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[发明专利]多离子束共溅射淀积纳米膜装置-CN02114138.X无效
发明人：雷卫武 -专利权人：雷卫武
申请日： 2002-05-21 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有单离子束和双离子束以及多离子束溅射淀积，能产生单质、二组元、三组元、四组元成分，原位反应共溅射淀积纳米膜(含微米膜)的、具有批量生产能力的、通用性强、运行可靠的多离子束共溅射淀积纳米膜装置，同时该装置还具有离子束辅助淀积、离子束轰击原位剥离靶材和衬底基片、实现原子级清洁功能以及离子束微结构加工功能。该装置是利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜，性能得到较大的提高。
离子束溅射纳米装置

[实用新型]多离子束共溅射淀积纳米膜装置-CN02224078.0无效
发明人：雷卫武 -专利权人：雷卫武
申请日： 2002-05-21 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有单离子束和双离子束以及多离子束溅射淀积，能产生单质、二组元、三组元、四组元成分，原位反应共溅射淀积纳米膜(含微米膜)的、具有批量生产能力的、通用性强、运行可靠的多离子束共溅射淀积纳米膜装置，同时该装置还具有离子束辅助淀积、离子束轰击原位剥离靶材和衬底基片、实现原子级清洁功能以及离子束微结构加工功能。该装置是利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜。这种以纳米尺寸的逐原子层淀积的薄膜，性能得到较大的提高。
离子束溅射纳米装置

[发明专利]一种宽度可调的宽带束离子注入机-CN202210341801.9在审
发明人：欧欣;刘仁杰;彭强祥;林家杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种宽度可调的宽带束离子注入机，包括离子束发生组件、离子束分析组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件及离子束调节组件，离子束发生组件产生带状离子束，离子束分析组件与离子束发生组件配合，由离子束分析组件对离子束发生组件产生的离子束进行分析，离子束汇聚组件与离子束分析组件配合，由离子束汇聚组件对分析后的离子束进行分区汇聚，形成若干相互分离的离子束，离子束发散组件与离子束汇聚组件配合，由离子束发散组件对分区汇聚后的离子束进行发散，使相邻离子束相互交叠，离子束调节组件与离子束发散组件配合，由离子束调节组件将离子束发散组件发散后的离子束调节形成平行离子束，并对其宽度进行调节，以提升离子注入效率。
一种宽度可调宽带离子注入

[发明专利]具有超大离子束发散角的离子源-CN201210270460.7有效
发明人：徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;杭凌侠;弥谦;严一心 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用在光学真空镀膜机（离子束辅助沉积设备）或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。本发明通过一组正交的磁场，对引入磁场中的离子束方向进行控制，通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律，可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小，就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比，本发明的优点是：1、离子源输出的离子束发散角可达180°；2、离子束发散角可以根据实际需要进行调节，可满足不同薄膜沉积过程的需要；3、离子束流密度的均匀性好。
具有超大离子束发散离子源

[发明专利]表面带有Hf-Si-N梯度涂层的医用镁合金及其制备方法-CN201110090572.X有效
发明人：金国;崔秀芳;李莉;郝金龙;王忠禹 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2011-04-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：(1)对镁合金基材进行前处理；(2)在前处理后的镁合金基材表面利用离子束辅助气相沉积制备一层致密Mg薄膜；(3)在制备好的Mg薄膜表面利用离子束辅助气相沉积制备Mg-Hf梯度涂层；(4)在制备好的Mg-Hf梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-N梯度涂层；(5)在制备好的Hf-N梯度涂层表面利用离子束辅助气相沉积制备Hf-Si-N梯度涂层。本发明选用的镁合金是目前正在广泛研究的潜在的生物医用材料，通过离子束辅助气相沉积(IBAD)方法在医用镁合金表面制备Hf-Si-N薄膜，以提高其耐腐蚀、耐磨损性能，并进一步提高其生物相容性。
表面带有 hf si 梯度涂层医用镁合金及其制备方法

[发明专利]低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法-CN200410044605.7无效
发明人：杨少延;刘志凯;柴春林;陈诺夫;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明一种低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法，其特征在于：氧化物薄膜材料的沉积生长步骤如下：将氧化物靶材及清洗后的衬底置入生长室；将生长室抽真空；利用脉冲激光辐照氧化物靶材，同时用低能离子束装置产生的低能氧离子束轰击衬底，低能氧离子束起辅助生长与补充脉冲激光沉积法制备氧化物薄膜过程中缺失的氧的作用。
低能离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜方法

[实用新型]离子束传输控制系统-CN200620008186.6无效
发明人：王迪平;罗宏洋;郭健辉;田小海;文超 -专利权人：北京中科信电子装备有限公司
申请日： 2006-03-17 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离子束传输控制系统，由离子束产生装置、离子束分析装置、测束杯离子束检测装置、离子束调整装置、靶室离子束检测装置、计算机控制系统组成，离子束产生装置产生的离子束流I₀传输给离子束分析装置，分析后再进入测束杯离子束检测装置，检测分析离子束流的大小；然后进入离子束调整装置对离子束流I₁进行品质优化，最后进入靶室离子束检测装置，检测最终获得的束流I₂的大小，计算机控制系统与离子束产生装置、离子束分析装置、测束杯离子束检测装置、离子束调整装置、靶室离子束检测装置同时分别连接，对离子束流进行控制和参数调整。
离子束传输控制系统

[发明专利]一种可自定义选区的离子注入机及方法-CN202310817055.0在审
发明人：林家杰;刘仁杰 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种可自定义选区的离子注入机及方法，包括离子束发生组件、离子束引导组件、离子束汇聚组件、离子束发散组件和离子束选区组件；离子束发生组件用于产生带状离子束；离子束引导组件用于改变离子束的方向；离子束汇聚组件用于将离子束分成多个单独的小区域；汇聚后的离子束在经过离子束发散组件后，形成平行带状离子束；离子束选区组件的输入端朝向离子束发散组件设置，离子束选区组件的输出端朝向基板设置，平行带状离子束经过离子束选区组件形成图案化离子束本发明设有离子束选区组件，其包括掩膜板，掩膜板包括板体以及设置在板体上的凸块，带状离子束在经过掩膜板后形成图案化离子束，实现对晶圆的图案化选取注入。
一种自定义选区离子注入方法

[发明专利]一种3D打印辅助离子束抛光方法-CN201910463117.6有效
发明人：唐瓦;邓伟杰;尹小林;薛栋林;张学军 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B29D11/00 文献下载
摘要：本发明提供的3D打印辅助离子束抛光方法，利用3D打印技术在在待加工光学镜面上上制作高精度牺牲层，再对牺牲层进行离子束刻蚀加工，将牺牲层表面面形精度复制到光学镜面上，突破离子束抛光技术对镜面中高频去除能力低的技术瓶颈，提升离子束抛光光学镜面，尤其是非球面的加工效率及加工精度，拓展离子束抛光技术的应用范围，本发明提供的3D打印辅助离子束抛光方法，利用3D打印技术制造镜面牺牲层，与现有的旋涂、喷涂等加工手段相比，3D打印技术制作的表面牺牲层确定性更好
一种打印辅助离子束抛光方法

[发明专利]一种带状离子束注入系统-CN202210650058.5在审
发明人：彭强祥;林家杰;刘仁杰;欧欣 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种带状离子束注入系统，包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件及离子束调节组件，该带状离子束注入系统采用分离狭缝将带状离子束分离形成相互独立的离子束，并采用螺旋线圈对分离后的离子束进行分别汇聚，采用扩散透镜对汇聚后的离子束分别进行扩散，还采用法拉第杯对离子束的电流密度分布进行检测，采用控制器根据离子束的电流密度分布情况对离子束汇聚组件及离子束调节组件的运行状态进行调节，可以将宽带束的离子束分离成多个接近点状分布的区域，再在每个小区域内对离子束进行调制，最后将调制后的各部分离子束聚合形成高均匀性电流分布的宽带束离子束，有利于降低宽带束离子束的调制难度。
一种带状离子束注入系统

[实用新型]一种具有超大离子束发散角的离子源-CN201220376962.3有效
发明人：徐均琪;苏俊宏;惠迎雪;杭凌侠;弥谦;严一心 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2012-08-01 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用在光学真空镀膜机（离子束辅助沉积设备）或离子束溅射及刻蚀设备中的离子源，特别涉及一种具有超大离子束发散角的离子源。本实用新型通过一组正交的磁场，对引入磁场中的离子束方向进行控制，通过设定X、Y方向电磁线圈的电压变化规律，可以实现离子束的空间扫描。调节电磁线圈的电流大小，就可以实现离子束的空间发散角控制。与现有技术相比，本实用新型的优点是：1.离子源输出的离子束发散角可达180°；2.离子束发散角可以根据实际需要进行调节，可满足不同薄膜沉积过程的需要；3.离子束流密度的均匀性好。
一种具有超大离子束发散离子源

[发明专利]一种离子注入装置及调节方法-CN202210380033.8在审
发明人：刘仁杰;林家杰;欧欣;彭强祥 -专利权人：浙江中科尚弘离子装备工程有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本发明提出一种离子注入装置及调节方法，该装置包括离子束发生组件、离子束分离组件、离子束汇聚组件、离子束扩散组件、汇聚调节组件、扩散调节组件及调节控制组件，离子束过滤组件与离子束发生组件配合，对离子束发生组件产生的离子束进行分离，离子束汇聚组件与离子束分离组件配合，对分离后的离子束进行分别汇聚，离子束扩散组件与离子束汇聚组件配合，对汇聚后的离子束进行扩散，汇聚调节组件与离子束汇聚组件配合，对离子束汇聚组件的运行状态进行调节，扩散调节组件与离子束扩散组件配合，对离子束扩散组件的运行状态进行调节，调节控制组件与汇聚调节组件及扩散调节组件配合，对汇聚调节组件及扩散调节组件的调节过程进行控制。
一种离子注入装置调节方法

[发明专利]一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法-CN202111669411.6在审
发明人：郑枝源;蒋中原;李佳鹤;杨宇新;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法。一种离子束刻蚀腔颗粒的去除方法包括以下步骤：离子束刻蚀晶圆工艺结束后，采用反应离子束在预定的离子能量、离子束流和气体存在下刻蚀离子束刻蚀腔后抽真空。本发明采用反应离子束刻蚀离子束刻蚀腔，可以减少离子束刻蚀腔室内的颗粒数量，改善离子束刻蚀腔室内环境，提高离子束刻蚀稳定性和产品良率。
一种离子束刻蚀颗粒去除方法

[发明专利]一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置-CN201310576275.5有效
发明人：周灵平;朱家俊;彭坤;李德意;杨武霖;李绍禄 -专利权人：湖南大学
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种离子束磁控溅射复合镀膜的装置。该装置将离子束、磁控溅射两种镀膜技术集成于一个真空室，通过设计多个镀膜工位并经样品台旋转与镀膜工位重合完成不破坏真空情况下的复合镀膜，设备可实现离子束溅射沉积、离子束辅助沉积、离子束直接沉积、单靶磁控溅射沉积、双靶磁控溅射聚焦共沉积、双靶磁控溅射垂直沉积多层膜、离子束磁控溅射复合镀膜等多种镀膜方式，大大扩展了设备的生产和研究功能。利用该装置采用离子束磁控溅射两步法沉积微晶硅薄膜可充分提高微晶硅薄膜的晶化率；同时可有效减小薄膜与基体间内应力，增加薄膜与基体间的结合强度；镀膜在同一真空室内完成，节约设备成本。
一种离子束磁控溅射复合镀膜装置

[发明专利]一种金属硫化物类金刚石复合薄膜的制备方法-CN201010132916.4有效
发明人：岳文;王成彪;付志强;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种金属硫化物DLC复合薄膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，在过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成至少包含W、Mo、Fe中的一种金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，最后利用离子硫化获得高硫含量的金属硫化物
一种金属硫化物类金刚石复合薄膜制备方法