“磷掺杂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果200642个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]薄膜晶体管结构-CN201410713161.5在审
发明人：胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;黄亚清;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；所述半导体层与源极及漏极之间还设有欧姆接触层，所述欧姆接触层进一步包括层叠的第一磷掺杂层、第二磷掺杂层及第三磷掺杂层，其中，所述第一磷掺杂层靠近半导体层，所述第三磷掺杂层靠近源极及漏极，且所述第一磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第二磷掺杂层的磷掺杂浓度，所述第二磷掺杂层的磷掺杂浓度小于第三磷掺杂层的磷掺杂浓度
薄膜晶体管结构

[实用新型]半导体器件-CN202121930118.6有效
发明人：叶长福;蔡亚萤;吕佐文;陈旋旋;上官明沁 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件，包括设置于所述基板表面内并延伸至所述基板内部的接触孔；覆盖所述接触孔内壁和所述基板上表面的硅晶种层；覆盖所述硅晶种层远离所述基板的表面的第一磷掺杂硅层；覆盖所述第一磷掺杂硅层远离所述硅晶种层的表面的第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量；所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度；在所述接触孔位置处，所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的界面处形成有至少一个空洞空洞位于第一磷掺杂硅层和第二磷掺杂硅层的界面处，使得在上述膜层图案化过程中，不会对上面的膜层产生影响。
半导体器件

[发明专利]含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法-CN200980121738.0有效
发明人：黄红敏;C·高;Z·丁;A·彭;刘亚群 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：提供含磷掺杂剂、在半导体材料中形成磷掺杂区域的方法以及制备含磷掺杂剂的方法。在一个实施方案中，含磷掺杂剂包含磷源，该磷源包含含磷盐、含磷酸、含磷阴离子或其组合；碱性材料、源自碱性材料的阳离子或其组合；和液体介质。
掺杂以及使用半导体衬底形成区域方法

[发明专利]避免磷掺杂多晶硅缺陷的方法及存储器单元的制造方法-CN201910849099.5在审
发明人：杨辉;陈宏;曹子贵;曹启鹏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免磷掺杂多晶硅缺陷的方法及存储器单元的制造方法，该避免磷掺杂多晶硅缺陷的方法包括：提供一具有重掺杂多晶硅层的晶片，其中，所述重掺杂多晶硅层中的磷掺杂浓度为1x10¹⁸～1x10²²atom/cm³；进行后清洗工艺去除从重掺杂多晶硅层表面析出的磷及形成的含磷污染物，以避免该磷和含磷污染物对后续刻蚀造成影响而导致刻蚀残留；刻蚀去除该晶片表面的重掺杂多晶硅层本发明可以对具有磷掺杂的多晶硅的晶片进行清洗，除去磷及磷在多晶硅表面析出形成的含磷污染物，可以避免磷掺杂的多晶硅后续刻蚀有残留或者与其他层之间存在污染物造成可靠性问题，提高良率。
磷掺杂刻蚀重掺杂多晶硅层磷污染物多晶硅缺陷析出多晶硅晶片去除残留掺杂多晶硅层存储器单元多晶硅表面可靠性问题晶片表面清洗工艺良率清洗污染物制造

[发明专利]一种燃料电池阴极催化剂磷掺杂片层石墨及其制备方法-CN201010528650.5无效
发明人：刘滋武;彭峰;王红娟;余皓;杨剑 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明提供一种燃料电池阴极催化剂磷掺杂片层石墨及其制备方法，其活性组分为：磷掺杂片层石墨；其中，磷的含量为：3.0wt％-6.5wt％。制备方法采用CVD法在石墨制备的同时掺杂磷原子，来制备磷掺杂片层石墨。该磷掺杂片层石墨催化剂既可用于酸性燃料电池，也可用于碱性燃料电池。
一种燃料电池阴极催化剂掺杂石墨及其制备方法

[发明专利]一种氮磷掺杂碳材料和制备方法及其作为燃料电池阴极催化剂的应用、燃料电池-CN201811267245.5有效
发明人：梁靓;王翊钧 -专利权人： CNUS技术公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01M4/96 文献下载
摘要：本发明涉及燃料电池领域，尤其涉及一种氮磷掺杂碳材料和制备方法及其作为燃料电池阴极催化剂的应用、燃料电池。本发明提供的氮磷掺杂碳材料，在多孔碳材料中掺杂氮和磷；所述氮磷掺杂碳材料中氮元素的质量含量为3％～10％；所述氮磷掺杂碳材料中磷元素的质量含量为2％～10％。本发明提供的氮磷掺杂碳材料在燃料电池中作为阴极材料催化剂，有较好的催化性能，能够有效提高燃料电池的功率密度。
一种掺杂材料制备方法及其作为燃料电池阴极催化剂应用

[发明专利]一种超薄的磷掺杂氮化碳纳米片及其制备方法、光催化降解双酚A的方法-CN202110475681.7在审
发明人：陈洁洁;刘练练;陈飞;俞汉青 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种超薄的磷掺杂氮化碳纳米片，所述磷掺杂氮化碳纳米片中，磷杂原子掺杂在纳米片的表面；所述磷掺杂氮化碳纳米片的厚度为0.3～0.6nm。本发明采用表面磷化的方法，在氮化碳纳米片中引入磷杂原子，磷的引入改变了氮化碳的电子结构，提高了对可见光的吸收能力，加快了光生电子空穴对的转移和分离。该磷掺杂氮化碳纳米片，具有扩大的表面积，能够暴露出更多的活性位点，从而使得本发明提供的磷掺杂氮化碳纳米片，能够在可见光催化降解双酚A，而且本发明提供的磷掺杂氮化碳纳米片的制备方法，操作简单，成本低，适于工业化推广和应用
一种超薄掺杂氮化纳米及其制备方法光催化降解

[发明专利]半导体器件的制备方法及半导体器件-CN202110943002.4有效
发明人：叶长福;蔡亚萤;吕佐文;陈旋旋;上官明沁 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该制备方法包括将所述反应腔室加热至第二预设温度，在所述硅晶种层上方形成第一磷掺杂硅层；将所述反应腔室加热至第三预设温度，在所述第一磷掺杂硅层上方形成第二磷掺杂硅层；其中，所述第二磷掺杂硅层的磷掺杂量不同于所述第一磷掺杂硅层的磷掺杂量，所述硅晶种层、所述第一磷掺杂硅层和所述第二磷掺杂硅层的总厚度大于或等于所述接触孔的深度。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中去除氢杂质的方法与装置-CN201810180384.8有效
发明人：刘胜;申胜男;李辉;沈威;彭庆;严晗 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： C01B32/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中去除氢杂质的方法与装置，在n型磷掺杂金刚石薄膜制备过程中同时施加飞秒激光与温度场，飞秒激光仅将n型磷掺杂金刚石薄膜中的磷氢键价电子激发到激发态；温度场仅将价电子激发到激发态的磷氢键断裂通过在n型磷掺杂金刚石薄膜的制备过程中施加飞秒激光与温度场，断裂n型磷掺杂金刚石薄膜中的磷氢键，去除薄膜中的氢元素，进而改善n型磷掺杂金刚石的电学性能。
磷掺杂金刚石薄膜制备过程去除飞秒激光磷氢键温度场激发态价电子氢元素氢杂质薄膜断裂施加电学性能金刚石激发

[发明专利]一种锂离子电池用磷掺杂富锂锰基正极材料及其制备方法-CN201810955731.X有效
发明人：王振波;王敏君;玉富达;隋旭磊;赵磊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池用磷掺杂富锂锰基正极材料的制备方法，具体包括制备沉淀剂溶液、制备金属盐溶液、制备磷掺杂的镍钴锰碳酸盐前驱体、制备磷掺杂富锂锰基正极材料的步骤；其中将焦磷酸化合物作为磷源溶解于沉淀剂溶液中，再采用共沉淀的方法即可得到磷掺杂的镍钴锰化合物前驱体，最后经过高温烧结即可得到磷掺杂富锂锰基正极材料；本发明公开的制备方法简单，且制备得到正极材料不仅在表面掺杂磷，而且在材料内部也均匀掺杂磷，使得材料的性能稳定
一种锂离子电池掺杂富锂锰基正极材料及其制备方法

[实用新型]采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池-CN200820038904.3无效
发明人：汪钉崇;邓伟伟 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：它包括硅片，硅片表面下的高掺杂区和低掺杂区，在高掺杂区上印刷有作为高掺杂扩散磷源的磷浆，在低掺杂区上具有该磷浆中的部分磷通过沉积作用沉积到硅片表面作为低掺杂扩散磷源的沉积磷层。
采用选择性一次扩散工艺太阳能电池

[发明专利]基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法-CN202210526740.3在审
发明人：李全福;孙曼莉;陈武良;徐敏华;彭慧玲 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，具体涉及一种基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器及制备方法。五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器，利用五氧化二磷作为反应源进行磷掺杂的石墨烯，其表面因掺杂而引入大量吸附位点，有助于捕捉更多的气体分子。因此，基于磷原子掺杂石墨烯气体传感器响应速率快、易达到饱和、解吸附快、重复性好、可常温工作。此外，基于五氧化二磷掺杂石墨烯的气体传感器的制备方法中提出的掺杂方法可控性高，CVD系统可以用精确控制掺杂温度、掺杂时间、气体流速和比例，从而控制掺入石墨烯的磷元素的含量。
基于氧化掺杂石墨气体传感器制备方法

[发明专利]一种单晶太阳能电池及其制作方法、一种光伏组件-CN201910367759.6在审
发明人：钱洪强;张树德;李跃;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本申请公开了一种单晶太阳能电池，通过从迎光面到背光面依次接触设置的前表面电极、P型基体硅、遂穿层、磷掺杂层及背表面电极；所述磷掺杂层为经过磷掺杂的N型半导体层；所述磷掺杂层与背表面电极形成欧姆接触，且所述背表面电极与所述遂穿层无直接接触；位于所述遂穿层两侧的所述P型基体硅与所述磷掺杂层中的自由载流子可发生遂穿效应，使所述P型基体硅与所述磷掺杂层实现电连接。本申请需进行磷掺杂生成N型半导体层，而磷掺杂工艺简单，提升所述单晶太阳能电池的生产效率；所述背表面电极与所述磷掺杂层薄膜接触，增大了所述单晶太阳能电池的载流子收集效率。
磷掺杂层单晶太阳能电池背表面磷掺杂遂穿层电极光伏组件载流子收集效率前表面电极自由载流子薄膜接触电极形成接触设置欧姆接触生产效率背光面电连接迎光面申请制备制作

[发明专利]一种氮掺杂磷烯量子点及其制备方法-CN201911397043.7有效
发明人：丘洁龙 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂磷烯量子点及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：将红磷、氰胺类化合物以及催化剂混合并加热，反应生成氮掺杂黑磷材料；将所述氮掺杂黑磷材料研磨成粉状后，加入分散介质和含三价稀土元素的磺酸盐进行超声处理，得到超声分散液；对所述超声分散液进行离心，制得所述氮掺杂磷烯量子点。本发明通过在黑磷材料中掺杂层状结构的氮化物，使得制得的氮掺杂磷烯量子点具有较高的极性，所述氮掺杂磷烯量子点中的氮原子可与水中的氢原子产生氢键相互作用，使得氮掺杂量子点与磷烯量子点相比具有更高的水溶性，从而可有效避免所述氮掺杂磷烯量子点在水溶剂中发生团聚，使得氮掺杂磷烯量子点干燥后容易分散。
一种掺杂量子及其制备方法

[发明专利]一种聚吡咯/磷掺杂石墨化碳复合导电膜电极的制备方法-CN202010080276.0有效
发明人：周利民;欧阳金波;唐晓欢;戴一鸣;刘峙嵘 -专利权人：东华理工大学
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：一种聚吡咯/磷掺杂石墨化碳复合导电膜电极的制备方法，以经过预处理的柚子皮为原料，通过碱活化、磷掺杂、预碳化及高温碳化制备磷掺杂石墨化碳；再将定量聚吡咯溶于N‑甲基吡咯烷酮中，而后按一定质量配比加入磷掺杂石墨化碳混合，制备成聚吡咯/磷掺杂石墨化碳复合导电膜电极，聚吡咯/磷掺杂石墨化碳复合导电膜电极具有高比表面积和良好的导电性及化学稳定性，用于电吸附卤水提锂时，具有锂提取率高、吸附选择性好的优点。
一种吡咯掺杂石墨复合导电电极制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条