“离子束辅助”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1708890个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理装置及具有其的基板处理系统-CN201210336972.9有效
发明人：魏奎镕 -专利权人：圆益IPS股份有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明是涉及基板处理装置及具有其的基板处理系统，更详细地说是将离子束照射到基板上来执行基板处理的基板处理装置及具有其的基板处理系统。本发明公开的基板处理装置，其特征在于，包括：工序室，设置有移送安置有一个以上基板的托盘的移送路径；离子束照射部，设置于所述移送路径的上侧，向设定于所述移送路径上的离子束照射区域照射从离子束源中发生的离子束，从而使所述托盘在位于所述离子束照射区域时，对基板表面照射离子束；束阻断部，设置于所述移送路径的下侧，从而在所述托盘不位于所述离子束照射区域时，防止离子束直接照射到工序室上。
处理装置具有系统

[发明专利]离子沉积设备-CN200780027492.1有效
发明人：加里·普劳德富特;克里斯托弗·戴维·乔治;保罗·埃杜拉多·利马;戈登·罗伯特·格林;罗伯特·肯尼思·特罗韦尔 -专利权人：阿维扎技术有限公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01J37/305 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽离子束沉积设备(100)，该设备包括一离子源(101)，一目标物体(102)，一可倾斜的基底台子(103)和一辅助出口(104)。目标物体(102)是卡盘的形式，它携带了多个目标物体，离子源(101)被设置成产生基本长方形断面的离子束(105)。
离子沉积设备

[发明专利]一种超低损耗腔镜的镀膜工艺-CN201010601207.6无效
发明人：吴先云 -专利权人：福建福晶科技股份有限公司
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：传统的离子束辅助沉积镀膜方式镀制的腔镜，损耗较大，其损耗一般在500ppm以上，本发明采用双离子束溅射方式，镀前使用超声波清洗，离子束预清洗工艺，镀后进行适当的退火处理，得到非常致密、粗糙度极低，低温漂
一种损耗镀膜工艺

[发明专利]用于等离子体沉积和处理的方法及系统-CN201880055751.X有效
发明人：彼得·F·范德莫伊伦 -专利权人：彼得·F·范德莫伊伦
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：离子束处理或植入系统包括发射具有给定间距的多个平行离子束的离子源。具有不均匀磁场的第一透镜磁体接收来自离子源的多个离子束并将多个离子束朝向共同点聚焦。系统可以可选地包括具有不均匀磁场的第二透镜磁体，该第二透镜磁体接收由第一透镜磁体聚焦的离子束并将该离子束重新导向，使得离子束具有平行的布置且在朝向目标基材的方向上具有比给定间距更靠近的间距。
用于等离子体沉积处理方法系统

[发明专利]用于离子注入的组合静电透镜系统-CN201580070493.9有效
发明人：爱德华·C·艾伊斯勒;伯·范德伯格 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明提出用于以低能量将离子注入工件内的系统及方法。提供配置成生成离子束的离子源，其中，质量解析磁体被配置成质量解析该离子束。离子束可以是带状射束或经扫描的点状离子束。定位于质量解析磁体下游的质量解析孔径过滤离子束中的不良粒种。组合静电透镜系统被定位于质量分析器的下游，其中，使离子束的路径偏转并且大体上滤除离子束中的污染物，同时使离子束减速并平行化。工件固持与平移系统进一步被定位于组合静电透镜系统的下游并被配置成选择性使工件在一个或多个方向上平移通过离子束，在其中将离子注入工件内。
用于离子注入组合静电透镜系统

[发明专利]一种基于位移偏离的离子束校准装置-CN202110917445.6在审
发明人：孙宗丽;伦俊杰;孟凡瑞 -专利权人：昌乐县人民医院
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于位移偏离的离子束校准装置，至少包括控制单元、离子束偏转组件和深度调节单元，控制单元接收位移检测装置发送的肿瘤组织的位移信息，在深度调节单元的出光侧设置有离子聚焦组件，所述离子聚焦组件设置在离子束的发射路径上并将通过深度调节板的扩散的离子束聚焦在靶区，响应于所述位移检测装置发送的待照射位置的位移信息，所述控制单元控制深度调节板和至少一个能够使得离子束聚焦的离子聚焦组件来调节离子束的路径，直至离子束的照射点与待照射位置匹配。本发明调整离子束的路径并使得离子束聚焦，根据肿瘤位置的位移直接进行离子束的聚焦点的适应性调整，照射的精确度更高，对健康组织的损害更小。
一种基于位移偏离离子束校准装置

[发明专利]离子束辅助沉积铂－碳混合膜的工艺方法-CN200710046884.4无效
发明人：江炳尧;冯涛;王曦;柳襄怀 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明采用离子束辅助沉积技术沉积铂－碳混合膜，即在溅射沉积铂－碳混合膜的同时，由于利用碳原子的溅射率随辅助轰击氩离子的能量的增大而迅速增大的特点，通过调节辅助轰击氩离和剂量，精确控制铂－碳混合膜的铂/碳成份比本发明易在普通离子束辅助沉积设备上实现，工艺简单、成本低，特别适合在实验室条件下制备少量的实验样品用。
离子束辅助沉积混合工艺方法

[发明专利]在AEF区域内原位进行束膜稳定或去除的系统和方法-CN201880062832.2在审
发明人：陶天照;大卫·柯克伍德 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入系统，其具有配置为形成离子束的离子源以及具有AEF区域的角能量滤波器(AEF)。气体源通过膜与气体的反应而钝化和/或蚀刻留存于AEF上的膜。该气体可为氧化气体或含氟气体。气体源可在形成离子束的同时选择性将气体供应到AEF区域。加热AEF，以辅助气体钝化和/或蚀刻膜。热量可源自离子束和/或源自与AEF相关联的辅助加热器。
aef 区域内原位进行稳定去除系统方法

[发明专利]离子分离器、离子同轴传输束线及离子束加速器-CN202211631489.3在审
发明人：朱昆;颜学庆;蔡实现;黄维 -专利权人：广东省新兴激光等离子体技术研究院
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G21K1/087 文献下载
摘要：本申请涉及一种离子分离器、离子同轴传输束线及离子束加速器，所述离子同轴传输束线包括离子分离器和离子合束器；其中，离子分离器包括同轴连接的第一电磁场结构和第二电磁场结构；离子合束器包括串联连接的第三电磁场结构和第四电磁场结构；离子分离器用于将不同离子束进行分离成多个同轴平行传输的离子束流；离子合束器用于通过将所述同轴平行传输的离子束流合并成同轴传输的离子束流。本申请的技术方案，具有束线长度短，体积小巧灵活的特点，可以有效分离不同类型的离子束流，过滤不需要的离子，并实现多种离子束合并到一条束流线上，同时同轴加速性能。
离子分离器同轴传输离子束加速器

[发明专利]基板处理设备以及磁记录介质制造方法-CN200910161707.X有效
发明人：山中和人;芝本雅弘;三好步;人见聪;大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法，该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和/或损坏。根据本发明实施例的基板处理设备包括向基板(W)的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器，其中，第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板(W)相对布置，并且第一离子束产生器的第一栅格以及第二离子束产生器的第二栅格的每一个中与基板(W)的开口相对应的区域封闭。
处理设备以及记录介质制造方法

[发明专利]基板处理设备以及磁记录介质制造方法-CN200910161710.1有效
发明人：山中和人;芝本雅弘;三好步;人见聪;大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种基板处理设备以及磁记录介质制造方法，该基板处理设备能够抑制经由基板相对布置的离子束产生器内部的相互污染和/或损坏。根据本发明实施例的基板处理设备包括向基板的一个待处理表面照射离子束的第一离子束产生器以及向另一个待处理表面照射离子束的第二离子束产生器，其中，第一离子束产生器和第二离子束产生器经由基板相对布置，并且第一离子束产生器中的第一栅格和第二离子束产生器中的第二栅格配置成相互不对称
处理设备以及记录介质制造方法

[发明专利]一种基于机器学习的离子束刻蚀速率优化匹配方法-CN201911127647.X有效
发明人：景晓军;黄海;杨威;刁克明;吴胜;任国庆 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G05B19/408 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种离子束刻蚀加工的工艺参数确定方法、装置及电子设备，方法包括：从预先设置的工艺参数数据集中获取工艺参数组；将每个所述工艺参数组输入离子束刻蚀速率预测模型，根据所述工艺参数组包括的工艺参数，确定每个所述工艺参数组对应的离子束刻蚀速率；将所述离子束刻蚀速率中大于所述预设离子束刻蚀速率的离子束刻蚀速率去除；确定所述离子束刻蚀速率中最大的离子束刻蚀速率对应的工艺参数组包括的工艺参数，作为目标工艺参数应用本发明实施例，可以方便确定最高的离子束刻蚀速率对应的工艺参数，提高工作效率。
一种基于机器学习离子束刻蚀速率优化匹配方法

[发明专利]一种检测装置、离子植入设备及离子束剖面的离子浓度分布的可视化方法-CN201910735926.8在审
发明人：唐瑞龙;廖宜专;吴宗祐;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本发明提供一种检测装置、离子植入设备及离子束剖面的离子浓度分布的可视化方法，检测装置用于检测离子束剖面方向的离子浓度分布，包括：检测屏，所述检测屏能够接收所述离子束辐照的一侧涂布有磷光材料；和处理器，与所述检测屏电性连接，能够根据所述磷光材料因接收所述离子束辐照而产生的磷光响应，获得所述离子束剖面的离子浓度分布，利用磷光材料在电磁辐射和离子射线激发下能发出磷光的特性，根据磷光材料因接收离子束辐照而产生的磷光响应，获得离子束剖面的离子浓度分布，其结构简单，且能够获得直观的磷光响应图像以供分析或计算，为离子束剖面的离子浓度分布检测提供了便利。
浓度分布离子束离子磷光材料磷光离子束辐照检测屏离子植入设备可视化种检测响应电磁辐射电性连接检测装置离子射线剖面方向检测处理器直观图像便利激发分析

[发明专利]利用可变孔隙来进行的离子注入法以及离子注入机-CN201110072190.4无效
发明人：万志民;约翰·D·波拉克;唐·贝瑞安;任克川 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种具有可变孔隙的孔隙调整装置，用以先改变离子束形状，特别是在衬底附近改变离子束的最终形状，然后再以成形后离子束来对衬底进行离子注入。因此，衬底的不同部分或是不同的衬底，可在不使用公知通过多个固定孔隙或是每次都要重新调整离子束等方法的情况下，分别通过不同的成形后离子束来进行离子注入。换句话说，不需要高成本与复杂的操作步骤，即可达成分别通过特制离子束来进行不同离子注入的目的。另外，相较于现有技术，由于可变孔隙的调整可通过机械操作而易于达成，故能加速离子束调整过程，以获得进行离子注入的一特定离子束的离子束调整过程。
利用可变孔隙进行离子注入以及

[发明专利]使用角能量过滤器的角扫描-CN201580021611.7有效
发明人：卡森·高全·任;威廉·宾茨 -专利权人：艾克塞利斯科技公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01J37/147 文献下载
摘要：提供了一种离子注入系统和方法，用于在被扫描的离子束撞击工件的同时改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。所述系统具有被配置为形成离子束的离子源和被配置为对离子束进行质量分析的质量分析器。离子束扫描器被配置为沿第一方向对离子束进行扫描，从而限定被扫描的离子束。工件支撑件被配置为在其上支撑工件，并且角度注入装置被配置为改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。所述角度注入装置包括角能量过滤器和可操作地耦接到工件支撑件的机械装置中的一个或多个，其中控制器控制所述角度注入装置，从而在被扫描的离子束撞击工件的同时改变被扫描的离子束相对于工件的入射角度。
使用能量过滤器扫描