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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]磁头和磁记录装置-CN202110857056.9在审
发明人：中川裕治;成田直幸;高岸雅幸;前田知幸;永泽鹤美;首藤浩文 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：层叠体包括第1磁性层、设置于第2磁极与第1磁性层之间的第2磁性层、设置于第2磁极与第2磁性层之间的第3磁性层、设置于第2磁极与第3磁性层之间的第4磁性层、设置于第1磁性层与第1磁极之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第1磁性层之间的第2非磁性层、设置于第3磁性层与第2磁性层之间的第3非磁性层、设置于第4磁性层与第3磁性层之间的第4非磁性层、以及设置于第2磁极与第4磁性层之间的第5非磁性层。第2非磁性层与第2、第1磁性层相接。第3非磁性层与第3、第2磁性层相接。第4非磁性层与第4、第3磁性层相接。
磁头记录装置

[发明专利]自旋轨道转矩磁性装置及其制造方法-CN201911036404.5有效
发明人：林世杰;宋明远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：自旋轨道转矩(Spin‑Orbit‑Torque，SOT)磁性装置，包含底金属层、第一磁性层、间隙壁层及第二磁性层。第一磁性层作为自由磁性层，第一磁性层设置于该底金属层上。间隙壁层设置于第一磁性层上。第二磁性层设置于间隙壁层上。第一磁性层包含下磁性层、中层和上磁性层，且中层是由非磁性层所制成。
自旋轨道转矩磁性装置及其制造方法

[发明专利]磁存储器件-CN201010282801.3有效
发明人：吴世忠;李将银;李济珩;金佑填;林佑昶;郑峻昊;崔锡宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储器件可以包括第一垂直磁性层、在第一垂直磁性层上的非磁性层、以及在非磁性层上的第一结磁性层，其中，非磁性层在第一垂直磁性层和第一结磁性层之间。隧道势垒可以在第一结磁性层上，其中，第一结磁性层在非磁性层和隧道势垒之间。第二结磁性层可以在隧道势垒上，其中，隧道势垒在第一结磁性层和第二结磁性层之间，并且第二垂直磁性层可以在第二结磁性层上，其中，第二结磁性层在隧道势垒和第二垂直磁性层之间。
磁存储器

[发明专利]磁性存储装置-CN202110947732.1在审
发明人：北川英二;李永珉;及川忠昭;泽田和也;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够实现稳定的信息存储的磁性存储装置。本发明的实施方式的磁性存储装置具备积层结构，该积层结构包含：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；第3磁性层，具有相对于第2磁性层的磁化方向反平行的固定的磁化方向；第1非磁性层；第2非磁性层；以及第3非磁性层。第1非磁性层设置在第1磁性层与所述第2磁性层之间，第2磁性层设置在第1非磁性层与第3磁性层之间，第3磁性层设置在第2磁性层与第2非磁性层之间，第3非磁性层设置在第2磁性层与所述第3磁性层之间。第3磁性层含有钴(Co)及铂(Pt)，第2非磁性层含有钼(Mo)及钨(W)中的至少一者，且与所述第3磁性层直接连接。
磁性存储装置

[发明专利]倒置正交自旋转移叠层-CN201380053738.8在审
发明人： A·肯特;D·贝克斯 -专利权人：纽约大学
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性器件包括钉扎磁性层，钉扎磁性层具有第一固定磁化向量，所述第一固定磁化向量具有第一固定磁化方向。磁性器件还包括自由磁性层，具有可变磁化向量，所述可变磁化向量至少具有第一稳态和第二稳态。磁性器件还具有第一非磁性层和参考磁性层。第一非磁性层在空间上分离钉扎磁性层与自由磁性层。磁性器件还包括第二非磁性层，所述第二非磁性层在空间上分离自由磁性层与参考磁性层。位于钉扎磁性层下的磁隧穿结由自由磁性层、第二非磁性层和参考磁性层形成。穿过磁性器件施加具有正或负极性与选定的振幅和持续时间的电流脉冲切换可变磁化向量。
倒置正交自旋转移

[发明专利]一种磁性多层膜及磁性存储器-CN202310026081.1在审
发明人：吴迪;李尚坤 -专利权人：苏州凌存科技有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开一种磁性多层膜及磁性存储器，其中，一种磁性多层膜包括第一磁性层和磁性存储器件，磁性存储器件包括第二磁性层和磁性存储单元，第二磁性层与第一磁性层叠层设置，磁性存储单元与第二磁性层背离第一磁性层的一侧的界面叠层设置，第一磁性层的尺寸分别大于第二磁性层的尺寸和磁性存储单元的尺寸。第一磁性层的形状为长条形，由于形状各向异性，第一磁性层磁矩沿长边方向排列。第一磁性层的磁矩与第二磁性层的磁矩相互耦合。由于耦合作用，第二磁性层的磁矩同样倾向于第一磁性层的长边方向排列。因此第二磁性层可以引入稳定的面内磁场，且磁性存储器件设置为多个，从而增加磁性存储器的存储密度。
一种磁性多层存储器

[发明专利]铁磁性层叠膜、自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器-CN201980006754.9有效
发明人：盐川阳平;佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明的铁磁性层叠膜包括多个第一磁性层、至少一个第二磁性层和至少一个第一非磁性层，第一磁性层与第二磁性层或第一非磁性层交替层叠，构成第一磁性层的材料与构成第二磁性层的材料不同，上述第一磁性层、上述第一非磁性层和上述第二磁性层是在上述第一磁性层与上述第一非磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合，并且是在上述第一磁性层与上述第二磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合。
铁磁性层叠自旋磁化旋转元件磁阻效应磁存储器

[发明专利]具有减小的应力敏感度的磁阻传感器-CN201910602979.2有效
发明人： J·齐默;K·普鲁格尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：例如，一种磁阻传感器，包括第一非磁性层、第二非磁性层和磁性自由双层。磁性自由双层设置在第一非磁性层和第二非磁性层之间，磁性自由双层包括耦合至第二磁性自由层的第二磁性自由层。第一磁性自由层耦合至第一非磁性层，并且第二磁性自由层耦合至第二非磁性层。第二非磁性层包括非磁性材料，其原子半径在第一磁性自由层和第二磁性自由层中的至少一个的原子半径的10％以内。
具有减小应力敏感度磁阻传感器

[发明专利]磁电阻元件、磁头和磁记录/再现装置-CN200410058625.X有效
发明人：福泽英明;汤浅裕美;桥本进;岩崎仁志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-07-23 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：一种磁电阻元件，具有彼此分离的第一磁性层和第二磁性层，第一磁性层和第二磁性层分别具有方向基本上被钉扎的磁化，和与第一磁性层和第二磁性层接触形成并电连接第一和第二磁性层的非磁性导电层，该非磁性导电层形成从一磁性层至另一磁性层的自旋极化电子的路径，非磁性导电层包含位于第一磁性层和第二磁性层之间的部分，该部分为感应区。
磁电元件磁头记录再现装置

[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-CN201711376704.9有效
发明人：长谷川浩太;大桥荣久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含碳化物的粒状结构的磁性层。所述碳化物是所述磁性颗粒中所含的元素的碳化物。
磁性层磁记录介质碳化物垂直磁性层非磁性基板磁性颗粒粒状结构晶界部磁记录再生装置软磁性底层保护层控制层最表层氧化物配向制造

[发明专利]磁记录介质、磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置-CN201711284415.6有效
发明人：长谷川浩太;大桥荣久 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：一种磁记录介质，在非磁性基板上依次具有软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层和保护层。所述垂直磁性层从所述非磁性基板侧依次具有第1磁性层和第2磁性层。所述第2磁性层是包含磁性颗粒的最表层侧的磁性层。所述第1磁性层是晶界部包含氧化物的粒状结构的磁性层。所述第2磁性层是晶界部包含氮化物的粒状结构的磁性层。所述氮化物是所述磁性颗粒中所含的元素的氮化物。
磁性层磁记录介质氮化物垂直磁性层非磁性基板磁性颗粒粒状结构晶界部磁记录再生装置软磁性底层保护层控制层最表层氧化物配向制造

[发明专利]磁性存储器的写入方法-CN200710197175.6有效
发明人：何家骅 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2007-12-10 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：(a)施加外加磁场于磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过磁性自由层，以磁化磁性自由层为第一磁性方向或该第二磁性方向。
磁性存储器写入方法

[发明专利]磁存储元件-CN201780023289.0在审
发明人：大森广之;细见政功;别所和宏;肥后丰;内田裕行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种磁存储元件包括第一磁性层，该第一磁性层具有垂直于第一磁性层的表面的方向上的易磁化轴。第一非磁性层在第一磁性层上。第二磁性层在第一非磁性层上，并且具有固定磁化方向。第二非磁性层在第二磁性层上。第三磁性层在第二非磁性层上，并且具有垂直于第三磁性层的表面的固定磁化方向。第三非磁性层在第三磁性层上。存储层在第三非磁性层上，并且具有可变磁化方向，具有垂直于存储层的表面的方向上的易磁化轴。第一磁性层的磁化方向的改变比存储层中的改变更容易。
磁性层非磁性层存储层固定磁化方向磁存储元件易磁化轴垂直可变磁化方向磁化方向

[发明专利]磁存储装置-CN202010816455.6在审
发明人：泽田和也;李永珉;及川忠昭;北川英二;矶田大河 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：磁阻效应元件包括第1～第3铁磁性层、第1与第2铁磁性层之间的第1非磁性层以及第2与第3铁磁性层之间的第2非磁性层。第2铁磁性层位于第1与第3铁磁性层之间。第3铁磁性层包括与第2非磁性层相接的第4铁磁性层、第3非磁性层及第4铁磁性层与第3非磁性层之间的第4非磁性层。第1非磁性层包含氧化物，该氧化物包含镁即Mg。第4非磁性层的熔点比第3非磁性层的熔点高。
存储装置

[发明专利]滤波器及其制造方法-CN200710170270.7无效
发明人：李政鸿;薛煜霖;黄逸鸿 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种滤波器包括第一磁性层、第二磁性层、绝缘层、多个线圈、第一非磁性层以及第二非磁性层。绝缘层夹设于第一磁性层与第二磁性层，线圈设置于绝缘层中。第一非磁性层设置于第一磁性层远离绝缘层的一侧，第二非磁性层设置于第二磁性层远离绝缘层的一侧。
滤波器及其制造方法

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