子束；使离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在孔中产生下述：沿着与离子束的初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与第一方向和初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场也提供了用于操作离子束的装置与离子植入机。
操作离子束方法装置以及离子植入

[发明专利]工件处理系统和方法-CN201580055294.0有效
发明人：摩根·D·艾文斯;凯文·安葛林;丹尼尔·迪斯塔苏;约翰·哈塔拉;丝特芬·罗伯特·舍曼;约瑟·C·欧尔森 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：用等离子室形成带状离子束，所述带状离子束经提取孔口提取。在提取孔口旁边平移工件以使工件的不同部分暴露于带状离子束。当工件暴露于带状离子束时，改变与等离子室相关的至少一个参数。可变参数包含提取电压占空比、工件扫描速度和离子束的形状。在一些实施例中，工件整体暴露于带状离子束之后，当参数改变时，旋转工件并再次将其暴露于带状离子束。此序列可重复多次。
工件处理方法装置

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