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[实用新型]一种基于等离子束-激光复合热源的增材制造设备-CN201921662167.9有效
发明人：杨永强;翁昌威;秦文韬;李阳;宋长辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B23K26/346 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于等离子束‑激光复合热源的增材制造设备，包括特制刀具库、成型密封腔、保护气气瓶、等离子焊接机器人、激光辅助机器人、两轴变位机、监控系统、等离子束‑激光复合热源熔融沉积系统以及集成控制系统本实用新型采用等离子束‑激光复合热源熔融沉积，解决了等离子束增材制造的界面结合问题，提高界面结合强度和零件性能，大大提高的零件的成型效率。
一种基于离子束激光复合热源制造设备

[外观设计]射频离子源-CN202230555436.2有效
发明人：刘伟基;吴秋生;冀鸣;赵刚;易洪波 -专利权人：中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：射频离子源。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品属于离子源产品，可用于光学辅助镀膜、离子束溅射镀膜、离子束刻蚀与超高精度表面处理等用途。
射频离子源

[发明专利]一种精确控制悬空纳米管器件方向的方法-CN200710060332.9有效
发明人：房丰洲;徐宗伟;张少婧;韩涛;李建明 -专利权人：天津大学
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G01N13/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种精确控制悬空纳米管器件方向的方法，采用带有能够调整样品台倾斜角的聚焦离子束设备，包括下列步骤：将需要调整角度的悬空纳米管器件置于聚焦离子束设备样品台上；通过电子束或离子束成像系统对纳米管器件进行形貌观测，调整离子束工作距离；通过调整样品台的倾斜角改变纳米管器件相对离子束的角度；开启聚焦离子束发生器，对纳米管器件进行离子束扫描照射，纳米管会产生塑性形变，被弯曲并逐渐沿着离子束方向被校直；停止离子束照射。
一种精确控制悬空纳米器件方向方法

[发明专利]一种离子束产生的方法与装置-CN201610154978.2有效
发明人：邓贞宙;谢庆国 -专利权人：南京瑞派宁信息科技有限公司
申请日： 2016-03-18 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01J27/24 文献下载
摘要：一种离子束产生的方法，其包括步骤用一束飞秒激光射击在一个转动的薄金属靶边缘；薄金属靶通过不断的转动在没有受光的位置浸润待电离物；薄金属靶受飞秒激光照射的背面产生一个强电场；强电场将电离产生的各种离子射出；通过飞秒激光的时间信息门控离子束。一种离子束产生的装置，其包括飞秒激光器模块、几何光学模块、时间测量模块、薄金属靶模块、离子束甄选模块。通过采用本发明的离子束产生的方法与装置，能有效减少高能离子束产生装置的占地面积和功耗，大幅减少离子束的成本，避免由于离子束昂贵而无法装备在低价的医疗系统中，特别适合于离子治疗、材料改性和分析等应用场合。
一种离子束产生方法装置

[发明专利]离子注入装置-CN201210067360.4有效
发明人：内藤胜男;土肥正二郎 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供离子注入装置，其包括质量分离磁铁，即使在伴随基板尺寸的大型化，带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下，与以往的技术相比，该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括：离子源，生成带状离子束；质量分离磁铁，具有一对磁极，该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置，通过在磁极之间产生的磁场，使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转；分析狭缝，使包含所希望的离子种类的离子束通过；处理室，配置有基板，通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。
离子注入装置

[发明专利]提高离子注入系统中磁扫描离子束一致性的方法-CN201610257320.4有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
生产率一致性提高离子注入系统方法

[发明专利]生产率及一致性提高的离子注入的系统及方法-CN201280061905.9有效
发明人：爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及一种扫描系统，该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时，射束评测仪测量离子束的束电流；分析系统分析所测的束电流，从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化，从而限制ZFE情况。
生产率一致性提高离子注入系统方法

[发明专利]一种基于荧光三维影像的离子聚焦装置-CN202110911268.0在审
发明人：孙宗丽;伦俊杰;孟凡瑞 -专利权人：昌乐县人民医院
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01J29/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于荧光三维影像的离子聚焦装置，离子聚焦装置与控制单元连接，离子聚焦装置设置在离子束的发射路径上并将通过深度调节板的扩散的离子束聚焦在靶区，离子聚焦装置包括离子聚焦组件，离子聚焦组件包括第一透镜和第二透镜，第一透镜和第二透镜分别通过电磁控制的机械架独立进行角度参数和位置参数的控制；第一透镜设置在深度调节板的离子束输出路径上，由深度调节板降低能量并扩散的离子束通过第一透镜的折射形成平行的离子束，控制单元控制第二透镜将平行的离子束聚焦在靶区的目标点本发明调整离子束的路径并使得离子束聚焦，根据肿瘤位置的位移直接进行离子束的聚焦点的适应性调整，照射的精确度更高，对健康组织的损害更小。
一种基于荧光三维影像离子聚焦装置

[发明专利]离子注入方法及离子注入机-CN201110386245.9有效
发明人：沈政辉 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提供了一应用离子束截面特征分析仪的一离子注入方法及一离子注入机。该方法包含设定扫描条件、侦测离子束截面特征、依据侦测得到的离子束截面特征计算出离子注入剂分布以及扫描条件、测定位移距离用以进行离子注入，以及将离子簇注入在晶圆表面。该离子注入机运用了离子束截面特征分析仪来侦测离子束截面特征、计算离子注入剂分布以及测定位移距离，以及将位移距离应用在离子注入上使注入达到最佳化，其中该离子束截面特征分析仪包含了具有离子通道的主体，以及侦测单元配置在离子流道后方的侦测单元，用以侦测离子截面特征。该离子束截面特征分析仪可以是一维、二维或者斜角离子束截面特征分析仪。
离子注入方法

[发明专利]一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法-CN201410782697.2在审
发明人：王虎;王志民;冯煜东;王艺;赵慨;速小梅;王金晓;杨淼 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23C14/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种低吸收率氧化硅薄膜的制备方法，该方法的具体步骤为：步骤一、在真空腔内设置硅靶和离子源，将基底放在真空腔内，打开真空泵组，使真空腔本底真空度高于2.0×10^-3Pa；步骤二、用氩离子束对基底进行清洁活化；步骤三、采用氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术沉积氧化硅薄膜；本发明通过氧离子束辅助脉冲反应磁控溅射技术，利用氧离子高的化学活性以及离子的动能来增强氧化硅薄膜对铝合金基底表面吸附
一种吸收率氧化薄膜制备方法

[发明专利]一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法-CN200810023121.2有效
发明人：刘全;吴建宏;杨卫鹏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全息－离子束刻蚀制备光栅的方法，首先进行全息光刻，获得光刻胶光栅掩模，然后进行离子束刻蚀，最后去除残余的光刻胶，获得所需的光栅，其特征在于：所述离子束刻蚀为，先用氩离子束进行刻蚀1至3分钟，再用三氟甲烷反应离子束刻蚀至所需槽形深度。本发明在离子束刻蚀中，采用了两步法，首先进行氩离子束刻蚀，对光刻胶光栅掩模进行形貌修正，再采用三氟甲烷进行刻蚀，从而可以获得较小占宽比的光栅；通过对氩离子束刻蚀的时间控制，实现对光栅占宽比的控制，方法简便
一种全息离子束刻蚀制备光栅方法

[发明专利]一种离子布植方法、装置及设备-CN202011198063.4有效
发明人：杨学人 -专利权人：泉芯集成电路制造（济南）有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括：提供带状离子束流；样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明实施例提供的技术方案，在缩短样片离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。
一种离子方法装置设备

[发明专利]离子束照射装置-CN201910526439.0在审
发明人：藤本龙吾;国立圭一 -专利权人：日新离子机器株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子束照射装置，所述离子束照射装置不使用灯具加热器或钨丝等的发热体，而可在广范围加热真空容器壁面，以使水成分挥发。本发明的离子束照射装置在开放至大气后的基板处理前，对构成离子束的输送路的真空容器壁面扫描离子束。
离子束照射装置

[发明专利]离子输送器、离子输送方法、离子束辐照器和医学粒子束辐照器-CN201010539601.1无效
发明人：榊泰直;西内满美子;堀利彦;铃木将之;井关康;吉行健 -专利权人：独立行政法人日本原子力研究开发机构;株式会社东芝
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01J33/00 文献下载
摘要：本发明涉及离子输送器、离子输送方法、离子束辐照器和医学粒子束辐照器。其目的在于获得高方向性、稳定且高强度的离子束。离子束辐照器(10)由激光驱动离子/电子生成器(20)和离子输送器(30)的组合构成，并被构造为将从离子/电子生成器(20)发出的方向性差的离子束引导至输出端，同时提高离子束的方向性或在离子输送器30处使离子束聚焦在离子输送器(30)中，在多极磁体(32)的离子束流动的上游侧位置处环绕射束管(31)设置电子吸收体(33)。电子吸收体(33)由可有效吸收高能电子的材料(如聚四氟乙烯(PTFE))形成。
离子输送方法离子束辐照医学粒子束

[发明专利]一种中子俘获治疗系统-CN201811019564.4在审
发明人：张熹寅;林洪涛;陈朝斌 -专利权人：东莞东阳光高能医疗设备有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明属于医疗设备领域，公开了一种中子俘获治疗系统，包括：离子束产生系统，用于提供稳定的离子束；离子束切换系统，用于将离子束方向调整为不同方向，所述离子束切换系统的数量为至少两个；中子治疗系统，用于进行不同方向的照射治疗，所述中子治疗系统的数量为至少两个，且所述中子治疗系统与所述离子束切换系统一一对应；治疗室，每一治疗室内包括至少两个不同方向的中子治疗系统。本发明中，离子束产生系统使用直线加速器进行离子加速、离子束切换系统使用偏转磁铁进行离子束方向调整、中子治疗系统将多个不同照射方向的中子治疗系统联合使用，在保证治疗效果的前提下更易于做到小型化，可以方便布建在现有的医院中
离子束治疗系统切换系统产生系统方向调整中子俘获医疗设备领域直线加速器偏转离子加速照射方向照射治疗治疗效果治疗室磁铁布建室内治疗保证

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