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[发明专利]以离子束均匀布植晶圆的方法-CN201010145124.0有效
发明人：沈政辉;唐·贝瑞安 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法，首先，在晶圆上形成带状的离子束，其中，带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度，在此，长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后，沿着通过离子束的一扫描路径，以一移动速度移动晶圆中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中，当晶圆通过离子束时，此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖，且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数，或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。
离子束均匀布植晶圆方法

[发明专利]二维离子束角度测量的方法及其装置-CN200780002667.3有效
发明人：詹姆斯·J·康米斯;约瑟·欧尔森;亚瑟·H·克雷福;艾立克·赫尔曼森;罗扎里欧·马雷卡;保罗·J·墨菲;马克·多拿赫 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：一种用于离子束的角度测量系统，此角度测量系统包括：界定第一以及第二特征的旗标，其中第二特征具有自第一特征的可变间距；用以沿着平移路径而平移旗标以使得旗标截取离子束的至少一部分的机构；以及用以沿着平移路径而侦测不同旗标位置的离子束且回应于经侦测的离子束而产生感应器信号的感应装置感应器信号以及旗标的对应位置表示垂直平面中离子束的垂直离子束角度。感应装置可包括一屏蔽以及一用以平移屏蔽以便界定相关联的法拉第感应器的一部分上的离子束电流感应器的机构。
二维离子束角度测量方法及其装置

[发明专利]离子源系统和离子束流系统-CN201310297942.6有效
发明人：洪俊华;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2013-07-16 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子源系统和离子束流系统。所述离子源系统包括一离子源反应腔，其特征在于，所述离子源系统还包括一引出电极组，所述引出电极组的引出狭缝与所述离子源反应腔的狭缝开口对应，所述引出电极组调节所述引出狭缝处的等离子体弯月面，所述等离子体弯月面在所述引出狭缝的狭缝方向上聚焦离子束流和/或在所述引出狭缝的狭缝方向的垂直方向上发散离子束流。本发明通过特有的离子源扩展方式，能够在相匹配的束流传输系统结构下，避开了加大束流强度的瓶颈，从而可成倍地增大离子束在工件上的流强，提高注入离子束的带状分布均匀性，减少带状离子束的束流调整时间和束流强度损耗
离子源系统离子束

[发明专利]一种紧凑型偏转会聚离子束的静电透镜-CN201310689834.3有效
发明人：李海洋;陈平;花磊;谢园园;蒋吉春;刘巍 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01J37/12 文献下载
摘要：本发明涉及质谱中实现离子束偏转会聚功能的离子光学系统，具体的说是利用静电场对离子束实现偏转角度调节及离子束径向会聚功能的一种离子光学透镜。该透镜体积小巧，结构紧凑，包括主透镜电极组件和三维定位绝缘组件，依次施加有不同电压；离子束开始沿透镜轴线方向运动，经过主透镜电极后，离子束的运动方向发生偏转，且在径向方向产生会聚。本发明所涉及的紧凑型偏转会聚离子束的静电透镜系统，采用尽量少的电源模块，实现离子束偏转角度和会聚焦面的控制，且减少离子传输损失。
一种紧凑型偏转会聚离子束静电透镜

[发明专利]离子注入机中的离子束-CN200710108987.9无效
发明人： C·伯吉斯;M·基恩 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及一种调节诸如可用在半导体器件制造中的离子注入机中的离子束的方法。存在许多与离子注入机的操作相关的操作参数，这些操作参数影响到达晶片的离子束。控制这些参数允许对离子束进行调节，以提供用于任何特定注入的最佳离子束电流、能量、大小和形状。本发明提供了一种调节离子束的方法，包括：检索一组参数，这组参数中至少一些参数被存储在动态数据库中；根据检索的这组参数来配置该离子注入机从而提供离子束；通过改变一个或多个所述参数来优化所述离子束；以及对所述动态数据库中存储的
离子注入中的离子束

[发明专利]加速器/减速器与控制其的离子束的方法及离子植入系统-CN201680057536.4有效
发明人：常胜武;克里斯汀·拉恩斯;威廉·里维特;丹尼尔·布洛斯南 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-10-03 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本文中提供加速器/减速器、离子植入系统以及用于控制加速器/减速器内的离子束的方法。在示例性方面中，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；以及终端抑制电极，耦合至终端，其中所述终端抑制电极用以经由所述终端抑制电极的孔传导所述离子束，并从第一电压源对所述离子束施加第一电位。所述系统还包括透镜，所述透镜耦合至所述终端并邻近所述终端抑制电极安置，其中所述透镜用以经由所述透镜的孔传导所述离子束并从第二电压源对所述离子束施加第二电位。在示例性方面中，所述透镜与所述终端抑制电极电绝缘并独立地受到驱动，因此能够实现增大的离子束电流操作范围。
离子束抑制电极终端透镜电位电压源传导减速器离子植入系统施加离子束电流宽离子束透镜耦合耦合电绝缘加速器离子源增大的邻近驱动安置

[发明专利]一种SiC高温高能铝离子注入机-CN201510912879.1有效
发明人：袁卫华;彭立波;易文杰;孙雪平;龚杰洪;贾京英;舒勇东;钟新华 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC高温高能铝离子注入机，包括：离子源，用来生成含铝的离子；离子束传输系统，用来传输铝离子束流；包括依次设置的引出系统、质量分析器、分析光栏、加速管、垂直扫描电极板及平行束透镜；引出系统将离子源产生的离子引出并形成离子束；离子束依次通过质量分析器和分析光栏后束通过加速管加速，加速后的离子束经过透镜矫正束斑形状，离子束斑经过垂直扫描电极板后扫开成扇形状束带，扇形状束带通过平行束透镜后形成平行的带状束，进入高温靶室系统；高温靶室系统本发明能够保证注入铝离子电荷可选和能量精度，满足注入铝工艺需要晶片加热要求。
一种 sic 高温高能离子注入

[发明专利]一种离子束沉积制备CN薄膜的方法-CN201810560534.8在审
发明人：沈洪雪;倪嘉;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种离子束沉积制备CN薄膜的方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污与杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与离子注入机，离子束沉积设备采用C靶，将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室内，以氩离子轰击C靶；同时，开启离子注入机，注入N离子，在衬底表面得到CN薄膜；C靶的工艺参数通过离子束沉积设备进行独立控制，N离子源的提供由离子注入机完成，整个过程中离子束沉积设备与离子注入机都是单独工作，不相互干扰；C与N的简单的进行反应得到CN薄膜，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
离子束沉积离子注入机薄膜衬底表面衬底制备氩离子轰击独立控制可控性真空腔油污去除离子连通清洗室内

[发明专利]制造硅绝缘体晶圆的单晶圆植入机-CN200880107324.8无效
发明人：朱利安·G·布雷克;由里·艾洛克海;乔纳森·吉罗德·英格兰 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。
制造绝缘体单晶圆植入

[发明专利]离子束稳流装置及电弧离子镀设备-CN202310919927.4在审
发明人：廖斌;欧阳潇;陈琳;罗军;英敏菊;庞盼 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开一种离子束稳流装置，包括弧电源、阴极组件以及触发组件，其中，弧电源的正极接地；阴极组件包括阴极靶材和靶材座，靶材座处还设置永磁体；触发组件包括触发电极、触发针和辅助阳极板。弧电源在靶材座和触发电极施加电压，使触发针与阴极靶材接触形成短路，瞬间形成电弧，在电弧中形成等离子体，电弧斑在阴极靶材表面移动；辅助阳极板接地，当电弧斑运动至阴极靶材边缘时，由于辅助阳极板的电位较阴极靶材的电位高本发明还提供一种电弧离子镀设备，包含上述的离子束稳流装置，提高离子束稳定性，进而提升电弧离子镀质量。
离子束装置电弧离子镀设备

[发明专利]一种绝缘柱的保护方法、有绝缘柱保护装置的离子束箱体-CN202110431267.6在审
发明人：郭世宏;郭浩;黄博文;刘书雨;代洪友;张国洋 -专利权人：博莱达（北京）环境科技有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B03C3/45 文献下载
摘要：本发明属于工业废气脱白除雾领域，具体涉及一种离子束发射箱内部的绝缘柱保护方法和一种有绝缘柱保护装置的离子束箱体。在离子束箱体的侧壁上设置空腔；所述空腔外置于所述离子束箱体的侧壁，并且与所述箱体完全联通；所述空腔在工业废气流经所述离子束箱体的内部时形成负压；绝缘柱安装于所述空腔内。在离子束箱体的侧壁上设置负压空腔，将绝缘柱设置于该负压空腔内，避免了绝缘柱与工业废气的大量接触，有效的保护了绝缘柱，延长了了离子束箱体的维护周期，降低了企业的生产成本。
一种绝缘保护方法保护装置离子束箱体

[发明专利]一种重离子同步加速器-CN201711362947.7有效
发明人：石健;夏佳文;杨建成 -专利权人：惠州离子科学研究中心;中国科学院近代物理研究所
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H05H13/04 文献下载
摘要：一种重离子同步加速器，包括环形真空管道，所述环形真空管道具有多个直线离子束段和多个曲线离子束段，其中所述多个直线离子束段和所述多个曲线离子束段交替排列，重离子从第一直线离子束段注入，从另一个直线离子束段引出，每个曲线离子束段包括串联的第一二极磁铁和第二二极磁铁，重离子由第一二极磁铁运行至第二二极磁铁，第一二极磁铁和第二二极磁铁之间顺序设置有垂直校正磁铁和垂直聚焦四极磁铁，第二二极磁铁下游的直线离子束段依次设置有水平校正磁铁
一种离子同步加速器

[发明专利]具有光子导向性的单光子源的制备方法-CN201310529255.2有效
发明人：李无瑕;姜倩晴;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有光子导向性的单光子源的制备方法，包括：在金刚石块材中定位色心的位置；使用多组环形离子束图案组，在金刚石块材表面刻蚀出以色心为球心的半球形表面，在每组环形离子束图案组中，各环形离子束图案的环心错开，各环形离子束图案的内圈半径相等，各环形离子束图案的外圈半径相等，且各环形离子束图案的环心均匀分布在一个圆周上，各组环形离子束图案的内圈半径逐步缩小直至趋近于0，各组环形离子束图案的外圈半径逐步增大，使金刚石块材中形成围绕半球体的侧壁为抛物面
离子束单光子源图案金刚石块导向性光子色心金刚石抛物面图案组环心内圈制备相等球心半球形表面表面刻蚀逐步缩小逐步增大半球体单光子错开侧壁焦点

[发明专利]一种机械切削-离子束刻蚀制备光栅方法-CN201811190334.4有效
发明人：相连钦;祝晓勇 -专利权人：宁波源禄光电有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械切削‑离子束刻蚀制备光栅方法，克服制作高密度刻线的衍射光栅过程中，切削刀具刀尖圆角使得光栅衍射效率下降的影响。本发明是一种在机械切削基础上采用离子束刻蚀的方法，通过一块机械切削母板光栅复制而来的子板光栅，在其表面镀上Al或GaAs膜等其他反射膜，并选择合适离子束入射角进行离子束刻蚀，刻槽槽底圆弧部分离子束刻蚀速率比刻槽其它部分快，可清除圆弧，使得圆弧刻蚀成尖角，且光栅闪耀角在离子束刻蚀过程中保持不变，刻槽深度增加，提高光栅衍射效率。与一般全息‑离子束刻蚀光栅相比，本发明提供的机械切削‑离子束刻蚀制备光栅方法，易于实现小闪耀角简便，易显著提高光栅使用波段的衍射效率等优势。
一种机械切削离子束刻蚀制备光栅方法

[发明专利]用于照射肿瘤组织的离子束照射装置-CN01806133.8有效
发明人：格哈德·克拉夫特 -专利权人：重离子研究有限公司
申请日： 2001-03-07 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： A61N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于相对水平设置的病人卧榻在不同角度下照射肿瘤组织的离子束照射装置及进行该离子束照射的方法，其中病人卧榻设有一个可绕垂直轴转动的转动装置，及离子束照射装置具有下列照射系统中的至少一个第一照射系统，它具有一个对称的或不对称的、位置固定的扫描系统，后者具有相对水平方向的偏转角度达±15°的一个中心离子束偏转范围及可作到在中心离子束偏转范围中扫描肿瘤容积，及具有一个用于病人卧榻的附加升降装置，第二照射系统，它具有一个比第一照射系统更大偏转角度的离子束偏转装置，及一个设在离子束偏转装置下游并可与离子束偏转装置的偏转角度同步摆动的、用于扫描肿瘤容积的对称扫描单元。
用于照射肿瘤组织离子束装置